通讯信号增强装置制造方法及图纸

技术编号:23952331 阅读:60 留言:0更新日期:2020-04-25 15:38
通讯信号增强装置,包括选频电路、放大滤波电路和功率增强发射电路,输入端输入的通讯信号耦合后送入LC电路进行选频,滤除非通讯信号频段的杂波,再由MOS管放大流入放大滤波电路的输入端,放大滤波电路由二阶RC滤波器和同向比例运放器A1组成,选频电路输出信号经二阶RC滤波器处理后流入运放器A1进行放大,使信号达到通讯频率范围和幅值范围内,有效地提高滤波的性能,使稳定信号并降低噪声,采用三极管VT1‑VT3组成复合管对信号进行功率放大,减少了静态损耗,有效地提高了信号功率,从而使发射信号得到极大增强,具有很大的开发价值和实用价值。

Communication signal enhancement device

【技术实现步骤摘要】
通讯信号增强装置
本技术涉及通讯信号领域,特别是涉及通讯信号增强装置。
技术介绍
随着我国信息化进程的加快,通讯工程也取得了巨大的进步,现代社会生产和生活信息的需求越来越高,给通讯信号传输也带来很大的挑战,尤其是通讯信号的增强,而信号增强往往伴随着噪声信号干扰也将变大,信号也会不稳定,这就要求既要有效地增强通讯信号强度,同时又要保证通讯信号的准确性和稳定性,这个过程需要不断地去优化。
技术实现思路
针对上述情况,为克服现有技术之缺陷,本技术提供了通讯信号增强装置,具有构思巧妙、人性化设计的特性,可以在通讯信号增强时有效地降低噪声,保证通讯信号的准确性和稳定性。本技术的技术方案是:包括依次连接的选频电路、放大滤波电路和功率增强发射电路,所述选频电路用于对输入端输入的通讯信号进行耦合、选频和放大输出;所述放大滤波电路用于对选频电路的输出信号进行放大;所述功率增强发射电路用于增强放大滤波电路的输出信号,并由信号发射器发射。所述选频电路包括电容C1,电容C1将输入端输入的通讯信号耦合后,由电感L1和电容C2组成的LC电路进行选频,选频后的信号流入MOS管Q1的栅极,经MOS管Q1放大后在其漏极输出,+12V电源通过电阻R1连接MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的源极接地。所述放大滤波电路包括电阻R2、电阻R3、电容C3和电容C4,电阻R2和电容C3组成一阶RC滤波接收所述选频电路输出信号,经一阶RC滤波处理后一部分流入所述功率增强发射电路的输入端,另一部分经电阻R3和电容C4组成二阶RC滤波后流入运放器A1同向输入端,运放器A1的反向输入端与电阻R4的一端和电阻R5的一端连接,电阻R4的另一端接地,电阻R5的另一端与运放器A1的输出端连接。所述功率增强发射电路包括电容C5,电容C5将放大滤波电路的输出信号耦合后送入三极管VT1的基极,经三极管VT1放大后在其集电极输出,一部分流入三极管VT3的基极,另一部分经电阻R7分压后流入三极管VT2的基极,三极管VT2、VT3采用共发射极接法将信号放大并在集电极输出,经电容C6耦合后由信号发射器E1发射,电阻R6的一端与三极管VT2的基极连接,电阻R6的另一端与+12V电源和三极管VT2的集电极连接,三极管VT1的发射极与三极管VT3的集电极连接并接地。与现有技术相比,本技术的有益效果如下:1.输入端输入的通讯信号耦合后送入LC电路进行选频,滤除非通讯信号频段的杂波,再由MOS管放大流入放大滤波电路的输入端,放大滤波电路由二阶RC滤波器和同向比例运放器A1组成,选频电路输出信号经二阶RC滤波器处理后流入运放器A1进行放大,使信号达到通讯频率范围和幅值范围内,有效地提高滤波的性能,使稳定信号并降低噪声,具有很大的开发价值和实用价值。2.采用三极管VT1-VT3组成复合管对信号进行功率放大,三级管VT1对信号进行初步放大,三极管VT2、VT3组成共集电极推挽放大电路,减少了静态损耗,有效地提高了信号功率,从而使发射信号得到极大增强。附图说明图1为本技术的电路模块图;图2为本技术的电路原理图。具体实施方式有关本技术的前述及其他
技术实现思路
、特点与功效,在以下配合参考附图1至附图2对实施例的详细说明中,将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的结构内容,均是以说明书附图为参考。通讯信号增强装置,包括选频电路、放大滤波电路和功率增强发射电路,所述选频电路对输入端输入的通讯信号进行耦合后,送入LC电路对通讯信号进行选频后由MOS管放大输出,流入所述放大滤波电路的输入端,所述放大滤波电路由二阶RC滤波器和同向比例运放器A1组成,选频电路输出信号经二阶RC滤波器处理后流入运放器A1进行放大,所述功率增强发射电路接收所述放大滤波电路的输出信号,经耦合后由三极管VT1-VT3组成复合管将信号增强,并由信号发射器发射。所述选频电路包括电容C1,由于输入的通讯信号存在一些杂波,为了避免杂波干扰,采用电容C1将输入端输入的通讯信号耦合后,由电感L1和电容C2组成的LC电路进行选频,选频后的信号流入MOS管Q1的栅极,经MOS管Q1放大后在其漏极输出,+12V电源通过电阻R1连接MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的源极接地。所述放大滤波电路包括电阻R2、电阻R3、电容C3和电容C4,电阻R2、电阻R3、电容C3和电容C4组成二阶RC滤波器,经过LC滤波后的信号较为微弱且不稳定,采用电阻R2和电容C3组成一阶RC滤波接收所述选频电路输出信号,经一阶RC滤波处理后一部分流入所述功率增强发射电路的输入端,另一部分经电阻R3和电容C4组成二阶RC滤波后流入运放器A1同向输入端进行放大,使信号达到通讯频率范围和幅值范围内,有效地提高滤波的性能,使稳定信号并降低噪声,运放器A1的反向输入端与电阻R4的一端和电阻R5的一端连接,电阻R4的另一端接地,电阻R5的另一端与运放器A1的输出端连接。所述功率增强发射电路包括电容C5,电容C5将所述放大滤波电路输出信号耦合后送入三极管VT1的基极,为了有效地增强通讯信号,采用三极管VT1-VT3组成复合管对信号进行功率放大,三级管VT1对信号进行初步放大并在其集电极输出,三极管VT2、VT3组成共集电极推挽放大电路,三极管VT1放大后一部分流入三极管VT3的基极,另一部分经电阻R7分压后流入三极管VT2的基极,三极管VT2、VT3采用共发射极接法将信号放大并在集电极输出,减少了静态损耗,有效地提高了信号功率,最后经电容C6耦合后由信号发射器E1发射,电阻R6的一端与三极管VT2的基极连接,电阻R6的另一端与+12V电源和三极管VT2的集电极连接,三极管VT1的发射极与三极管VT3的集电极连接并接地。本技术具体使用时,为了避免杂波干扰,采用电容C1将输入端输入的通讯信号耦合后,由电感L1和电容C2组成的LC电路进行选频后经MOS管放大输出,经过LC滤波后的信号较为微弱且不稳定,采用电阻R2和电容R3组成一阶RC滤波接收选频电路输出信号,经一阶RC滤波处理后一部分流入功率增强发射电路的输入端,另一部分经电阻R3和电容C4组成二阶RC滤波后流入运放器A1同向输入端进行放大,使信号达到通讯频率范围和幅值范围内,有效地提高滤波的性能,使稳定信号并降低噪声,采用三极管VT1-VT3组成复合管对放大滤波电路输出信号进行功率放大,三级管VT1对信号进行初步放大并在其集电极输出,三极管VT2、VT3组成共集电极推挽放大电路进一步放大,减少了静态损耗,有效地提高了信号功率,最后经电容C6耦合后由信号发射器E1发射,具有很大的开发价值和实用价值。以上所述是结合具体实施方式对本技术所作的进一步详细说明,不能认定本技术具体实施仅局限于此;对于本技术所属及相关
的技术人员来说,在基于本技术技术方案思路前提下,所作的拓展以及操作方法、数据的替换,都应当落在本技术保护范围之内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.通讯信号增强装置,其特征在于,包括依次连接的选频电路、放大滤波电路和功率增强发射电路,/n所述选频电路用于对输入端输入的通讯信号进行耦合、选频和放大输出;/n所述放大滤波电路用于对选频电路的输出信号进行放大;/n所述功率增强发射电路用于增强放大滤波电路的输出信号,并由信号发射器发射。/n

【技术特征摘要】
1.通讯信号增强装置,其特征在于,包括依次连接的选频电路、放大滤波电路和功率增强发射电路,
所述选频电路用于对输入端输入的通讯信号进行耦合、选频和放大输出;
所述放大滤波电路用于对选频电路的输出信号进行放大;
所述功率增强发射电路用于增强放大滤波电路的输出信号,并由信号发射器发射。


2.根据权利要求1所述通讯信号增强装置,其特征在于,所述选频电路包括电容C1,电容C1将输入端输入的通讯信号耦合后,由电感L1和电容C2组成的LC电路进行选频,选频后的信号流入MOS管Q1的栅极,经MOS管Q1放大后在其漏极输出,+12V电源通过电阻R1连接MOS管Q1的漏极,MOS管Q1的源极接地。


3.根据权利要求1或2所述通讯信号增强装置,其特征在于,所述放大滤波电路包括电阻R2、电阻R3、电容C3和电容C4,电阻R2和电容C3组成一阶RC滤波接收选频...

【专利技术属性】
技术研发人员:田松张正洋吴鹏朱凯潘康付蕾尹卫俊
申请(专利权)人:国网江苏省电力有限公司宝应县供电分公司国网江苏省电力有限公司扬州供电分公司国网江苏省电力有限公司
类型:新型
国别省市:江苏;32

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