一种基于存储系统的热备电切换系统技术方案

本发明专利技术提供一种基于存储系统的热备电切换系统，包括PSU单元、BBU单元、第一开关器件、第二开关器件以及稳压电路，其中，所述PSU单元通过所述第一开关器件连接到存储系统；所述BBU单元通过所述第二开关器件连接到所述存储系统；所述稳压电路连接到所述BBU单元的输出端，并配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述PSU单元正常输出电压范围以下。本发明专利技术将传统的BBU单元切换电路适当优化，修改为热备方案，从而提升系统整体可靠性。

A hot standby switching system based on storage system

【技术实现步骤摘要】
一种基于存储系统的热备电切换系统
本专利技术涉及存储系统领域，并且更具体地，涉及一种基于存储系统的热备电切换系统。
技术介绍
统一存储系列产品，包含下一代平台的服务器、存储服务器产品，需要在AC掉电时能够有方案保存写缓存中的脏数据(DirtyData)，当前业界主流的方案是通过BBU进行备电，当AC掉电后，系统可以通过相关切换电路切换至BBU供电，该电路一般采用业界比较成熟的Oring电路，由系统控制完成切换动作。当PSU(PowerSupplyUnit，供电单元)(AC电源)AC交流电输入出现异常时，系统会检测PSU的AC_FAIL信号，AC_FAIL信号一般提前于AC输入1～10ms送给系统，系统检测到AC_FAIL出现异常后，打开BBU(BatteryBackupUnit，电池备电单元)的输出使能，同时关闭PSU的输出使能(通过Oring线路实现)。当AC恢复后，系统检测到AC_FAIL正常后，关闭BBU的输出使能，同时打开PSU的输出使能。现有方案存在问题，其中最关键的有两点：一是切换过程需要控制，切换时间与板卡容性负载、电路设计、PCB走线相关，切换时间控制出现问题，容易导致存储设备丢失数据，实际调试过程非常复杂，而且容易出现概率性问题，定位过程复杂；二是切换过程容易出现电压跌落，当切换至BBU供电时，由于BBU带载能力比较弱，容易出现合路电压输出异常(电压幅值跌落)，从而导致切换过程中出现诸多问题。
技术实现思路
鉴于此，本专利技术实施例的目的在于提出一种基于存储系统的热备电切换系统，以将传统的BBU单元切换电路适当优化，修改为热备方案，从而提升系统整体可靠性。基于上述目的，本专利技术实施例的一方面提供了一种基于存储系统的热备电切换系统，包括PSU单元、BBU单元、第一开关器件、第二开关器件以及稳压电路，其中，所述PSU单元通过所述第一开关器件连接到存储系统；所述BBU单元通过所述第二开关器件连接到所述存储系统；所述稳压电路连接到所述BBU单元的输出端，并配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述PSU单元正常输出电压范围以下。在一些实施方式中，所述稳压电路进一步配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述存储系统最低供电电压值以上。在一些实施方式中，所述第一开关器件和第二开关器件为二极管。在一些实施方式中，所述第一开关器件和第二开关器件为场效应晶体管。在一些实施方式中，还包括高侧ORing场效应晶体管控制器，所述高侧ORing场效应晶体管控制器连接到所述2个场效应晶体管的栅极。在一些实施方式中，所述稳压电路为升/降压转换器电路。本专利技术实施例的另一方面提供了一种服务器，包括热备电切换系统，所述热备电切换系统包括PSU单元、BBU单元、第一开关器件、第二开关器件以及稳压电路，其中，所述PSU单元通过所述第一开关器件连接到所述服务器存储系统；所述BBU单元通过所述第二开关器件连接到所述存储系统；所述稳压电路连接到所述BBU单元的输出端，并配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述PSU单元正常输出电压范围以下。在一些实施方式中，所述稳压电路进一步配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述存储系统最低供电电压值以上。在一些实施方式中，所述第一开关器件和第二开关器件为场效应晶体管。在一些实施方式中，还包括高侧ORing场效应晶体管控制器，所述高侧ORing场效应晶体管控制器连接到所述2个场效应晶体管的栅极。本专利技术具有以下有益技术效果：本专利技术实施例提供的一种基于存储系统的热备电切换系统采用简单的MOS管或二极管合路实现PSU单元和BBU单元切换动作，不需要额外的控制芯片和控制电路，采用BBU单元热备方案既可以降低产品成本，同时又可以提升系统整体的可靠性。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。图1是根据本专利技术实施例的一种基于存储系统的热备电切换系统的示意图。