一种PBCO/NSTO超导阻变存储器及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种PBCO/NSTO超导阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括下电极、阻变层和上电极，阻变层为PrBa

A pbco / nsto SRM and its preparation

【技术实现步骤摘要】
一种PBCO/NSTO超导阻变存储器及其制备方法
本专利技术涉及新型超导阻变存储器领域，具体涉及一种PBCO/NSTO超导阻变存储器及其制备方法。
技术介绍
阻变材料在电场的作用下，电阻具有高、低两个阻态且在一定条件下可以相互切换。阻变存储器具有存储密度大、擦写速度快、可多值存储、结构简单等优点，被认为是替代闪存实现商业化的新一代存储器。超导是另一种特殊的阻变行为。自从1911年H.K.Onnes偶然发现超导以来，它就引起了全球范围的关注。经过一个世纪的探索，人们在许多材料中发现了超导性，如纯金属、合金、化合物和铜酸盐。近年来，一系列的高温超导化合物形式RBa2Cu3O7(R=Y或稀土原子)，如GdBa2Cu3O7和HoBa2Cu3O7与超导转变温度(Tc)≥90K，吸引了越来越多的关注。如果能将阻变存储和超导两种性质集于一身，制造出新型的超导阻变存储器，将会进一步提高器件的性能和应用潜力。然而，同一种材料的制备条件、触发方式或测试手段不同可能得到超导或不超导两种截然不同的结果。例如，PrBa2Cu3O7(PBCO)薄膜的超导性目前仍然本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器包括下电极、阻变层和上电极，阻变层为PrBa

【技术特征摘要】
1.一种PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器包括下电极、阻变层和上电极，阻变层为PrBa2Cu3O7超导薄膜，阻变层的厚度为20~50nm，下电极为Nb:SrTiO3，上电极为In金属层，In金属层的厚度为100~200nm。


2.根据权利要求1所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器的电流变化超过6个数量级范围时，PrBa2Cu3O7超导薄膜为零电阻状态。


3.根据权利要求1所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：随着温度降低，阻变存储器的电阻逐渐增大，300K时阻变存储器的电阻为11848Ω，随着温度降低到10K，器件电阻增大到了583430Ω，在10K时，阻变存储器发生阻变行为，电阻由高阻态HRS跳变为低阻态LRS，此时阻变存储器的电阻为26Ω，随着温度升高，阻变存储器的电阻逐渐增大。


4.根据权利要求3所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器电阻由HRS跳变为LRS后，温度介于10~26K之间时，电阻几乎不变，维持在1×10-4Ω。


5.根据权利要求1所述的PBCO/NSTO超导阻变存储器，其特征在于：所述阻变存储器的超导转变温度Tc为26K。


6.权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏凌，熊光成，张伟风，郭海中，
申请(专利权)人：河南大学，
类型：发明
国别省市：河南;41