真空蒸镀装置用蒸镀源制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种真空蒸镀装置用蒸镀源，其在蒸镀升华性材料时，可增加每单位时间的升华量，对被蒸镀物的蒸镀率高。本发明专利技术的真空蒸镀装置(Dm)用蒸镀源(DS)，其是配置在真空室(1)内，用于使升华性有机材料(7)升华并对被蒸镀物(Sw)进行蒸镀的真空蒸镀装置用蒸镀源，其具有：上表面开口(4)，其具有朝向被蒸镀物(Sw)喷出升华的材料的坩埚(41)；筒状体(5)，其与该上表面开口(4)的壁面留出间隔地插入上表面开口(4)中并收纳升华性材料；以及加热单元(Ht)，其可加热筒状体(5)内的材料；筒状体(5)上开设有容许升华的材料连通的多个网眼(52)。

Evaporation source for vacuum evaporation device

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】真空蒸镀装置用蒸镀源
本专利技术涉及一种配置在真空室内，用于使升华性材料升华并对被蒸镀物进行蒸镀的真空蒸镀装置用蒸镀源。
技术介绍
例如，在有机EL元件的制造工序中，存在使喹啉铝配合物(Alq3)和芳香族二胺等升华性材料(有机材料)在真空气氛中蒸镀到基板等被蒸镀物上的工序，在该蒸镀工序中，广泛使用了真空蒸镀装置。这种真空蒸镀装置中使用的蒸镀源例如在专利文献1中已知。该装置中具有：在垂直方向上表面开口的坩埚；以及加热坩埚的感应线圈等加热单元(参照现有技术栏)。此处，上述种类的材料通常热导率差，而且不同于经液相而气化的材料，加热时，坩埚内材料不发生对流。因此，采用上述以往例子的蒸发源，当在坩埚内例如填充粉末状的材料，在真空气氛中通过加热单元加热坩埚时，会从与直接传热的坩埚壁面接触的材料开始升华。此时，从面对坩埚的上表面开口的填充的材料的上层部分，升华的材料是经坩埚的上表面开口向被蒸镀物飞散的，但在位于更下方的下层部分处升华的材料与位于其周围的较低温度(换言之，尚未被加热到升华温度)的材料相碰撞返回成固体。结果存在升华的材料只能从有限的范围飞本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种真空蒸镀装置用蒸镀源，其是配置在真空室内，用于使升华性材料升华并对被蒸镀物进行蒸镀的真空蒸镀装置用蒸镀源，其特征在于：/n具有：外容器，其具有朝向被蒸镀物喷出升华的材料的喷出口；内容器，其与该外容器的壁面留出间隔地插入外容器中并收纳升华性材料；以及加热单元，其可加热内容器内的材料；/n内容器上开设有容许升华的材料连通的多个通孔。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180608 JP 2018-1106711.一种真空蒸镀装置用蒸镀源，其是配置在真空室内，用于使升华性材料升华并对被蒸镀物进行蒸镀的真空蒸镀装置用蒸镀源，其特征在于：
具有：外容器，其具有朝向被蒸镀物喷出升华的材料的喷出口；内容器，其与该外容器的壁面留出间隔地插入外容...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村寿充，清健介，
申请(专利权)人：株式会社爱发科，
类型：发明
国别省市：日本;JP