【技术实现步骤摘要】
光电器件、芯片和芯片制作方法
本申请涉及光电通信
，尤其涉及一种光电器件、芯片和芯片制作方法。
技术介绍
随着技术的快速发展，光通信市场对高速的光电探测器的需求和应用越来越广泛，例如10Gb/sAPD主要应用在距离大于40km的光传输系统以及正在快速增长的10GE-PON中。但是高速光电探测器中的高频光电芯片在结构设计和生产工艺非常复杂，并且在生产、耦合和封装上的成本高，导致市面价格非常昂贵，因此使用范围比较有限。可见，现有技术中的高频光电器件生产成本高，导致价格非常昂贵，不满足应用的需求。
技术实现思路
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种光电器件、芯片和芯片制作方法，解决了现有技术中的高频光电器件生产成本高，导致价格非常昂贵，不满足应用需求的问题。第一方面，本专利技术提供一种光电器件，所述器件包括：光电二极管芯片和电路倍频模块，所述光电二极管芯片与所述电路倍频模块电性连接；所述电路倍频模块包括：倍频电路，所述倍频电路与所述光电二极管芯片的输出端相连，用于提高所述光电二极...
【技术保护点】
1.一种光电器件，其特征在于，所述器件包括：/n光电二极管芯片和电路倍频模块，所述光电二极管芯片与所述电路倍频模块电性连接；/n所述电路倍频模块包括：/n倍频电路，所述倍频电路与所述光电二极管芯片的输出端相连，用于提高所述光电二极管芯片的输出信号的频率；/n选频电路，与所述倍频电路的输出端相连，用于筛选所述倍频电路输出的不同频率的信号。/n
【技术特征摘要】
1.一种光电器件，其特征在于，所述器件包括：
光电二极管芯片和电路倍频模块，所述光电二极管芯片与所述电路倍频模块电性连接；
所述电路倍频模块包括：
倍频电路，所述倍频电路与所述光电二极管芯片的输出端相连，用于提高所述光电二极管芯片的输出信号的频率；
选频电路，与所述倍频电路的输出端相连，用于筛选所述倍频电路输出的不同频率的信号。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述选频电路包括：
选频电容，所述选频电容与所述倍频电路的输出端相连；
选频耦合变压器，所述选频耦合变压器原边的第一端与所述选频电容的第一端相连，所述选频耦合变压器原边的第二端与所述选频电容的第二端相连，所述选频耦合变压器副边为输出端。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述倍频电路包括：
二极管，所述二极管的阳极与所述光电二极管芯片的输出端相连，所述二极管的阴极与所述选频电容的第一端相连。
4.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述倍频电路还包括：
三极管，所述三极管的基极与所述光电二极管芯片的输出端相连，所述三极管的发射极接地，所述三级管的集电极与所述选频电容的第二端相连。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述倍频电路还包括：
倍频电容，所述倍频电容的第一端与所述光电二极管芯片的输出端相连，所述倍频电容的第二端与所述三极管的基极相连。
6.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述光电二极管芯片包括：聚酰亚胺膜，所述聚酰亚胺膜的厚度大于2um且小于10um。
7.一种芯片，其特征在于，所述芯片包括：衬底、形成于所述衬底上的缓冲层、形成于所述缓冲层上的吸收层、形成于所述吸收层上的过渡层、形成于所述过渡层上的场控层、形成于所述场控层上的顶层、形成于所述顶层上的接触层、形成于所述衬底底部的N电极、形成于所述接触层、顶层与场控层中的Zn扩散区、形成于所述接触层上的钝化膜、形成于所述Zn扩散区上的增透膜、以及形成于所述Zn扩散区、钝化膜与增透膜上的P电极，所述Zn扩散区通过Zn扩散工艺进行二次扩散而形成...
【专利技术属性】
技术研发人员：李莹，刘宏亮，杨彦伟，徐虎，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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