【技术实现步骤摘要】
应用于锁相环系统的锁相加速电路及锁相环系统
本技术属于锁相环的
,尤其涉及应用于锁相环系统的锁相加速电路及锁相环系统。
技术介绍
锁相环(PLL)是一种十分重要的功能系统,如在一个芯片系统中提供一种或多种频率要求的时钟、在接收机中产生本振信号、在通信系统中保持同步等。对于这些系统锁相环的快速锁定一直是追求目标,但是受到稳定性、动态响应、精度和噪声等因素相互制约,锁相速度难以进一步提高。在锁相环中,鉴频鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控振荡器和分频器形成一个反馈环路,压控振荡器的高频输出信号经分频后,反馈时钟信号Ffb与晶体振荡器产生的参考时钟信号Fref输入鉴频鉴相器,鉴频鉴相器比较两输入信号的相位差,产生输出电压,输出电压控制电荷泵产生充电或放电电流Icp,此电流对低通滤波器进行充电或放电,导致低通滤波器输出的控制电压Vc增大或减小,Vc作为压控振荡器的输入,调整压控振荡器的输出信号频率,经过分频器分频输出反馈时钟信号Ffb,再将反馈时钟信号Ffb传送给鉴频鉴相器,环路的负反馈特性使参考时钟信号Fref和反馈时 ...
【技术保护点】
1.一种应用于锁相环系统的锁相加速电路,该锁相加速电路适用的锁相环包括:鉴频鉴相器、电荷泵、压控振荡器、低通滤波器和分频器,鉴频鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控振荡器和分频器依次连接形成一个反馈环路,其特征在于,所述锁相加速电路包括偏移电压产生模块和电流注入控制模块;/n低通滤波器的信号输入端连接低通滤波器的信号输入端,低通滤波器的电容输入端连接电流注入控制模块的信号输出端,其中,低通滤波器的电容输入端是:低通滤波器内部的阻容串联支路中,电阻及其串联的电容的连接节点;电流注入控制模块的一个信号输入端连接低通滤波器的信号输入端,电流注入控制模块的另一个信号输入端连接偏移电压产 ...
【技术特征摘要】
1.一种应用于锁相环系统的锁相加速电路,该锁相加速电路适用的锁相环包括:鉴频鉴相器、电荷泵、压控振荡器、低通滤波器和分频器,鉴频鉴相器、电荷泵、低通滤波器、压控振荡器和分频器依次连接形成一个反馈环路,其特征在于,所述锁相加速电路包括偏移电压产生模块和电流注入控制模块;
低通滤波器的信号输入端连接低通滤波器的信号输入端,低通滤波器的电容输入端连接电流注入控制模块的信号输出端,其中,低通滤波器的电容输入端是:低通滤波器内部的阻容串联支路中,电阻及其串联的电容的连接节点;电流注入控制模块的一个信号输入端连接低通滤波器的信号输入端,电流注入控制模块的另一个信号输入端连接偏移电压产生模块的信号输出端,电流注入控制模块的信号输出端同时连接低通滤波器的电容输入端和偏移电压产生模块的信号输入端。
2.根据权利要求1所述锁相加速电路,其特征在于,所述电流注入控制模块包括:第二运算放大器、电源、第一NMOS管和第二NMOS管;
第二运算放大器的正相输入端作为所述电流注入控制模块的一个信号输入端,连接所述低通滤波器的信号输入端;第二运算放大器的负相输入端作为所述电流注入控制模块的另一个信号输入端,连接所述偏移电压产生模块的信号输出端;
第二运算放大器的信号输出端连接第二NMOS管的栅极,第二NMOS管的源极作为所述电流注入控制模块的信号输出端,连接所述低通滤波器的电容输入端,使得第二NMOS管作为开关NMOS管;
第二NMOS管的漏极连接第一NMOS管的源极,第一NMOS管的栅极连接第一NMOS管的漏极,第一NMOS管的漏极连接电源,使得第一NMOS管作为限流MOS管。
3.根据权利要求2所述锁相加速电路,其特征在于,在所述电流注入控制模块中:
如果所述第二NMOS管被换成第一PMOS管,那么在所述第二运算放大器的信号输出端与第一PMOS管的栅极之间增加连接一个反相器装置;第一PMOS管的漏极作为所述电流注入控制模块的信号输出端,连接所述低通滤波器的电容输入端;第一PMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极,其他元器件及其连接关系不变;
如果所述第二运算放大器的正相输入端及其负相输入端的连接关系互换,那么在所述第二运算放大器的信号输出端与第二NMOS管的栅极之间增加连接一个反相器装置,其他元器件及其连接关系不变;
如果所述第二NMOS管被换成第一PMOS管,且所述第二运算放大器的正相输入端及其负相输入端的连接关系互换,那么所述第二运算放大器的信号输出端连接第一PMOS管的栅极;第一PMOS管的漏极作为所述电流注入控制模块的信号输出端,连接所述低通滤波器的电容输入端;第一PMOS管的源极连接所述第一NMOS管的源极,其他元器件及其连接关系不变。
4.根据权利要求3所述锁相加速电路,其特征在于,在所述电流注入控制模块中:所述第一NMOS管换作第二PMOS管,第二PMOS管的源极连接所述电源,第二PMOS管的栅极和第二PMOS管的漏极共同连接所述第一PMOS管的源极或者所述第二NMOS管的漏极。
5.根...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩怀宇,邵要华,赵伟兵,
申请(专利权)人:珠海市一微半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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