功率放大模块制造技术

提出一种功率放大模块，在电源电压低的区域中与其他区域相比能够降低消耗电流。功率放大模块具备：第1放大器，对第1信号进行放大；第2放大器，对基于第1放大器的输出信号的第2信号进行放大；第1偏置电路，基于偏置驱动信号，通过电流路径向第1放大器供给偏置电流；和调整电路，调整电路包含调整晶体管，并基于供给至第1放大器的电源电压对偏置电流进行调整，其中，该调整晶体管具有被供给基于电源电压的第1电压的第1端子、被供给基于偏置驱动信号的第2电压的第2端子、以及与电流路径连接的第3端子。

Power amplifier module

【技术实现步骤摘要】
功率放大模块
本公开涉及功率放大模块。
技术介绍
在便携式电话等移动通信终端中，使用了将向基站发送的RF(RadioFrequency，射频)信号进行放大的功率放大模块。这样的功率放大模块有时按照根据所要求的RF信号的功率等级而不同的功率模式进行动作。例如，在下述专利文献1，公开了一种如下的功率放大模块，即，按照以比较低的功率等级动作的低功率模式或以比较高的功率等级动作的高功率模式来进行动作。在该功率放大模块中，在任何功率模式下都成为导通的放大器、和在低功率模式的情况下成为截止且在高功率模式的情况下成为导通的放大器被并联连接，根据功率模式来改变进行动作的单位晶体管的个数，由此进行适合各功率模式的功率的放大。在先技术文献专利文献专利文献1：JP特开2017-112588号公报近年来，特别是在低功率模式下使消耗电流降低的要求提高，在电源电压比较低的情况下需要使流过单位晶体管的电流的量减少。但是，如上述专利文献1记载的那样，仅通过调整进行动作的单位晶体管的个数，无法充分地使消耗电流降低。
技术实现思路
专利技术要解决的课题因此，本公开的课题在于，提出一种在电源电压低的区域中与其他区域相比能够降低消耗电流的功率放大模块。用于解决课题的手段为了解决上述的课题，本公开所涉及的功率放大模块具备：第1放大器，对第1信号进行放大；第2放大器，对基于第1放大器的输出信号的第2信号进行放大；第1偏置电路，基于偏置驱动信号，通过电流路径向第1放大器供给偏置电流；和调整电路，调整电路包含调整晶体管，并基于供给至第1放大器的电源电压对偏置电流进行调整，其中，该调整晶体管具有被供给基于电源电压的第1电压的第1端子、被供给基于偏置驱动信号的第2电压的第2端子、以及与电流路径连接的第3端子。专利技术效果根据本公开，能够提供在电源电压低的区域中与其他区域相比能够降低消耗电流的功率放大模块。附图说明图1是示出本公开的第1实施方式涉及的功率放大模块的结构的概要的图。图2是示出本公开的第1实施方式涉及的功率放大模块的结构例的图。图3是表示晶体管61的集电极-发射极间的电压Vce与电源电压Vcc1的关系的曲线图。图4是表示电流Isub_b与电源电压Vcc1的关系的曲线图。图5是表示电流Isub_c与电源电压Vcc1的关系的曲线图。图6是表示电流Isub与电源电压Vcc1的关系的曲线图。图7是表示电流Ief_pwr与电源电压Vcc1的关系的曲线图。图8是表示电流Icc与电源电压Vcc1的关系的曲线图。图9A是示出功率放大模块10A以及比较例涉及的功率放大模块中的电流Icc的比较结果的曲线图。图9B是示出功率放大模块10A以及比较例涉及的功率放大模块中的增益的比较结果的曲线图。图10是示出本公开的第2实施方式涉及的功率放大模块的结构例的图。附图标记说明10、10A、10B…功率放大模块，20、20A、20B、30、30A、30B…放大器，40、40A～40C、50、50A～50D…偏置电路，60、60A～60D…调整电路，70、80、80A、90…匹配电路，20a…第1单元，20b…第2单元，30a…第3单元，30b…第4单元，41～43、51～53、61…晶体管，44、54、62～64…电阻元件，45、55、81、82…电容器，83…电感器，100…第1电流路径，101…第2电流路径，102…第3电流路径，Q1、Q2…晶体管，Q1a…第1单位晶体管，Q1b…第2单位晶体管，Q2a…第3单位晶体管，Q2b…第4单位晶体管，R1、R1x、R1y、R2、R3a、R4…电阻元件，C1、C1a、C2…电容器，T1、T2…电源端子，T3～T7…控制端子。具体实施方式以下，参照各图对本公开的各实施方式进行说明。在此，相同的附图标记的电路元件表示相同的电路元件，省略重复的说明。图1是示出本公开的第1实施方式涉及的功率放大模块的结构的概要的图。功率放大模块10例如搭载于便携式电话等移动体通信设备，将输入信号RFin的功率放大至为了发送到基站所需的等级，并将其作为放大信号RFout而输出。输入信号RFin例如是通过RFIC(RadioFrequencyIntegratedCircuit，射频集成电路)等根据给定的通信方式而调制的射频(RF：RadioFrequency)信号。输入信号RFin的通信标准例如包含2G(第2代移动通信系统)、3G(第3代移动通信系统)、4G(第4代移动通信系统)、5G(第5代移动通信系统)、LTE(LongTermEvolution，长期演进)-FDD(FrequencyDivisionDuplex，频分双工)、LTE-TDD(TimeDivisionDuplex，时分双工)、LTE-Advanced、或LTE-AdvancedPro等，频率例如为数百MHz～数十GHz程度。另外，输入信号RFin的通信标准以及频率不限于这些。功率放大模块10例如具备放大器20、30、偏置电路40、50、调整电路60、以及匹配电路70、80、90。放大器20(第1放大器)以及放大器30(第2放大器)分别对所输入的RF信号进行放大并输出。初级(驱动级)的放大器20从电源端子T1被供给电源电压Vcc1，对从输入端子经由匹配电路70而输入的输入信号RFin(第1信号)进行放大，并输出RF信号RF1。后级(功率级)的放大器30从电源端子T2被供给电源电压Vcc2，对从放大器20经由匹配电路80而供给的RF信号RF1(第2信号)进行放大，并输出RF信号RF2。RF信号RF2经由匹配电路90作为放大信号RFout而输出。放大器20、30分别例如由异质结双极晶体管(HBT：HeterojunctionBipolarTransistor)等晶体管构成。另外，放大器20、30也可以取代HBT而由MOSFET(Metal-oxide-semiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等场效应晶体管构成。在此情况下，只要将以下说明的集电极、基极、发射极分别改读为漏极、栅极、源极即可。另外，以下，只要没有特别记载，就以晶体管由HBT构成的情况为例进行说明。偏置电路40、50分别从控制端子T3被供给偏置驱动信号，并向放大器20、30供给偏置电流或偏置电压。调整电路60对从偏置电路40向初级的放大器20供给的偏置电流的电流量进行调整。关于放大器20、偏置电路40、以及调整电路60的结构的详情在后面叙述。匹配电路(MN：MatchingNetwork，匹配网络)70使设置在功率放大模块10的前级的电路(未图示)的阻抗与放大器20的阻抗匹配。匹配电路80使放大器20的阻抗与放大器30的阻抗匹配。匹配电路90使放大器30的阻抗与设置在功率放大模块10的后级的电路(未图示)的阻抗匹配。匹配电路70、80、90分别例如本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大模块，具备：/n第1放大器，对第1信号进行放大；/n第2放大器，对基于所述第1放大器的输出信号的第2信号进行放大；/n第1偏置电路，基于偏置驱动信号，通过电流路径向所述第1放大器供给偏置电流；和/n调整电路，/n所述调整电路包含调整晶体管，并基于供给至所述第1放大器的电源电压对所述偏置电流进行调整，其中，该调整晶体管具有被供给基于所述电源电压的第1电压的第1端子、被供给基于所述偏置驱动信号的第2电压的第2端子、以及与所述电流路径连接的第3端子。/n

