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本发明提供了一种PBCO/NSTO超导阻变存储器及其制备方法，所述阻变存储器包括下电极、阻变层和上电极，阻变层为PrBa...
该专利属于河南大学所有，仅供学习研究参考，未经过河南大学授权不得商用。

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