【技术实现步骤摘要】
一种半导体单片集成电路的光刻设备
本技术涉及集成电路的光刻
,具体是一种半导体单片集成电路的光刻设备。
技术介绍
光刻技术是指在光照作用下,借助光致抗蚀剂(又名光刻胶)将掩膜版上的图形转移到基片上的技术,其主要过程为:首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学反应,经曝光系统将预制在掩模版上的器件或电路图形按所要求的位置,精确传递到预涂在晶片表面或介质层上的光致抗蚀剂薄层上;再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶,使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上,利用化学或物理方法,将抗蚀剂薄层未掩蔽的晶片表面或介质层除去,从而在晶片表面或介质层上获得与抗蚀剂薄层图形完全一致的图形。集成电路各功能层是立体重叠的,因而光刻工艺总是多次反复进行。但是,现有光刻技术中不能随意调节光刻组件与工作台的距离,而且现有的光刻设备不能在工作台上端移动,不方便工作人员的工作。因此,本领域技术人员提供了一种半导体单片集成电路的光刻设备,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。技术内 ...
【技术保护点】
1.一种半导体单片集成电路的光刻设备,包括底座(7),其特征在于,所述底座(7)上表面两端分别设置有收缩杆(6),且底座(7)上表面设置有喷胶台(11),所述喷胶台(11)一侧设置有软烘曝光台(9),所述软烘曝光台(9)一侧设置有刻蚀台(8),所述收缩杆(6)上端设置有移动杆(4),且收缩杆(6)一侧设置有固定螺丝(5),所述移动杆(4)上端连接有背墙(3),所述背墙(3)一侧设置有移动轨道(2),所述移动轨道(2)下端设置有光刻组件(10)。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体单片集成电路的光刻设备,包括底座(7),其特征在于,所述底座(7)上表面两端分别设置有收缩杆(6),且底座(7)上表面设置有喷胶台(11),所述喷胶台(11)一侧设置有软烘曝光台(9),所述软烘曝光台(9)一侧设置有刻蚀台(8),所述收缩杆(6)上端设置有移动杆(4),且收缩杆(6)一侧设置有固定螺丝(5),所述移动杆(4)上端连接有背墙(3),所述背墙(3)一侧设置有移动轨道(2),所述移动轨道(2)下端设置有光刻组件(10)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体单片集成电路的光刻设备,其特征在于,所述光刻组件(10)包括移动器(1)、烘干器(12)、光刻胶杆(13)、激光器(14)和热源(15),所述移动器(1)下端连接有热源(15),所述热源(15)两端设置有光刻胶杆(13),所述光刻胶杆(13)与热源(15)底端连接有烘干器(12),所述烘干器(12)下方设置有激光器(14)。
3.根据权利要求1所述的一种半导体单片集成电路的光刻设备,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:李子考,喻凤翔,
申请(专利权)人:盐城华旭光电技术有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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