核辐射探测器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种核辐射探测器，包括：核辐射探测单元，包括第一电极层；半导体材料层，位于第一电极层的一侧；第二电极层，位于半导体材料层远离第一电极层的一侧，第一电极层用于接受带电粒子的辐照；接收器，接收器包括焊盘，位于核辐射探测单元远离第一电极层的一侧，焊盘与第二电极层电连接。本实用新型专利技术实施例提供的技术方案增强了核辐射探测器的探测效率。

Nuclear radiation detector

【技术实现步骤摘要】
核辐射探测器
本技术实施例涉及半导体
，尤其涉及一种核辐射探测器。
技术介绍
核辐射探测器，是一种对核辐射计量、强度等性质进行检测的仪器。核辐射指的是原子核从一种结构或能量状态转变为另一种结构或能量状态的过程中，所释放出来的微观粒子流。目前的核辐射探测器中的微观粒子流在传输的过程中存在流失的问题，导致了核辐射探测器探测效率较低的技术问题。
技术实现思路
有鉴于此，本技术实施例提供了一种核辐射探测器，减少了微观粒子流的传输路径，降低了微观粒子流在传输过程中的流失，增强了核辐射探测器的探测效率。本技术实施例提供了一种核辐射探测器，包括：核辐射探测单元，包括第一电极层；半导体材料层，位于所述第一电极层的一侧；第二电极层，位于所述半导体材料层远离所述第一电极层的一侧，所述第一电极层用于接受带电粒子的辐照；接收器，所述接收器包括焊盘，位于所述核辐射探测单元远离所述第一电极层的一侧，所述焊盘与所述第二电极层电连接。可选地，所述接收器在所述第二电极层远离所述半导体材料层的一侧设置有金属触点，所述金属触点与所述焊盘固定连接。可选地，还包括环形保护层，位于所述第一电极层远离所述半导体材料层的一侧。可选地，还包括防氧化管壳，所述防氧化管壳包括环形底面和管壳侧壁，所述环形底面位于所述环形保护层远离所述第一电极层的一面；所述环形保护层、所述核辐射探测单元以及所述接收器设置在所述防氧化管壳内；所述环形底面在所述核辐射探测单元的正投影位于所述环形保护层在所述核辐射探测单元的正投影内。可选地，所述接收器还包括导电针；位于所述焊盘远离所述第二电极层的一侧；环形保护套，位于所述焊盘远离所述第二电极层的一侧，且包围所述导电针。可选地，所述防氧化管壳还包括盖板，所述盖板位于所述第二电极层远离所述半导体材料层的一侧；所述盖板抵持在所述第二电极层上。可选地，所述盖板上开设有通孔，所述环形保护套穿设所述通孔，所述环形保护套上设置有外螺纹，所述通孔设置有内螺纹，所述环形保护套与所述通孔螺纹连接。可选地，所述盖板还包括多个限位凹槽，位于所述盖板远离所述第二电极层的一侧。可选地，所述第一电极层包括金电极层。可选地，所述第二电极层包括铝电极层。本技术公开的技术方案在核辐射探测单元和接收器的焊盘之间无需用压块支撑，减轻了核辐射探测器的重量，减小了探测器体积，便于运输保存；且无需在核辐射探测单元的第二电极层和焊盘之间设置金属引线来传输电信号，接收器的焊盘，位于核辐射探测单元远离第一电极层的一侧，焊盘与第二电极层电连接，减少了电子的传输路径，降低了电子在传输过程中的流失，增强了电子传输速度，从而增强了探测效率。附图说明图1为本技术实施例提供的一种核辐射探测器的结构示意图；图2为本技术实施例提供的另一种核辐射探测器的结构示意图；图3为本技术实施例提供的又一种核辐射探测器的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本技术，而非对本技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本技术相关的部分而非全部结构。本技术实施例提供了一种核辐射探测器的结构示意图，参见图1，该核辐射探测器包括：核辐射探测单元10，包括第一电极层11；半导体材料层12，位于第一电极层11的一侧；第二电极层13，位于半导体材料层12远离第一电极层11的一侧，第一电极层11用于接受带电粒子的辐照；接收器20，接收器20包括焊盘21，位于核辐射探测单元10远离第一电极层11的一侧，焊盘21与第二电极层13电连接。包括半导体材料层12的核辐射探测器称之为半导体探测器，其工作原理具体如下：带电粒子辐照第一电极层11，半导体材料层12内产生电子-空穴对，经由第二电极层13，通过接收器的焊盘21将电子-空穴对产生的电信号导出。在本实施例中，半导体材料层12的材料示例性的可以是硅。硅材料是核辐射探测器制备类型最为丰富、应用比较广泛的半导体材料，它和硅单晶生产业发展紧密相连，可结合具体的应用需求制备出多种电阻率的硅单晶，从而达成各类核辐射探测器所存在的实际需求。