【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于控制流体抗蚀剂液滴的布置的系统和方法
本公开涉及用于以受控方式将小的抗蚀剂液滴分配到基板上的系统和方法。
技术介绍
纳米制造包括制造具有特征处于100纳米或更小的数量级的极小结构。纳米制造已经产生巨大影响的一种应用在于集成电路的处理。半导体处理行业一直在努力提高产量，同时增加在基板上形成的每单位面积的电路，因此纳米制造变得愈加重要。纳米制造提供更强的工艺控制，同时允许不断减小所形成结构的最小特征尺寸。当今使用的示例性纳米制造技术通常被称为纳米压印光刻法。纳米压印光刻法可以用于多种应用中，包括例如制造集成装置的层，所述集成装置例如CMOS逻辑、微处理器、NAND闪存、NOR闪存、DRAM存储器、MRAM、3D交叉点存储器、Re-RAM、Fe-RAM、STT-RAM等。在例如美国专利No.8,349,241、美国专利No.8,066,930和美国专利No.6,936,194等许多公开中详细描述了示例性纳米压印光刻处理，所述美国专利全部在此通过引用并入本文中。在每个上述美国专利中公开的纳米压印光刻技术包括在可成...
【技术保护点】
1.一种流体分配系统，所述流体分配系统包括：/n流体分配器，所述流体分配器构造成将压印抗蚀剂流体的多个液滴分配到基板上的多个位置处；以及/n加热器，所述加热器构造成在所述多个液滴中的每一个由所述流体分配器分配之前将所述多个液滴中的每一个的液滴流体温度维持在大于23℃；且/n其中，由所述流体分配器分配的所述多个液滴中的每一个具有小于1.2pL的流体体积。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170921 US 15/711,4001.一种流体分配系统，所述流体分配系统包括：
流体分配器，所述流体分配器构造成将压印抗蚀剂流体的多个液滴分配到基板上的多个位置处；以及
加热器，所述加热器构造成在所述多个液滴中的每一个由所述流体分配器分配之前将所述多个液滴中的每一个的液滴流体温度维持在大于23℃；且
其中，由所述流体分配器分配的所述多个液滴中的每一个具有小于1.2pL的流体体积。
2.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述流体分配器构造成当所述液滴流体温度大于23℃时具有针对所述压印抗蚀剂流体的小于第一阈值的液滴布置准确度；并且
其中，当所述液滴流体温度小于或等于23℃时，所述液滴布置准确度大于所述第一阈值。
3.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所分配液滴的液滴流体温度介于23.1℃与40℃之间。
4.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述加热器是珀耳帖装置，所述珀耳帖装置构造成加热和冷却所述压印抗蚀剂流体，使得液滴流体温度处于预定温度范围内；
其中，当所述液滴流体温度处于所述预定温度范围内时，液滴布置准确度小于第一阈值；且
其中，当所述液滴流体温度位于所述预定温度范围之外时，所述液滴布置准确度大于所述第一阈值。
5.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述流体体积介于0.20pL与小于1.2pL之间。
6.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，相对于所述液滴流体温度小于或等于23℃时，最小化或消除了伴滴的形成。
7.根据权利要求1所述的流体分配系统，所述流体分配系统进一步包括冷却器，所述冷却器用于将所述液滴流体温度保持在高于23.5℃且低于所述压印抗蚀剂流体降解的温度的温度范围内。
8.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述流体体积小于0.75pL，并且增加所述液滴流体温度提高如在性能度量的相对改变中反映的液滴布置性能。
9.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述流体体积是0.6pL或更小，并且所述温度是25.5℃或更大。
10.根据权利要求1所述的流体分配系统，所述流体分配系统进一步包括所述压印抗蚀剂流体，
其中，当所述液滴流体温度大于或等于25℃时，所述压印抗蚀剂的特性与所述流体分配器的几何形状结合起来导致液滴布置准确度小于第一阈值。
11.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述流体体积是0.6pL或更小。
12.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述流体体积是0.34pL或更小。
13.根据权利要求1所述的流体分配系统，其中，所述流体分配器构造成使得针对给定的压印抗蚀剂流体：
在所述流体体积是第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：C·里昂斯，W·隆辛，M·C·特劳布，V·N·特拉斯凯特，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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