新型三嗪衍生物以及包含该三嗪衍生物的光敏组合物制造技术

本发明专利技术涉及由下述[化学式A]至[化学式C]中的任意一个表示的化合物以及包括该化合物的光敏组合物，由所述[化学式A]至[化学式C]中的任意一个表示的化合物的结构如发明专利技术的详细说明所记载。

New triazine derivatives and photosensitive compositions containing the triazine derivatives

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】新型三嗪衍生物以及包含该三嗪衍生物的光敏组合物
本专利技术涉及新型三嗪衍生物以及包括该三嗪衍生物的光敏组合物，更详细地，涉及在光交联工序后的折射率高，并且在光学材料的制造工序中固化性能优异，在固化后透射率高，且具有优异的耐黄变特性的新型三嗪衍生物以及包括该三嗪衍生物的光敏组合物。
技术介绍
液晶显示装置(LCD：liquidcrystaldisplay)包含包括基膜和形成在基膜上的光学图案的光学片，在光学片下方可以布置有导光板，或者在光学片和导光板之间还可以布置有其他光学片。此处，光学片的种类有反射片(reflectorsheet)、扩散片(diffusersheet)、棱镜片(prismsheet)、微透镜等，这种光学片可以用于提高背光单元的亮度。光学片以通过折射从背光的导光板发出的光而使其经过液晶后射出到画面的方式增加射出的光的亮度，为了提高液晶显示装置的亮度，棱镜以及DBED等光学片应当具有高折射率。尤其是，随着LCD面板制造技术的发展，对薄且亮度高的LCD显示装置的需求变高，因此，进行了多种用于提高背光单元的亮度的尝试。然而，现有的高折射单体由于折射率低，因此在呈现提高亮度的效果上具有限制，并且，在提高光学片的折射率的方面也具有光学片上发生黄变现象等的问题。此外，作为与高折射单体相关的现有的技术，韩国授权专利公报第10-1692343号(2016.12.28)以及韩国公开专利公报第10-2017-0013674号(2017.02.07)将丙烯酸类单体作为高折射单体进行了公开。然而，即便包括所述现有技术的目前的技术，为了提高液晶显示装置的亮度，目前仍然需要透射率和耐黄变特性优异，且具有高折射特性的高折射单体材料，因此，正在持续需要开发新的高折射单体。
技术实现思路
技术问题因此，本专利技术期望解决的第一个技术问题为提供一种能够作为单体而使用于具有高透射率，且具有优异的光交联特性以及耐黄变特性，尤其具有高折射特性的光敏组合物中的新型三嗪衍生物化合物。并且，根据本专利技术的第二个技术问题为提供包括所述三嗪衍生物化合物的光敏组合物以及将该光敏组合物聚合而得到的光学物品。技术方案为了所述问题，本专利技术提供由下述[化学式A]至[化学式C]中的任意一个表示的化合物，在所述[化学式A]，所述Ra是选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C6的烷基中的任意一个取代基，所述L1是选自单键、O、S、-N(-R5)-中的任意一个，所述L2是选自单键、O、S、-N(-R6)-中的任意一个，所述X1至X3分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、O、S、-N(-R7)-、-O((CH2)mO)n-中的任意一个，所述m和n分别彼此相同或者相异，且彼此独立地为选自1至4中的整数，在所述X1至X3中的两个以上分别选择-N(-R7)-或者所述所述X1至X3中的两个以上分别选择-O((CH2)mO)n的情形下，各-N(-R7)-和-O((CH2)mO)n分别彼此相同或者相异，所述R4至R7分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C6-C50的芳基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C7-C24的芳烷基中的中的任意一个，所述W1为选自单键、被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C1-C12的亚烷基中的任意一个，所述W2和W3分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、被取代或未被取代的C1-C30的亚烷基、被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的亚烯基、被取代或未被取代的C3-C30的环亚烷基、被取代或未被取代的C5-C30的环亚烯基、被取代或未被取代的C2-C50的杂亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂环亚烷基中的任意一个，所述Y1和Y2分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基、被取代或未被取代的C2-C30的烯基、被取代或未被取代的C2-C20的炔基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C5-C30的环烯基、被取代或未被取代的C2-C50的杂芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂环烷基、被取代或未被取代的C1-C30的烷基甲硅烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基甲硅烷基以及选自由下述[结构式1]或者[结构式2]表示的取代基中的任意一个，在所述[结构式1]和[结构式2]中，所述Rb和Rc分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C6的烷基中的任意一个，所述[结构式1]和[结构式2]内的“-*”分别表示与所述化学式A内的X2或者X3结合的结合键位，在所述[化学式B]中，所述Ar1为选自被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂亚芳基、被取代或未被取代的C1-C30的亚烷基、被取代或未被取代的C2-C30的亚烯基、被取代或未被取代的C3-C30的环亚烷基、被取代或未被取代的C5-C30的环亚烯基中的中的任意一个，L6是选自单键、O、S、-N(-R11)-中的任意一个，L7是选自单键、O、S、-N(-R12)-中的任意一个，在所述[化学式C]中，所述Ar2是选自氢、重氢、被取代或未被取代的C6-C30的芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂芳基、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C2-C30的烯基、被取代或未被取代的C5-C30的环烯基中的任意一个，在所述[化学式B]至[化学式C]中，所述Rd为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C6的烷基中的任意一个取代基，所述L3至L5分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、O、S、-N(-R9)-中的任意一个，在所述L3至L5中的两个以上分别选择-N(-R9)-的情形下，各-N(-R9)彼此相同或者相异，所述X4至X7分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、O、S、-N(-R10)-、-O((CH2)mO)n-中的任意一个，所述m和n分别彼此相同或者相异，且彼此独立地为选自1至4中的整数，在所述X4至X7中的两个以上分别选择-N(-R10)-，或者所述X4至X7中的两个以上分别选择-O((CH2)mO)n-的情形下，各-N(-R10)-以及-O((CH2)mO)n-相同或者相异，所述R8至R12分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C7-C24的芳烷基中的任意一个，所述W4为选自单键、被取本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化合物，所述化合物由下述[化学式A]至[化学式C]中的任意一个表示，/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170913 KR 10-2017-0117396;20180907 KR 10-2018-011.一种化合物，所述化合物由下述[化学式A]至[化学式C]中的任意一个表示，