具体实施方式以下描述了本专利技术的实施例。然而，应该理解，所公开的实施例仅仅是示例，并且其他实施例可以采取各种替代形式。附图不一定按比例绘制；某些功能可能被夸大或最小化以显示特定部件的细节。因此，本文公开的具体结构和功能细节不应被解释为限制性的，而仅仅是作为用于教导本领域技术人员以各种方式使用本专利技术的代表性基础。如本领域普通技术人员将理解的，参考任何一个附图所示出和描述的各种特征可以与一个或多个其他附图中所示的特征组合以产生没有明确示出或描述的实施例。所示特征的组合为典型应用提供了代表性实施例。然而，与本专利技术的教导相一致的特征的各种组合和修改对于某些特定应用或实施方式可能是期望的。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术实施例进一步详细说明。基于上述目的，本专利技术的实施例一方面提出了一种基于存储系统的热备电切换系统，其特征在于，包括PSU单元、BBU单元、第一开关器件、第二开关器件以及稳压电路，其中，所述PSU单元通过所述第一开关器件连接到存储系统；所述BBU单元通过所述第二开关器件连接到所述存储系统；所述稳压电路连接到所述BBU单元的输出端，并配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述PSU单元正常输出电压范围以下。在一些实施例中，稳压电路进一步配置为将BBU单元输出到第二开关器件的电压值稳定在存储系统最低供电电压值以上。也即是说，所述BBU单元经由所述稳压电路输出的电压值略低于所述PSU单元正常输出电压范围，以使得所述PSU单元输出的电压值下降超过所述稳压电路输出的电压值即认定所述PSU单元出现故障。例如，PSU单元的输出电压范围一般在11.4～12.6V，可以使得BBU单元输出端的稳压电路将BBU单元的输出电压稳压在11V左右。之所以将BBU电压稳压在11V，是要保障在任何场景下，如果PSU正常工作，则BBU的输出电压小于PSU的输出电压。在一些实施例中，所述第一开关器件为二极管。同样，所述第二开关器件为二极管。在一些实施例中，所述第一开关器件为场效应晶体管。同样，所述第二开关器件为场效应晶体管。例如，如图1所示，所述场效应晶体管为N沟道MOS管，其中一个N沟道MOS管一端连接到PSU单元输出端，另一端连接到存储系统电源输入端，另一个N沟道MOS管一端连接到BBU单元输出端的稳压电路，另一端连接到存储系统电源输入端。通过两个MOS管完成PSU单元和BBU单元的输出合路。在一些实施例中，还包括高侧ORing场效应晶体管控制器，所述高侧ORing场效应晶体管控制器连接到所述2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于存储系统的热备电切换系统，其特征在于，包括PSU单元、BBU单元、第一开关器件、第二开关器件以及稳压电路，其中，/n所述PSU单元通过所述第一开关器件连接到存储系统；/n所述BBU单元通过所述第二开关器件连接到所述存储系统；/n所述稳压电路连接到所述BBU单元的输出端，并配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述PSU单元正常输出电压范围以下。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于存储系统的热备电切换系统，其特征在于，包括PSU单元、BBU单元、第一开关器件、第二开关器件以及稳压电路，其中，
所述PSU单元通过所述第一开关器件连接到存储系统；
所述BBU单元通过所述第二开关器件连接到所述存储系统；
所述稳压电路连接到所述BBU单元的输出端，并配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述PSU单元正常输出电压范围以下。


2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述稳压电路进一步配置为将所述BBU单元输出到所述第二开关器件的电压值稳定在所述存储系统最低供电电压值以上。


3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一开关器件和第二开关器件为二极管。


4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述第一开关器件和第二开关器件为场效应晶体管。


5.根据权利要求4所述的系统，其特征在于，还包括高侧ORing场效应晶体管控制器，所述高侧ORing场效应晶体管控制器连接到所述2个场效应晶体管的栅极。


6...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋开鑫，陈洪鑫，高阳，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32