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本发明公开了一种18‑28GHZ的T组件制作工艺，包括：步骤1、将元器件烧结到电源板上；步骤2、将电路板和连接器的烧结到壳体上；步骤3、共晶芯片与放大器共晶组件烧结；步骤4、在相应位置胶接电源板及芯片组件；步骤5、在相应位置金丝键合；步骤6...
该专利属于安徽华东光电技术研究所有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽华东光电技术研究所有限公司授权不得商用。

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