【技术特征摘要】
20181026 JP 2018-202115;20190628 JP 2019-1206451.一种功率放大模块，具备：
第1放大器，对第1信号进行放大；
第2放大器，对基于所述第1放大器的输出信号的第2信号进行放大；
第1偏置电路，基于偏置驱动信号，通过电流路径向所述第1放大器供给偏置电流；和
调整电路，
所述调整电路包含调整晶体管，并基于供给至所述第1放大器的电源电压对所述偏置电流进行调整，其中，该调整晶体管具有被供给基于所述电源电压的第1电压的第1端子、被供给基于所述偏置驱动信号的第2电压的第2端子、以及与所述电流路径连接的第3端子。


2.根据权利要求1所述的功率放大模块，其中，
所述调整电路还具备第1电阻元件至第3电阻元件，
在所述调整晶体管的所述第1端子，从电源端子通过所述第1电阻元件被供给所述第1电压，在所述调整晶体管的所述第2端子，通过所述第2电阻元件被供给所述第2电压，所述调整晶体管的所述第3端子通过所述第3电阻元件而与所述电流路径连接。


3.根据权利要求1或2所述的功率放大模块，其中，
所述功率放大模块按照动作模式进行动作，其中，该动作模式包含第1模式以及输出信号的功率等级比该第1模式大的第2模式，...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛本健一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP