基板吸附装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种基板吸附装置，包括：至少一第一吸附部，所述第一吸附部设置于所述基板吸附装置的吸附面的中部区域；至少两第二吸附部，所述第二吸附部设置于所述吸附面的外围区域，其中，所述外围区域位于所述中部区域的至少一侧；所述第二吸附部的第二吸附力大于所述第一吸附部的第一吸附力。本发明专利技术能防止出现吸附基板失败的情况。

Substrate adsorption device

【技术实现步骤摘要】
基板吸附装置
本专利技术涉及显示面板制造
，特别涉及一种基板吸附装置。
技术介绍
在显示面板的制造过程中，基板上一般会设置一层柔性膜层，由于该柔性膜层具有较大的内应力，因此基板容易受到该内应力而发生形变，具体的表现为：基板的四周会出现一定程度的翘曲，其中，基板的四个角的翘曲程度最明显。在对基板进行吸附时，由于需要将基板反过来再进行吸附，此时，基板的重力与柔性膜层的内应力叠加作用，加剧了基板的四周的翘曲的程度，在这种情况下，会出现吸附基板失败的情况。特别地，基板的尺寸越大，基板的四周的翘曲的程度越大，此时，吸附失败的概率越大。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板吸附装置，其能防止出现吸附基板失败的情况。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下：一种基板吸附装置，所述基板吸附装置包括：至少一第一吸附部，所述第一吸附部设置于所述基板吸附装置的吸附面的中部区域；至少两第二吸附部，所述第二吸附部设置于所述吸附面的外围区域，其中，所述外围区域位于所述中部区域的至少一侧；所述第二吸附部的第二吸附力大于所述第一吸附部的第一吸附力。在上述基板吸附装置中，所述第一吸附部产生所述第一吸附力的时间先于所述第二吸附部产生所述第二吸附力的时间。在上述基板吸附装置中，所述第一吸附部包括第一真空吸附构件，至少两所述第一真空吸附构件以一维阵列或二维阵列的形式排列；所述第二吸附部包括第二真空吸附构件，至少两所述第二真空吸附构件以一维阵列或二维阵列的形式排列。在上述基板吸附装置中，所述基板吸附装置还包括：真空抽吸器，所述真空抽吸器与所述第一真空吸附构件和所述第二真空吸附构件相连，所述真空抽吸器用于向所述第一真空吸附构件抽吸真空，以使所述第一吸附构件生成所述第一吸附力，以及用于向所述第二真空吸附构件抽吸真空，以使所述第二真空吸附构件生成所述第二吸附力。在上述基板吸附装置中，所述真空抽吸器用于在第一时间段内向所述第一真空吸附构件抽吸真空，以使所述第一吸附构件在所述第一时间段内生成所述第一吸附力，以及用于在第二时间段内向所述第二真空吸附构件抽吸真空，以使所述第二真空吸附构件在所述第二时间段内生成所述第二吸附力。在上述基板吸附装置中，所述第一真空吸附构件包括第一吸盘和第一吸管，所述第一吸盘与所述第一吸管的一端连接，所述第一吸管的另一端与所述真空抽吸器连接；所述第二真空吸附构件包括第二吸盘和第二吸管，所述第二吸盘与所述第二吸管的一端连接，所述第二吸管的另一端与所述真空抽吸器连接。在上述基板吸附装置中，所述第一吸附部、所述第二吸附部在所述吸附面上的投影的形状为直角三角形、矩形、梯形、扇形、环形中的一种或一种以上的组合。在上述基板吸附装置中，在所述第一吸附部中，至少两所述第一真空吸附构件的第一吸附力自所述中部区域指向所述外围区域的方向均匀分布或递增。在上述基板吸附装置中，在所述第二吸附部中，至少两所述第二真空吸附构件的第二吸附力自所述中部区域指向所述外围区域的方向递增或递减。在上述基板吸附装置中，所述基板吸附装置还包括：支承台，所述第一吸附部和所述第二吸附部均固定于所述支承台上。相对现有技术，由于第一吸附部设置于所述基板吸附装置的吸附面的中部区域，第二吸附部设置于所述吸附面的外围区域，所述第二吸附部的第二吸附力大于所述第一吸附部的第一吸附力。因此，针对基板的四周在被吸附时翘曲程度较大的情况，可以向基板的四周施加更大的吸附力，从而防止出现吸附基板失败的情况。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。【附图说明】图1为本专利技术的基板吸附装置的第一实施例的示意图；图2为本专利技术的基板吸附装置的第二实施例的示意图；图3为本专利技术的基板吸附装置中第一吸附部的第一吸附力和第二吸附部的第二吸附力的一种分布的示意图；图4为本专利技术的基板吸附装置中第一吸附部的第一吸附力和第二吸附部的第二吸附力的另一种分布的示意图。【具体实施方式】本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。此外，本说明书和所附权利要求中所使用的冠词“一”一般地可以被解释为“一个或多个”，除非另外指定或从上下文可以清楚确定单数形式。本专利技术实施例提供的基板吸附装置用于吸附基板，例如，在显示面板的制造工序中对基板进行吸附，所述基板可例如为玻璃基板、柔性基板、设置有薄膜晶体管阵列的薄膜晶体管阵列基板、设置有彩膜层的彩膜基板等。参考图1、图2、图3和图4，图1为本专利技术的基板吸附装置的第一实施例的示意图，图2为本专利技术的基板吸附装置的第二实施例的示意图，图3为本专利技术的基板吸附装置中第一吸附部的第一吸附力和第二吸附部的第二吸附力的一种分布的示意图，图4为本专利技术的基板吸附装置中第一吸附部的第一吸附力和第二吸附部的第二吸附力的另一种分布的示意图。本专利技术的基板吸附装置的第二实施例与第一实施例相近或相似，不同之处在于，两个实施例中的第一吸附部、第二吸附部在所述吸附面上的投影的形状。本专利技术实施例提供的基板吸附装置包括一支承台、至少一第一吸附部101和至少两第二吸附部102，所述第一吸附部101和所述第二吸附部102均固定于所述支承台上。所述第一吸附部101设置于所述基板吸附装置的吸附面(所述支承台的吸附面)的中部区域，所述第二吸附部102设置于所述吸附面的外围区域，其中，所述外围区域位于所述中部区域的至少一侧。所述第一吸附部101在所述吸附面上的投影的形状为直角三角形与矩形的组合(如图1所示)、矩形(如图2所示)中的一种。所述第二吸附部102在所述吸附面上的投影的形状为直角三角形(如图1所示)、矩形(如图1所示)、梯形、扇形、环形(如图2所示)中的一种或一种以上的组合。所述第二吸附部102以所述吸附面的中点为中心，设置于所述第一吸附部101的四周，特别地，至少两所述第二吸附部102的位置以所述吸附面的中点对称。所述第二吸附部102的第二吸附力大于所述第一吸附部101的第一吸附力。所述第一吸附部101包括第一真空吸附构件，至少两所述第一真空吸附构件以一维阵列或二维阵列的形式排列，特别地，至少两所述第一真空吸附构件拼接为一体，以形成所述第一吸附部101。所述第二吸附部102包括第二真空吸附构件，至少两所述第二真空吸附构件以一维阵列或二维阵列的形式排列。特别地，至少两所述第二真空吸附构件拼接为一体，以形成所述第二吸附部102。所述基板吸附装置还包括真空抽吸器，所述真空抽吸器与所述第一真空吸附构件和所述第二真空吸附构件相连，所述真空抽吸器用于向所述第一真空吸附构件抽吸真空，以使所述第一吸附构件生成所述第一吸附力，以及用于向所述第二真空吸附构件抽吸真空，以使所述第二真空吸附构件生成所述第二吸附力。在本专利技术实施例中，抽吸真空是指抽吸空气，以降低所述第一真空吸附构件和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板吸附装置，其特征在于，所述基板吸附装置包括：/n至少一第一吸附部，所述第一吸附部设置于所述基板吸附装置的吸附面的中部区域；/n至少两第二吸附部，所述第二吸附部设置于所述吸附面的外围区域，其中，所述外围区域位于所述中部区域的至少一侧；/n所述第二吸附部的第二吸附力大于所述第一吸附部的第一吸附力。/n

【技术特征摘要】
1.一种基板吸附装置，其特征在于，所述基板吸附装置包括：
至少一第一吸附部，所述第一吸附部设置于所述基板吸附装置的吸附面的中部区域；
至少两第二吸附部，所述第二吸附部设置于所述吸附面的外围区域，其中，所述外围区域位于所述中部区域的至少一侧；
所述第二吸附部的第二吸附力大于所述第一吸附部的第一吸附力。


2.根据权利要求1所述的基板吸附装置，其特征在于，所述第一吸附部产生所述第一吸附力的时间先于所述第二吸附部产生所述第二吸附力的时间。


3.根据权利要求1所述的基板吸附装置，其特征在于，所述第一吸附部包括第一真空吸附构件，至少两所述第一真空吸附构件以一维阵列或二维阵列的形式排列；
所述第二吸附部包括第二真空吸附构件，至少两所述第二真空吸附构件以一维阵列或二维阵列的形式排列。


4.根据权利要求3所述的基板吸附装置，其特征在于，所述基板吸附装置还包括：
真空抽吸器，所述真空抽吸器与所述第一真空吸附构件和所述第二真空吸附构件相连，所述真空抽吸器用于向所述第一真空吸附构件抽吸真空，以使所述第一吸附构件生成所述第一吸附力，以及用于向所述第二真空吸附构件抽吸真空，以使所述第二真空吸附构件生成所述第二吸附力。


5.根据权利要求4所述的基板吸附装置，其特征在于，所述真空抽吸器用于在第一时间段内向所述第一真空吸附构件抽吸...

【专利技术属性】
技术研发人员：张伟基，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44