基底基板、功能元件及基底基板的制造方法技术

提供一种基底基板(6)，其具备支撑基板(1)、和设置在支撑基板(1)的主面(1a)上的基底结晶层(3)，其中该基底结晶层(3)由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面(3a)。基底结晶层(3)具备隆起部(5)。在隆起部(5)与支撑基板(1)之间存在有支撑基板(1)的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。

Manufacturing method of base plate, functional element and base plate

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基底基板、功能元件及基底基板的制造方法
技术介绍
作为发光二极管(LED)等发光元件，已知有：在蓝宝石(α-氧化铝单晶)上形成有各种氮化镓(GaN)层的发光元件。例如，已经开始批量生产了：具有在蓝宝石基板上依次层叠n型GaN层、多量子阱层(MQW)、以及p型GaN层而形成的结构的产品，其中所述多量子阱层(MQW)是：包含InGaN层的量子阱层、和包含GaN层的势垒层进行交替层叠而成的。作为用于培养氮化镓等13族元素氮化物结晶层的基底基板(模板基板)，提出了：在基底基板的基底结晶层的结晶培养面设置凹凸这样的方案。即，在专利文献中公开了：通过在基底基板的结晶培养面形成出凹凸来降低位错、降低结晶中的应力的方法。在专利文献2中，使基底结晶层的培养面为平坦的c面，并且不具有与c面平行的面，又使相对于c面而倾斜的倾斜面呈连续的，从而形成出凹凸。在专利文献3中，在基底基板的结晶培养面上形成出：+c面的平坦部、以及非+c面呈露出的平坦的倾斜面。在专利文献3中，在基底基板的结晶培养面形成出有矩形的凹凸。此外，在专利文献4中提出了下述方案：在蓝宝石基板上形成晶种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基底基板，其具备支撑基板、以及设置在所述支撑基板的主面上的基底结晶层，其中该基底结晶层由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面，其特征在于，/n所述基底结晶层具备隆起部，在所述隆起部与所述支撑基板之间存在有：所述支撑基板的材质与所述13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170927 JP 2017-1863401.一种基底基板，其具备支撑基板、以及设置在所述支撑基板的主面上的基底结晶层，其中该基底结晶层由13族元素氮化物结晶构成、且具有结晶培养面，其特征在于，
所述基底结晶层具备隆起部，在所述隆起部与所述支撑基板之间存在有：所述支撑基板的材质与所述13族元素氮化物结晶的反应物、13族金属和/或空隙。


2.根据权利要求1所述的基底基板，其特征在于，在与所述支撑基板的所述主面垂直的截面上对所述隆起部进行观察时，所述结晶培养面形成为弯曲线，在该弯曲线中，所述结晶培养面的自所述主面起算的高度呈平滑地变化。


3.根据权利要求2所述的基底基板，其特征在于，在与所述支撑基板的所述主面垂直的截面上对所述隆起部进行观察时，所述所述13族元素氮化物结晶的特定结晶轴相对于所述主面的法线而成的角度呈平滑地变化。


4.根据权利要求3所述的基底基板，其特征在于，所述特定结晶轴为c轴。


5.根据权利要求中的任一项所述的基底基板，其特征在于，所述支撑基板由氧化铝构成，所述反应物包含铝、13族元素以及氧。


6.根据权利要求中的任一项所述的基底基板，其特征在于，在所述隆起部形成有龟裂或凹部。


7.根据权利要求中的任一项所述的基底基板，其特征在于，在所述隆起部与所述支撑基板之间存在有所述反应物。


8.根据权利要求中的任一项所述的基底基板，其特征在于，在所述隆起部与所述支撑基板之间存在有所述13族金属。


9.根据权利要求中的任一项所述的基底基板，其特征在于，在所述隆起部与所述支撑基板之间存在有所述空隙。


10.一种功能元件，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：坂井正宏，大上翔平，后藤万佐司，吉野隆史，
申请(专利权)人：日本碍子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP