表面处理装置及表面处理方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种在对被处理物实施表面处理时，可以提高表面处理品质的表面处理装置及表面处理方法。该表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物进行表面处理的装置，该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，所述喷射部与所述被处理物相对设置，并且该装置具有喷射部旋转机构和被处理物旋转机构中的至少一者，所述喷射部旋转机构使所述喷射部在与所述被处理物的被处理面平行的面内旋转，所述被处理物旋转机构使所述被处理物在与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直的面内旋转。

Surface treatment device and surface treatment method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理装置及表面处理方法
本专利技术涉及对印刷电路板、半导体、晶片等被处理物实施表面处理的装置及方法。表面处理除了对被处理物实施电镀等的被覆处理以外，还包括从被处理物除去机械加工时等附着的树脂残渣等的去污处理、对被处理物实施规定处理之前的前处理、实施规定处理之后的后处理、在各处理的前后根据需要进行的清洗处理等。
技术介绍
印刷电路板、半导体、晶片等通过对被处理物进行期望的机械加工等之后，进行去污处理，实施镀覆等被覆处理而得到。另外，在各处理的前后，根据需要进行前处理或后处理，有时也进行清洗处理。这样的各处理是将被处理物装入处理槽，以将被处理物的至少一部分或全部浸渍在液体中的状态进行。例如，作为对印刷电路板等板状工件进行电镀的技术，已知有专利文献1的技术。专利文献1的技术是本申请人以前提出的，记载了为了提高电镀处理的品质，在表面处理装置或电镀槽中设置向被处理物喷出镀覆处理液的喷出机构。现有技术文件专利文献专利文献1：日本专利技术专利公开公报特开2013-11004号
技术实现思路
在实施各种处理的印刷电路板、半导体、晶片等的表面上形成有通孔(层间连接孔)、沟槽(配线槽)等，为了应对半导体装置的高集成化，通孔的直径、沟槽的宽度有减少的倾向。另一方面，通孔的深度相对于直径之比(通孔的深度/直径)和沟槽的深度相对于宽度之比(通孔的深度/宽度)有增加的倾向。因此，即使对印刷电路板、半导体、晶片等的表面实施处理，处理液或清洗液也不能充分浸透到通孔或沟槽的内部，有时会产生处理不均。本专利技术是着眼于上述情况而完成的，其目的在于提供一种在对被处理物实施表面处理时可以提高表面处理品质的表面处理装置及表面处理方法。可以解决上述课题的本专利技术的第一表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置，其特征在于，该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，所述喷射部与所述被处理物相对设置，并且该装置具有喷射部旋转机构和被处理物旋转机构中的至少一者，所述喷射部旋转机构使所述喷射部在与所述被处理物的被处理面平行的面内旋转，所述被处理物旋转机构使所述被处理物在与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直的面内旋转。在上述第一表面处理装置中，优选使所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以平均旋转速度100-3000mm/分钟旋转。另外，优选所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以圆当量直径20-200mm旋转。上述课题也可以通过第二表面处理装置解决，该第二表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置，该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，并具有将所述被处理物相对于液面倾斜固定的固定机构以及使所述喷射部旋转的喷射部旋转机构。上述第二表面处理装置优选还具有倾斜机构，该倾斜机构使所述喷射部倾斜，以使从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向与所述被处理物的被处理面垂直。上述课题也可以通过第三表面处理装置解决，该第三表面处理装置是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物进行表面处理的装置，该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，所述喷射部与所述被处理物相对设置，并且具有使所述喷射部以与所述被处理面平行的轴为中心旋转的喷射部旋转机构。在上述第二和第三表面处理装置中，所述喷射部优选以平均旋转速度100-3000mm/分钟旋转。另外，优选所述喷射部以圆当量直径20-200mm旋转。关于上述第一至第三表面处理装置，优选所述喷射部以平均流速1-30m/秒喷射所述处理液。另外，所述表面处理装置优选还具有将所述处理液从所述表面处理装置的处理槽中抽出、向所述喷射部供给的循环路径，以及在该循环路径上用于将所述处理液从所述处理槽中抽出的泵。在所述表面处理为镀覆处理的情况下，镀浴温度优选为20-50℃。在所述表面处理为电镀处理的情况下，平均电流密度优选为1-30A/dm2。所述喷射部的喷射孔径优选为1-5mm。所述喷射部的喷射孔中，相邻的喷射孔的平均距离优选为5-150mm。所述喷射部的喷射孔与所述被处理物的距离优选为10-100mm。所述喷射部的朝向，在将水平方向设为0度时，从该喷射部喷射的处理液的喷射方向的角度优选为-70度～+70度。解决了上述课题的本专利技术的第一表面处理方法，是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的方法，其主旨在于，在从喷射部向被处理物的被处理面喷射处理液时，将所述喷射部与所述被处理物相对设置，并且进行以下中的至少一者：使所述喷射部在与所述被处理物的被处理面平行的面内旋转，或者使所述被处理物在与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直的面内旋转。在上述第一表面处理方法中，优选使所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以平均旋转速度100-3000mm/分钟旋转。另外，优选所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以圆当量直径20-200mm旋转。上述课题也可以通过第二表面处理方法解决，该第二表面处理方法是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的方法，在从喷射部向被处理物的被处理面喷射处理液时，使所述被处理物相对于液面倾斜，而且使所述喷射部旋转。在上述第二表面处理方法中，优选使所述喷射部倾斜，以使所述被处理物的被处理面与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直。上述课题也可以通过第三表面处理方法解决，该第三表面处理方法是对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的方法，在从喷射部向被处理物的被处理面喷射处理液时，将所述喷射部与所述被处理物相对设置，而且使所述喷射部以与所述被处理面平行的轴为中心旋转。在上述第二和第三表面处理方法中，优选所述喷射部以平均旋转速度100-3000mm/分钟旋转。另外，优选所述喷射部以圆当量直径20-200mm旋转。关于上述第一至第三表面处理方法，优选从所述喷射部以平均流速1-30m/秒喷射所述处理液。也可以准备至少2个所述被处理物，将该被处理物的被处理面作为外侧配置在处理槽内。所述被处理物也可以在表层具有凹部。具有所述凹部的被处理物例如可举出印刷电路板、半导体或晶片。所述表面处理可以是电镀处理或化学镀处理。在所述表面处理为镀覆处理的情况下，镀浴温度优选为20-50℃。在所述表面处理为电镀处理的情况下，平均电流密度优选为1-30A/dm2。在将水平方向设为0度时，从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向的角度优选为-70度～+70度。根据本专利技术，在对被处理物实施表面处理时，从与被处理物相对设置的喷射部向被处理物喷射处理液，并且使喷射部或被处理物中的至少一者旋转。其结果是，由于喷射到被处理物的表面的处理液的方向发生各种变化，因此可以降低处理不均匀，可以提高表面处理品质。附图说明图1是示出本专利技术涉及的第一表面处理装置的构成例的示意图。图2的(a)是图1所示的喷射机构21的侧视图，图2的(b)是从A方向示出(a)所示的喷射机构21的图，图2的(c)是从B方向示出(a)所示的喷射机构21的图。图3是示出框架33和马达35的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理装置，其为对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置，其特征在于，该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，/n所述喷射部与所述被处理物相对设置，并且/n该装置具有喷射部旋转机构和被处理物旋转机构中的至少一者，/n所述喷射部旋转机构使所述喷射部在与所述被处理物的被处理面平行的面内旋转，/n所述被处理物旋转机构使所述被处理物在与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直的面内旋转。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170920 JP 2017-1804141.一种表面处理装置，其为对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置，其特征在于，该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，
所述喷射部与所述被处理物相对设置，并且
该装置具有喷射部旋转机构和被处理物旋转机构中的至少一者，
所述喷射部旋转机构使所述喷射部在与所述被处理物的被处理面平行的面内旋转，
所述被处理物旋转机构使所述被处理物在与从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向垂直的面内旋转。


