【技术实现步骤摘要】
18-28GHZ的T组件制作工艺
本专利技术涉及微波模块制作加工工艺
，具体地，涉及一种18-28GHZ的T组件制作工艺。
技术介绍
相控阵雷达得名与其天线为相控阵形式，它通过改变雷达波相位来改变波束方向。通常一个相控阵天线的阵面由上千个T组件组成，T组件是相控阵天线的核心。通常主要有移相器、衰减器、固态功放、限幅器与低噪声放大器、连接器、逻辑驱动电路、二次电源等组成，在雷达系统发射周期内，T组件能够实现将雷达射频信号进行功率放大的功能。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种18-28GHZ的T组件制作工艺，该18-28GHZ的T组件制作工艺流程科学、简便，生产的产品合格率较高，适合批量生产。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种18-28GHZ的T组件制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到电源板上；步骤2、将电路板和连接器的烧结到壳体上；步骤3、共晶芯片与放大器共晶组件烧结；步骤4、在相应位置胶接电源板及芯片组件；步骤5、在相应位置金丝键合；
【技术保护点】
1.一种18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，包括：/n步骤1、将元器件烧结到电源板上；/n步骤2、将电路板和连接器的烧结到壳体上；/n步骤3、共晶芯片与放大器共晶组件烧结；/n步骤4、在相应位置胶接电源板及芯片组件；/n步骤5、在相应位置金丝键合；/n步骤6、调试、测试、封盖、打标。/n
【技术特征摘要】
1.一种18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，包括：
步骤1、将元器件烧结到电源板上；
步骤2、将电路板和连接器的烧结到壳体上；
步骤3、共晶芯片与放大器共晶组件烧结；
步骤4、在相应位置胶接电源板及芯片组件；
步骤5、在相应位置金丝键合；
步骤6、调试、测试、封盖、打标。
2.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤1包括：
a、打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为30-60psi，在电路板焊盘处以及裸芯片焊盘处点涂适量的183℃成分为SN63PB37焊锡膏；
b、用镊子夹取元器件，按照元器件贴装图将电阻R、1-pin排针P、6-pin排针P、电容C正确放置在相对应的焊盘上；
c、将加热平台温度设置为200-220℃，将步骤b中安放好元器件的电源板放在加热平台上进行烧结，并且，在显微镜下观察，将发生移位、翘起的元器件用镊子拨正；烧结完成后，取下烧结完成后的电源板放在滤纸上，自然冷却后存放在培养皿中备用。
3.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤2包括：
d、用宽嘴镊子夹取浸有纯酒精的酒精棉清洗待烧结的腔体，清洗完成后待用；
e、取出预准备已成型的183℃成分为SN63PB37焊片以及针管低残留助焊剂，在壳体内需烧结电路板位置注射适量的低残留助焊剂，使用镊子将焊片放置对应位置后继续注射适量的低残留助焊剂，将电路板取出放置壳体内；打开点胶机采用连续点胶模式，点胶机压力设置为45-60psi，在低频连接器金属外缘点涂一圈熔点为183℃成分为SN63PB37焊膏再将连接器插入壳体对应位置，在连接器与壳体接触的外圈缝隙处继续点涂一圈183℃成分为SN63PB37焊膏，放置压块工装夹具，在显微镜下调整低频连接器的针与微带对准；
f、加热平台温度设置为200-230℃，将步骤e中待烧结的组件放在200-230℃的加热平台上进行烧结，焊锡膏开始融化时，用镊子拨动低频连接器，使焊膏充分流动；其中，如有移位及时用镊子拨正，并摩擦压块工装使电路板与壳体充分接触；焊接完成后，将焊好的组件从加热平台上取下，放置在滤纸上自然冷却；电烙铁温度设置为300-350℃，将连接器与电路板微带连接处使用183℃焊锡丝焊接，焊点光亮无虚焊；
g、使用汽相清洗机清洗，将烧结有电路板和低频连接器的组件放置在盛有60℃成分为ABZOLCEGCLEANER清洗剂的清洗槽中热煮泡15-25min；取出后放置盛有60℃无水乙醇的培养皿中进行刷洗，电路板表面以及连接器焊接处使用黄色软毛刷子刷洗，电路板四周缝隙使用肉色硬毛刷进行刷洗4-6min；再将清洗后的组件放置在40-60℃的烘箱内烘烤4-6min，自然冷却至22-25℃后待用。
4.根据权利要求1所述的18-28GHZ的T组件制作工艺，其特征在于，步骤3包括：
h、将裸芯片共晶到对应载体上，共晶台温度设置300-320℃，用镊子将载体放在共晶台上，再将金锡焊片平铺在载体上，观察焊片，焊片熔化时，用镊子把焊片熔化的焊料均匀平铺在载体上，再将备好的芯片放到载体用镊子夹着芯片充分摩擦，排除...
【专利技术属性】
技术研发人员：奚凤鸣，周宗明，蔡庆刚，丁涛涛，张丽，
申请(专利权)人：安徽华东光电技术研究所有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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