【技术实现步骤摘要】
发光元件
本专利技术涉及一种发光元件的结构设计,尤其是涉及一种具有多个发光单元的发光元件。
技术介绍
发光二极管(Light-emittingdiode;LED)具有耗能低、寿命长、体积小、反应速度快以及光学输出稳定等特性,逐渐取代传统的照明光源而被应用于各式照明装置中。尺寸缩小的发光二极管在高分辨率的打印机以及高分辨率的显示器有其应用的优势。发光二极管具有一叠层的结构,包含第一半导体层(firstsemiconductorlayer)、第二半导体层(secondsemiconductorlayer)、以及活性叠层(activestack)位于第一半导体层与第二半导体层之间。然而,当发光二极管的体积缩小时,例如,面积小于2500μm2时,发光二极管侧壁因蚀刻造成的晶格缺陷,使得活性叠层端面(endsurface)的非辐射复合效应(non-radiativerecombination)的影响变得显著,导致发光二极管的发光效率下降。非辐射复合效应是空穴和电子在发光叠层结合后不是以光子的形式释放,而是以热的形式释放 ...
【技术保护点】
1.一种发光元件,其特征在于,该发光元件包含:/n第一发光区域,包含第一发光单元,用以发出红光;/n第二发光区域,包含第二发光单元,用以发出蓝光;以及/n第三发光区域,包含第三发光单元,用以发出绿光;/n其中,该第一发光区域大于该第二发光区域与该第三发光区域,/n其中,该第一发光单元、该第二发光单元、以及该第三发光单元的一长与宽都小于100μm。/n
【技术特征摘要】
20181008 TW 1071354331.一种发光元件,其特征在于,该发光元件包含:
第一发光区域,包含第一发光单元,用以发出红光;
第二发光区域,包含第二发光单元,用以发出蓝光;以及
第三发光区域,包含第三发光单元,用以发出绿光;
其中,该第一发光区域大于该第二发光区域与该第三发光区域,
其中,该第一发光单元、该第二发光单元、以及该第三发光单元的一长与宽都小于100μm。
2.如权利要求1所述的发光元件,其中,该第一发光区域中包含第四发光单元,用以发出红光。
3.如权利要求1所述的发光元件,还包含支撑体,该第一发光单元、该第二发光单元以及该第三发光单元设置于该支撑体上。
4.如权利要求1所述的发光元件,其中,该第一发光...
【专利技术属性】
技术研发人员:谢明勋,
申请(专利权)人:晶元光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾;71
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