温补层结构、体声波谐振器及制造方法，滤波器、电子设备技术

本发明专利技术涉及一种温补层结构，包括温补层，所述温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；覆盖在温补层上方的上种子层，其中：所述上种子层的至少一端具有延伸到温补层的外侧的延伸部。本发明专利技术还涉及一种体声波谐振器，一种温补层结构的制造方法，一种体声波谐振器的制造方法，一种滤波器以及一种电子设备。

Temperature compensation layer structure, bulk acoustic resonator and manufacturing method, filter and electronic equipment

【技术实现步骤摘要】
温补层结构、体声波谐振器及制造方法，滤波器、电子设备
本专利技术的实施例涉及半导体领域，尤其涉及一种温补层结构及其制造方法，一种体声波谐振器，一种滤波器，一种子设备。
技术介绍
目前，体声波谐振器一般具有负频率温漂系数，其频率温漂系数大概是-30PPM/K，其原因在于体声波谐振器的压电材料和电极材料是负频率温漂系数，这表示这些材料的刚度会随着温度的升高而减小,刚度降低会使声速下降。结合V＝F*λ＝F*2d(其中V为声速，F为频率，λ为波长，d为压电层厚度)，所以频率会降低；但当温度升高时，SiO2以及正频率温漂系数材料的刚度会提高。所以可以通过增加SiO2以及正频率温漂系数材料层(即温补层)，来防止谐振器刚度下降导致声速下降，从而防止频率漂移。但是，但是在制造过程中，温补层的工艺兼容性不好，FBAR的后期制作工艺流程容易导致温补层的损坏。所以如何在制造上实现一个稳定完整的温补层是业界难题。
技术实现思路
为解决现有技术中的上述技术问题的至少一个方面，提出本专利技术。根据本专利技术的实施例的一个方面，提出了一种本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种温补层结构，包括：/n温补层，所述温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；/n覆盖在温补层上方的上种子层，/n其中：/n所述上种子层的至少一端具有延伸到温补层的外侧的延伸部。/n

【技术特征摘要】
1.一种温补层结构，包括：
温补层，所述温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；
覆盖在温补层上方的上种子层，
其中：
所述上种子层的至少一端具有延伸到温补层的外侧的延伸部。


2.根据权利要求1所述的温补层结构，其中：
所述温补层结构还包括设置在温补层下方的下种子层，下种子层的端部至少与温补层的端部齐平；
温补层在厚度方向上包覆在上种子层与下种子层之间。


3.根据权利要求2所述的温补层结构，其中：
所述上种子层的延伸部延伸到下种子层的外侧且与所述下种子层同层布置。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的温补层结构，其中：
所述延伸部的延伸长度在0.5μm-5μm的范围内。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的温补层结构，其中：
所述上种子层的两端均具有所述延伸部。


6.根据权利要求1-5中任一项所述的温补层结构，其中：
温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度不大于20°。


7.根据权利要求1所述的温补层结构，其中：
温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度在8°-12°的范围内。


8.一种形成温补层结构的方法，所述温补层结构包括温补层，覆盖在温补层上方的上种子层，所述方法包括步骤：
在一层谐振器材料上温补层；
图形化温补层，使得温补层的端部的上侧为斜面以使得温补层的端部为楔形端面，温补层的端部的上侧与温补层的底侧之间形成的角度小于60°；
在图形化的温补层覆盖上种子层，使得上种子层的至少一端延伸到温补层的外侧而具有延伸部；
图形化上种子层，以使得上种子层的延伸部的延伸长度为预定长度。


9.一种形成温补层结构的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：庞慰，闫德海，张孟伦，
申请(专利权)人：诺思天津微系统有限责任公司，
类型：发明
国别省市：天津;12