现有技术中的核辐射探测器，核辐射探测单元和接收器的焊盘之间有压块支撑，还会在核辐射探测单元的第二电极层和焊盘之间设置金属引线来传输电信号，导致电子传输速度较慢，探测效率较低，且核辐射探测器的重量较大。本技术公开的技术方案在核辐射探测单元和接收器的焊盘之间无需用压块支撑，减轻了核辐射探测器的重量，减小了探测器体积，便于运输保存；且无需在核辐射探测单元10的第二电极层13和焊盘21之间设置金属引线来传输电信号，接收器20的焊盘21，位于核辐射探测单元10远离第一电极层11的一侧，焊盘21与第二电极层13电连接，减少了电子的传输路径，降低了电子在传输过程中的流失，增强了电子传输速度，从而增强了探测效率。可选地，在上述技术方案的基础上，参见图2，接收器20在第二电极层13远离半导体材料层12的一侧设置有金属触点24，金属触点24与焊盘21通过焊盘21固定连接。金属触点24的制备方法可以是：在第二电极层13远离半导体材料层12的一侧使用电子束热蒸发的方法蒸发一层小面积的金属锡，用点焊将接收器的焊盘焊接在金属锡上。可选地，在上述技术方案的基础上，参见图2，该核辐射探测器还包括环形保护层30，位于第一电极层11远离半导体材料层12的一侧。环形保护层30用于保护核辐射探测单元10。可选地，环形保护层30可以采用非金属材料，相比金属材料，不易变形，不易受温度影响，金属材质的环形保护层如果温度上升时，会增大漏电流，导致核辐射探测器的探测能力下降。可选地，可以在环形保护层30的表面镀金，使用银浆与核辐射探测单元10的第一电极层11粘连在一起。可选地，在上述技术方案的基础上，参见图2和图3，该核辐射探测器还包括防氧化管壳40，防氧化管壳40包括环形底面41和管壳侧壁42，环形底面41位于环形保护层30远离第一电极层11的一面；环形保护层30、核辐射探测单元10以及接收器20设置在防氧化管壳40内；环形底面41在核辐射探测单元10的正投影位于环形保护层30在核辐射探测单元10的正投影内。可选地，防氧化管壳40的制备方法可以是：防氧化管壳40采用铝制金属，表面镀金，起到防止氧化的作用。防氧化管壳40可以防止核辐射探测单元10被氧化，漏电流增大的问题。可选地，在上述技术方案的基础上，参见图2和图3，接收器还包括导电针22；位于焊盘21远离第二电极层13的一侧；环形保护套23，位于焊盘21远离第二电极层13的一侧，且包围导电针22。导电针22与焊盘21电连接，将电子-空穴对产生的电信号导出。环形保护套23可以起到保护导电针22，避免其受外力损毁的作用。可选地，在上述技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种核辐射探测器，其特征在于，包括：/n核辐射探测单元，包括第一电极层；半导体材料层，位于所述第一电极层的一侧；第二电极层，位于所述半导体材料层远离所述第一电极层的一侧，所述第一电极层用于接受带电粒子的辐照；/n接收器，所述接收器包括焊盘，位于所述核辐射探测单元远离所述第一电极层的一侧，所述焊盘与所述第二电极层电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种核辐射探测器，其特征在于，包括：
核辐射探测单元，包括第一电极层；半导体材料层，位于所述第一电极层的一侧；第二电极层，位于所述半导体材料层远离所述第一电极层的一侧，所述第一电极层用于接受带电粒子的辐照；
接收器，所述接收器包括焊盘，位于所述核辐射探测单元远离所述第一电极层的一侧，所述焊盘与所述第二电极层电连接。


2.根据权利要求1所述的核辐射探测器，其特征在于，所述接收器在所述第二电极层远离所述半导体材料层的一侧设置有金属触点，所述金属触点与所述焊盘固定连接。


3.根据权利要求1所述的核辐射探测器，其特征在于，还包括环形保护层，位于所述第一电极层远离所述半导体材料层的一侧。


4.根据权利要求3所述的核辐射探测器，其特征在于，还包括防氧化管壳，所述防氧化管壳包括环形底面和管壳侧壁，所述环形底面位于所述环形保护层远离所述第一电极层的一面；
所述环形保护层、所述核辐射探测单元以及所述接收器设置在所述防氧化管壳内；
所述环形底面在所述核辐射探测单元的正投影位于所述环形保护层在所述核辐射探测单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：马骏，徐志斌，余寒雨，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32