【技术实现步骤摘要】
微机电系统传感器的封装方法和封装结构
本专利技术涉及电子器件封装
，特别涉及一种微机电系统传感器的封装方法和封装结构。
技术介绍
MEMS(MicroElectroMechanicalSystems，微机电系统)电容式传感器是基于MEMS工艺制作出的电容极板，MEMS传感器依据外界环境变化转换为电容变化，从而实现传感器的电信号转换。目前，MEMS传感器的封装方式通常采用金锡键合封装，但是，在封装过程中，由于先依次制作电极层和电镀锡，然后采用湿法腐蚀电极层得到电极结构，在采用湿法腐蚀电极层时，腐蚀液往往会优先腐蚀电镀锡，造成封装失败。上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提供一种微机电系统传感器的封装方法和封装结构，旨在解决腐蚀液在腐蚀电极层时优先腐蚀电镀锡而造成封装失败的问题。为实现上述目的，本专利技术提出的微机电系统传感器的封装方法，包括以下步骤：在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电...
【技术保护点】
1.一种微机电系统传感器的封装方法，其特征在于，所述微机电系统传感器包括上盖板和设置于所述上盖板下方的下盖板，所述封装方法包括以下步骤：/n在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电容电极结构，并在所述第一封装电极结构的下表面制作第一键合结构；/n在下盖板的上表面对应所述第一封装电极结构制作第二封装电极结构，对应所述第一电容电极结构制作第二电容电极结构；/n在所述下盖板的上表面制作导电铝层，所述导电铝层覆盖所述第二封装电极结构、所述第二电容电极结构及所述下盖板的上表面；/n对所述导电铝层进行腐蚀，得到暴露所述第二封装电极结构的电镀区域，在所述电镀区域内电镀第二键合结构，并...
【技术特征摘要】
1.一种微机电系统传感器的封装方法，其特征在于，所述微机电系统传感器包括上盖板和设置于所述上盖板下方的下盖板，所述封装方法包括以下步骤：
在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电容电极结构，并在所述第一封装电极结构的下表面制作第一键合结构；
在下盖板的上表面对应所述第一封装电极结构制作第二封装电极结构，对应所述第一电容电极结构制作第二电容电极结构；
在所述下盖板的上表面制作导电铝层，所述导电铝层覆盖所述第二封装电极结构、所述第二电容电极结构及所述下盖板的上表面；
对所述导电铝层进行腐蚀，得到暴露所述第二封装电极结构的电镀区域，在所述电镀区域内电镀第二键合结构，并去除剩余的导电铝层；
将所述上盖板的所述第一键合结构对准所述下盖板的所述第二键合结构，进行键合封装。
2.如权利要求1所述的微机电系统传感器的封装方法，其特征在于，在上盖板的下表面制作第一封装电极结构和第一电容电极结构的步骤中，包括：
在上盖板的下表面沉积第一粘附层，在第一粘附层的下表面沉积第一种子层；
对所述第一种子层和所述第一粘附层进行刻蚀腐蚀，得到第一封装电极结构和第一电容电极结构。
3.如权利要求2所述的微机电系统传感器的封装方法，其特征在于，对所述第一种子层和所述第一粘附层进行刻蚀腐蚀，得到第一封装电极结构和第一电容电极结构的步骤之前，还包括：
在所述第一种子层的下表面设置第一光刻胶结构，所述第一光刻胶结构部分覆盖所述第一种子层；
对所述第一种子层和所述第一粘附层进行刻蚀腐蚀，得到第一封装电极结构和第一电容电极结构的步骤包括：
将未被所述第一光刻胶结构覆盖的第一种子层和对应第一粘附层进行刻蚀腐蚀，并去除所述第一光刻胶结构，得到第一封装电极结构和第一电容电极结构。
4.如权利要求1所述的微机电系统传感器的封装方法，其特征在于，在下盖板的上表面对应所述第一封装电极结构制作第二封装电极结构，对应所述第一电容电极结构制作第二电容电极结构的步骤中，包括：
在下盖板的上表面沉积第二粘附层，在第二粘附层的上表面沉积第二种子层；
对所述第二种子层和所述第二粘附层进行刻蚀腐蚀，得到第二封装电极结构和第二电容电极结构，所述第二封装电极结构对应所述第一封装电极结构，所述第二电容电极结构对应所述第一电容电极结构。
5.如权利要求4所述的微机电系统传感器的封装方法，其特征在于，对所述第二种子层和所述第二粘附层进行刻蚀腐蚀，得到第二封装电极结构和第二电容电极结构的步骤之前，还包括：
在所述第二种子层的上表面设置第二光刻胶...
【专利技术属性】
技术研发人员：邱文瑞，王德信，
申请(专利权)人：青岛歌尔智能传感器有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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