基底基板、功能元件及基底基板的制造方法技术

提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。

Manufacturing method of base plate, functional element and base plate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基底基板、功能元件及基底基板的制造方法
技术介绍
作为发光二极管(LED)等发光元件，已知有：在蓝宝石(α-氧化铝单晶)上形成有各种氮化镓(GaN)层的发光元件。例如，已经开始批量生产了：具有在蓝宝石基板上依次层叠n型GaN层、多量子阱层(MQW)、以及p型GaN层而形成的结构的产品，其中所述多量子阱层(MQW)是：包含InGaN层的量子阱层、和包含GaN层的势垒层交替层叠而成的。作为用于培养氮化镓等13族元素氮化物结晶层的基底基板(模板基板)，提出了：在基底基板的基底结晶层的结晶培养面设置凹凸这样的方案。即，在专利文献13中公开了：通过在基底基板的结晶培养面形成出凹凸来降低位错、降低结晶中的应力的方法。在专利文献2中，使基底结晶层的培养面为平坦的c面，并且不具有与c面平行的面，又使相对于c面而倾斜的倾斜面呈连续的，从而形成出凹凸。在专利文献3中，在基底基板的结晶培养面上形成出：+c面的平坦部、和非+c面呈露出的平坦的倾斜面。在专利文献3中，在基底基板的结晶培养面形成出矩形的凹凸。此外，在专利文献4中提出了下述方案：在蓝宝石基板上形成晶种膜时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基底基板，其特征在于，所述基底基板具备：/n支撑基板，其由氧化铝构成；以及/n基底结晶层，其设置在所述支撑基板的主面上，该基底结晶层由13族元素氮化物结晶构成，且具有结晶培养面，/n在所述支撑基板与所述基底结晶层之间存在有所述支撑基板的材质与所述13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者，该反应物至少包含铝和13族元素。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170927 JP 2017-1864111.一种基底基板，其特征在于，所述基底基板具备：
支撑基板，其由氧化铝构成；以及
基底结晶层，其设置在所述支撑基板的主面上，该基底结晶层由13族元素氮化物结晶构成，且具有结晶培养面，
在所述支撑基板与所述基底结晶层之间存在有所述支撑基板的材质与所述13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者，该反应物至少包含铝和13族元素。


2.根据权利要求1所述的基底基板，其特征在于，所述反应物存在于所述支撑基板与所述基底结晶层之间。


3.根据权利要求1或2所述的基底基板，其特征在于，所述反应物包含铝、所述13族元素以及氧。


4.根据权利要求中的任一项所述的基底基板，其特征在于，所述基底结晶层具备隆起部，所述反应物和所述13族金属中的至少一者存在于所述隆起部的内侧。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：后藤万佐司，坂井正宏，大上翔平，吉野隆史，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP