一种硫氮共掺杂石墨烯的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硫氮共掺杂石墨烯的制备方法，步骤如下：将GO溶于去离子水，加入硫脲，磁力搅拌40‑50min后，将所得溶液转入聚四氟乙烯内衬的水热反应釜中，在160‑170℃下反应6‑7h后自然冷却至室温，用去离子水反复抽滤后冷冻干燥，即得。该方法简便、快捷、易操作，制备的硫氮共掺杂石墨烯形成了均匀的多孔结构，具有最大的比表面积和电导率，表现出良好的电化学性能和循环稳定性。

A preparation method of sulfur nitrogen Co doped graphene

【技术实现步骤摘要】
一种硫氮共掺杂石墨烯的制备方法
本专利技术涉及一种硫氮共掺杂石墨烯的制备方法。
技术介绍
近年来，石墨烯开启了纳米材料科学的新领域，并且在学术界引起了持续升温的关注。石墨烯是由sp2杂化的碳原子排列组成的六元网状结构，具有卓越的电学、光学和力学性能。然而石墨烯具有近似金属的导体特征，能带隙为零，这严重限制了石墨烯在电学器件上的应用。通过化学掺杂，在石墨烯晶格中引入其他原子来改变石墨烯的固有电学性质，可以拓宽其物理和化学性质，有效改善石墨烯器件的电学性能。实验研究证明，石墨烯的p/n结拥有独特的电学性能。通过选择性掺杂，可以得到可控、性能高的p/n结，甚至是双极性的材料。对于氮掺杂石墨烯，由于氮原子的电负性（χ=3.04）比碳原子（χ=2.55）高，氮掺入可以吸引相邻碳原子的电子，使其显电正性，从而改变石墨烯的电学性质，促使其转变为n型半导体。而对于硫掺杂石墨烯，掺杂硫原子后可以有效改变其周围碳原子的电荷密度和自旋密度分布，造成独特的电子结构，提高石墨烯的电子性能和化学活性，可以将其改变为较小带宽的半导体，使其拥有比本征石墨烯更好的金属性质。因此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硫氮共掺杂石墨烯的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将5-15份GO溶于70-80份去离子水，加入30-40份硫脲，磁力搅拌40-50min后，将所得溶液转入聚四氟乙烯内衬的水热反应釜中，在160-170℃下反应6-7h后自然冷却至室温，用去离子水反复抽滤后冷冻干燥，即得；各原料均为重量份。/n

【技术特征摘要】
1.一种硫氮共掺杂石墨烯的制备方法，其特征在于包括如下步骤：将5-15份GO溶于70-80份去离子水，加入30-40份硫脲，磁力搅拌40-50min后，将所得溶液转入聚四氟乙烯内衬的水热反应釜中，在160-170℃下反应6-7h后自然冷却至室...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：南通金庆美术图案设计有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32