2.根据权利要求1所述的表面处理装置，其中，所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以平均旋转速度100-3000mm/分钟旋转。


3.根据权利要求1或2所述的表面处理装置，其中，所述被处理物或所述喷射部中的至少一者以圆当量直径20-200mm旋转。


4.一种表面处理装置，其为对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置，其特征在于，
该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，
该装置具有将所述被处理物相对于液面倾斜固定的固定机构以及使所述喷射部旋转的喷射部旋转机构。


5.根据权利要求4所述的表面处理装置，其中，该装置还具有倾斜机构，该倾斜机构使所述喷射部倾斜，以使从所述喷射部喷射的处理液的喷射方向与所述被处理物的被处理面垂直。


6.一种表面处理装置，其为对至少一部分浸渍在液体中的被处理物实施表面处理的装置，其特征在于，
该装置具有向被处理物的被处理面喷射处理液的喷射部，
所述喷射部与所述被处理物相对设置，并且
该装置具有使所述喷射部以与所述被处理面平行的轴为中心旋转的喷射部旋转机构。


7.根据权利要求4-6中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述喷射部以平均旋转速度100-3000mm/分钟旋转。


8.根据权利要求4-7中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述喷射部以圆当量直径20-200mm旋转。


9.根据权利要求1-8中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述喷射部以平均流速1-30m/秒喷射所述处理液。


10.根据权利要求1-9中任意一项所述的表面处理装置，其中，该装置还具有：将所述处理液从所述表面处理装置的处理槽抽出，并向所述喷射部供给的循环路径，在该循环路径上还具有用于将所述处理液从所述处理槽抽出的泵。


11.根据权利要求1-10中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述表面处理为镀覆处理，镀浴温度为20-50℃。


12.根据权利要求1-11中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述表面处理为电镀处理，平均电流密度为1-30A/dm2。


13.根据权利要求1-12中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述喷射部的喷射孔径为1-5mm。


14.根据权利要求1-13中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述喷射部的喷射孔中，相邻的喷射孔的平均距离为5-150mm。


15.根据权利要求1-14中任意一项所述的表面处理装置，其中，所述喷射部的喷射孔与所述被处理物的距离为10-100mm。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：奥田朋士，松山大辅，立花真司，内海雅之，
申请(专利权)人：上村工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP