【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液晶元件的制造方法相关申请的交叉参考本申请基于2017年11月20号提出申请的日本专利申请编号2017-223114号,且将其记载内容引用于此。
本公开涉及一种液晶元件的制造方法。
技术介绍
作为液晶装置,已知有以扭转向列(TwistedNematic,TN)型、超扭转向列(SuperTwistedNematic,STN)型等为代表且使用具有正的介电特性各向异性的向列液晶的水平取向模式、使用具有负的介电特性各向异性的向列液晶的垂直(homeotropic)取向模式的垂直取向(VerticalAlignment,VA)型液晶装置等各种装置。另外,也已知有具有在一侧的基板上设置有一对电极的单元结构的共面切换(In-PlaneSwitching,IPS)型、边缘场切换(FringeFieldSwitching,FFS)型等横向电场模式的液晶装置。作为液晶元件的取向处理方式之一,已知有聚合物稳定取向(PolymerSustainedAlignment,PSA)方式(例如,参照专利文献1)。PSA方式为如下技术 ...
【技术保护点】
1.一种液晶元件的制造方法,所述液晶元件包括相向配置的一对基板、配置于所述一对基板间的液晶层、以及一对电极,其中/n所述一对电极中的至少一者为具有多个开口部的图案电极,/n所述液晶元件的制造方法包括:在所述一对基板中的至少一者形成层间绝缘膜的步骤;/n在所述层间绝缘膜上形成所述图案电极的步骤;以及/n在所述图案电极上,以与所述层间绝缘膜的至少一部分接触的方式形成液晶取向膜的步骤,/n使用含有聚合物成分、以及选自下述所示的溶剂群组中的至少一种溶剂的液晶取向剂来形成所述液晶取向膜,/n溶剂群组:/n[A]溶剂:下述式(1)所表示的化合物、下述式(2)所表示的化合物、N,N,2- ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171120 JP 2017-2231141.一种液晶元件的制造方法,所述液晶元件包括相向配置的一对基板、配置于所述一对基板间的液晶层、以及一对电极,其中
所述一对电极中的至少一者为具有多个开口部的图案电极,
所述液晶元件的制造方法包括:在所述一对基板中的至少一者形成层间绝缘膜的步骤;
在所述层间绝缘膜上形成所述图案电极的步骤;以及
在所述图案电极上,以与所述层间绝缘膜的至少一部分接触的方式形成液晶取向膜的步骤,
使用含有聚合物成分、以及选自下述所示的溶剂群组中的至少一种溶剂的液晶取向剂来形成所述液晶取向膜,
溶剂群组:
[A]溶剂:下述式(1)所表示的化合物、下述式(2)所表示的化合物、N,N,2-三甲基丙酰胺、及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮;
[B]溶剂:二丙二醇单甲醚、二丙二醇二甲醚、二乙二醇单乙醚、4-甲氧基-4-甲基-2-戊酮、4-羟基-2-丁酮、2-甲基-2-己醇、2,6-二甲基-4-庚醇、二异丁基酮、丙二醇二乙酸酯、二乙二醇二乙醚、二异戊基醚、二丙酮醇、及丙二醇单丁醚;
[化1]
(式(1)中,R1为碳数2~5的一价烃基、或者在所述烃基中的碳-碳键间具有“-O-”的一价基;)
[化2]
(式(2)中,R2及R3分别独立地为氢原子、碳数1~6的一价烃基、或者在所述烃基的碳-碳键间具有“-O-”的一价基,R2与R3可相互键结而形成环结构;R4为碳数1~6的烷基)。
2.根据权利要求1所述的液晶元件的制造方法,还包括以下步骤:通过将所述液晶层中所混入的光聚合性单体聚合,在所述液晶层中的各基板侧的界面形成控制所述液晶的取向的取向控制层。
3.根据权利要求1或2所述的液晶元件的制造方法,其中所述液晶取向剂含有所述[A]溶剂的至少一种、以及所述[B]溶剂的至少一种。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的液晶元件的制造方法,其中所述液晶取向剂含有[P]聚合物,所述[P]聚合物为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯、聚酰亚胺及聚有机硅氧烷所组成的群组中的至少一种。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的液晶元件的制造方法,其中所述液晶取向剂含有[p]聚合物,所述[p]聚合物为选自由聚酰胺酸、聚酰胺酸酯及聚酰亚胺所组成的群组中的至少一种,
所述[p]聚合物具有源自四羧酸衍生物的部分结构,所述四羧酸衍生物具有选自由环丁烷环、环戊烷环及环己烷环所组成的群组中的至少一种环结构。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的液晶元件的制造方法,其中所述液晶取向剂含有以下聚合物:所述聚合物具有选自由自由基聚合性基、光引发剂基、自由基聚合抑制剂基、含氮的杂环(其中,聚酰亚胺所具有的酰亚胺环除外)、氨基、及经保护的氨基所组成的群组中的至少一种。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的液晶元件的制造方法,其中所述液晶取向剂含有...
【专利技术属性】
技术研发人员:奥田隆一,植阪裕介,小山贵由,
申请(专利权)人:JSR株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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