直流接触器双线圈电路制造技术

技术编号:24057205 阅读:200 留言:0更新日期:2020-05-07 15:28
本实用新型专利技术涉及一种直流接触器双线圈电路,包括内线圈、外线圈、MOS管、电容C1,内线圈处于外线圈内;内线圈、外线圈的一端并接后连接电源输入端,内线圈的另一端与MOS管的D极连接,MOS管的S极与外线圈的另一端连接,并连接接地端,所述电容C1连接有电阻R1、电阻R2,电阻R1的一端与电容C1一端、电阻R2一端形成并接,电阻R1另一端与接地端连接,电阻R2另一端与MOS管的G极连接,电容C1的一端与电源输入端连接。在启动时,电流沿启动路径通过,内线圈与外线圈并联,电阻很小,启动电流大,可以是铁芯动作,触点闭合;当电容C1电容充足电后,MOS管断开,则电流沿保持路径通过,外线圈电阻较大,电流小,可以达到节能的目的。

Double coil circuit of DC contactor

【技术实现步骤摘要】
直流接触器双线圈电路
本技术涉及一种直流接触器双线圈电路。
技术介绍
直流接触器启动时,需要足够的电磁力,而保持时则不用很大的电磁力。为了节能降耗,以前有两种做法:第一种需要将线圈的体积做的很大,增加线圈的电阻,使输入的电流较小;第二种线圈的体积很小,设计一块节能板,在接触器启动之后200ms内将输入电流转化为很小的电流。这两者存在的弊端是第一种,产品的体积很大,重量重;第二种易受EMC干扰,导致触点抖动。
技术实现思路
针对上述问题,本技术的目的是提供一种结构合理,节能的直流接触器双线圈电路。实现本技术的技术方案如下直流接触器双线圈电路,包括内线圈、外线圈、MOS管、电容C1,内线圈处于外线圈内;内线圈、外线圈的一端并接后连接电源输入端,内线圈的另一端与MOS管的D极连接,MOS管的S极与外线圈的另一端连接,并连接接地端,所述电容C1连接有电阻R1、电阻R2,电阻R1的一端与电容C1一端、电阻R2一端形成并接,电阻R1另一端与接地端连接,电阻R2另一端与MOS管的G极连接,电容C1的一端与电源输入端连接。进一步地,所述内线圈漆包线线径大于外线圈漆包线线径,内线圈漆包线匝数小于外线圈漆包线匝数,内线圈的电阻小于外线圈的电阻。进一步地,所述内线圈与MOS管的D极之间连接有二极管D1,MOS管的D极与电源输入端连接有TVS管D2,MOS管的G极与接地端连接有TVS管D3,MOS管的D极、二极管D1与接地端之间连接有TVS管D4。进一步地,所述外线圈绕制成环形,中间为内线圈的容置空间。采用了上述技术方案,在启动时,电流沿启动路径通过,内线圈与外线圈并联,电阻很小,启动电流大,可以是铁芯动作,触点闭合;当电容C1电容充足电后,MOS管断开,则电流沿保持路径通过,外线圈电阻较大,电流小,可以达到节能的目的;本电路中所采用器件少,制成的电路板简单,且能够达到节能效果,而且线路板组件结构简单,不易受EMC干扰。附图说明图1为本技术的电路示意图;具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术实施例的附图,对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本技术的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。如图1所示,直流接触器双线圈电路,包括内线圈R内、外线圈R外、MOS管Q1、电容C1,内线圈处于外线圈内;内线圈、外线圈的一端并接后连接电源输入端,内线圈的另一端与MOS管Q1的D极连接,MOS管Q1的S极与外线圈的另一端连接,并连接接地端,电容C1连接有电阻R1、电阻R2,电阻R1的一端与电容C1一端、电阻R2一端形成并接,电阻R1另一端与接地端连接,电阻R2另一端与MOS管的G极连接,电容C1的一端与电源输入端连接。内线圈漆包线线径大于外线圈漆包线线径,内线圈漆包线匝数小于外线圈漆包线匝数,内线圈的电阻小于外线圈的电阻。内线圈与MOS管的D极之间连接有二极管D1,MOS管的D极与电源输入端连接有TVS管D2,MOS管的G极与接地端连接有TVS管D3,MOS管的D极、二极管D1与接地端之间连接有TVS管D4。外线圈绕制成环形,中间为内线圈的容置空间。本电路的工作过程:①电源启动的瞬间,电容C1充电,此时MOS管Q1的G极与S极有电流通过,Q1导通,线圈电流沿启动路径(如图1中示出的启动路径)通过,线圈的内外线圈R内和R外并联。电阻R1,限制启动瞬间电路的电流,防止电源正负极短路。电阻R2,限制流过Q1的电流,防止烧坏MOS管。TVS管D3是限制加载在Q1的电压,防止MOS管击穿。②启动后很短的时间内,电容C1充满电,MOS管Q1断开,线圈R内断开,电流沿保持路径(如图1中示出的保持路径)通过。TVS管D2,D4则限制线圈断开时产生的反向电动势。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.直流接触器双线圈电路,其特征在于,包括内线圈、外线圈、MOS管、电容C1,内线圈处于外线圈内;/n内线圈、外线圈的一端并接后连接电源输入端,/n内线圈的另一端与MOS管的D极连接,MOS管的S极与外线圈的另一端连接,并连接接地端,/n所述电容C1连接有电阻R1、电阻R2,电阻R1的一端与电容C1一端、电阻R2一端形成并接,电阻R1另一端与接地端连接,电阻R2另一端与MOS管的G极连接,电容C1的一端与电源输入端连接。/n

【技术特征摘要】
1.直流接触器双线圈电路,其特征在于,包括内线圈、外线圈、MOS管、电容C1,内线圈处于外线圈内;
内线圈、外线圈的一端并接后连接电源输入端,
内线圈的另一端与MOS管的D极连接,MOS管的S极与外线圈的另一端连接,并连接接地端,
所述电容C1连接有电阻R1、电阻R2,电阻R1的一端与电容C1一端、电阻R2一端形成并接,电阻R1另一端与接地端连接,电阻R2另一端与MOS管的G极连接,电容C1的一端与电源输入端连接。


2.如权利要求1所述的直流接触器双线圈电路,其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员:丁赟杨鑫冯亚菊何慜
申请(专利权)人:上海西埃新能源科技有限公司
类型:新型
国别省市:上海;31

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