在低温下具有高灵敏度的气体传感器装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于生产气体传感器(2)的方法，该方法包括向基板(4)提供两个共面电极(6)的步骤以及在所述两个电极(6)上形成ZnO纳米线网络(8)的步骤。在所述两个电极(6)上形成ZnO纳米线网络(8)的步骤如下执行：用液相顺序生长法合成ZnO纳米线；将所述合成的纳米线分散在溶剂中；在电极上滴铸含有溶剂和ZnO纳米线的溶液；在低于85℃的温度下干燥溶液。本发明专利技术还涉及一种在诸如室温的低温下工作的气体传感器。

Gas sensor device with high sensitivity at low temperature and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在低温下具有高灵敏度的气体传感器装置及其制造方法
本专利技术涉及气体传感器，更具体地涉及金属氧化物气体传感器。
技术介绍
金属氧化物(MOx)气体传感器因其高灵敏度而常在商业上用于气体传感器。在室温下工作的气体传感器通常不够灵敏以致无法正常使用。实际上，MOx气体传感器的通常感测原理依赖于氧化还原反应，因此所述气体传感器需要通过高温来激活，通常是通过高于100℃的温度，以提供足够的高灵敏度。因此，需要提供一种在不需要加热器的情况下对室温下的气体具有高灵敏度的气体传感器，以及提供一种无需退火即可制造这种气体传感器的低能量方法。公开于US2006/0102494A1的现有技术专利文献公开了一种气体传感器。该气体传感器包括在基板上的两个单独的金属电极以及沉积在基板上并连接这两个金属电极的半导体薄膜。半导体薄膜由氧化锌或氧化锌与以纳米线形式的铟混合而成。通过在高于500℃的高温下在两个预定电极上进行直接气相合成来合成纳米线。用于制造气体传感器的方法意味着很高的温度。公开于US8443647B1的现有技术专利文献公开了一种例如用于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于生产气体传感器(2)的方法，该方法包括向基板(4)提供两个共面电极(6)的步骤以及在所述两个电极上形成ZnO纳米线网络(8)的步骤，其特征在于，在所述两个电极上形成ZnO纳米线网络的步骤如下执行：/na.用液相顺序生长法合成ZnO纳米线；/nb.将所述合成的纳米线分散在溶剂中；/nc.在电极上滴铸含有溶剂和ZnO纳米线的溶液；/nd.在低于85℃的温度下干燥溶液。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170919 LU LU1004421.一种用于生产气体传感器(2)的方法，该方法包括向基板(4)提供两个共面电极(6)的步骤以及在所述两个电极上形成ZnO纳米线网络(8)的步骤，其特征在于，在所述两个电极上形成ZnO纳米线网络的步骤如下执行：
a.用液相顺序生长法合成ZnO纳米线；
b.将所述合成的纳米线分散在溶剂中；
c.在电极上滴铸含有溶剂和ZnO纳米线的溶液；
d.在低于85℃的温度下干燥溶液。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，合成ZnO纳米线的步骤a)包括随后的子步骤：
a.制备溶解在水中的氯化锌和六亚甲基四胺的溶液，其中氯化锌和六亚甲基四胺是等摩尔的；
b.在70℃至90℃之间优选85℃的温度下加热溶液；
c.在保持加热的同时，每100分钟将等摩尔量的氯化锌和六亚甲基四胺添加到所述溶液中。


3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，其特征在于，合成ZnO纳米线的步骤a在搅拌下进行，优选在350rpm下。


4.根据权利要求2和3中任一项所述的方法，其特征在于，子步骤c重复至少一次，优选地两次。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，滴铸步骤c包括在电极上沉积50μL的ZnO纳米线溶液的液滴。


6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，将滴铸步骤c和干燥步骤d一起重复至少一次，优选地两次。


7.一种气体传感器(2)，包括基板(4)、在所述基板上的两个电极(6)、在所述两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：N凯塞多潘科瓦，D勒诺布尔，R勒图尔克，JS索曼，
申请(专利权)人：卢森堡科学技术研究院，
类型：发明
国别省市：卢森堡;LU