在所述[化学式A]，
所述Ra是选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C6的烷基中的任意一个取代基，
所述L1是选自单键、O、S、-N(-R5)-中的任意一个，
所述L2是选自单键、O、S、-N(-R6)-中的任意一个，
所述X1至X3分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、O、S、-N(-R7)-、-O((CH2)mO)n-中的任意一个，所述m和n分别彼此相同或者相异，且彼此独立地为选自1至4中的整数，在所述X1至X3中的两个以上分别选择-N(-R7)-或者所述所述X1至X3中的两个以上分别选择-O((CH2)mO)n-的情形下，各-N(-R7)-和-O((CH2)mO)n-分别彼此相同或者相异，
所述R4至R7分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C6-C50的芳基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C7-C24的芳烷基中的中的任意一个，
所述W1为选自单键、被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C1-C12的亚烷基中的任意一个，
所述W2和W3分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、被取代或未被取代的C1-C30的亚烷基、被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的亚烯基、被取代或未被取代的C3-C30的环亚烷基、被取代或未被取代的C5-C30的环亚烯基、被取代或未被取代的C2-C50的杂亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂环亚烷基中的任意一个，
所述Y1和Y2分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基、被取代或未被取代的C2-C30的烯基、被取代或未被取代的C2-C20的炔基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C5-C30的环烯基、被取代或未被取代的C2-C50的杂芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂环烷基、被取代或未被取代的C1-C30的烷基甲硅烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基甲硅烷基以及由下述[结构式1]或者[结构式2]表示的取代基中的任意一个，



在所述[结构式1]和[结构式2]中，
所述Rb和Rc分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C6的烷基中的任意一个，
所述[结构式1]和[结构式2]内的“-*”分别表示与所述化学式A内的X2或者X3结合的结合键位，
[化学式B]



[化学式C]



在所述[化学式B]中，
所述Ar1为选自被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂亚芳基、被取代或未被取代的C1-C30的亚烷基、被取代或未被取代的C2-C30的亚烯基、被取代或未被取代的C3-C30的环亚烷基、被取代或未被取代的C5-C30的环亚烯基中的中的任意一个，
L6是选自单键、O、S、-N(-R11)-中的任意一个，
L7是选自单键、O、S、-N(-R12)-中的任意一个，
在所述[化学式C]中，
所述Ar2是选自氢、重氢、被取代或未被取代的C6-C30的芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂芳基、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C2-C30的烯基、被取代或未被取代的C5-C30的环烯基中的任意一个，
在所述[化学式B]至[化学式C]中，
所述Rd为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C6的烷基中的任意一个取代基，
所述L3至L5分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、O、S、-N(-R9)-中的任意一个，
在所述L3至L5中的两个以上分别选择-N(-R9)-的情形下，各-N(-R9)彼此相同或者相异，
所述X4至X7分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、O、S、-N(-R10)-、-O((CH2)mO)n-中的任意一个，所述m和n分别彼此相同或者相异，且彼此独立地为选自1至4中的整数，
在所述X4至X7中的两个以上分别选择-N(-R10)-，或者所述X4至X7中的两个以上分别选择-O((CH2)mO)n-的情形下，各-N(-R10)-以及-O((CH2)mO)n-相同或者相异，
所述R8至R12分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C7-C24的芳烷基中的任意一个，
所述W4为选自单键、被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C1-C12的亚烷基中的任意一个，
所述W5至W7分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自单键、被取代或未被取代的C1-C30的亚烷基、被取代或未被取代的C6-C30的亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的亚烯基、被取代或未被取代的C3-C30的环亚烷基、被取代或未被取代的C5-C30的环亚烯基、被取代或未被取代的C2-C50的杂亚芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂环亚烷基中的任意一个，
所述Y3至Y5分别彼此相同或者相异，彼此独立地为选自氢、重氢、被取代或未被取代的C1-C30的烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基、被取代或未被取代的C3-C30的环烷基、被取代或未被取代的C2-C50的杂芳基、被取代或未被取代的C2-C30的杂环烷基、被取代或未被取代的C1-C30的烷基甲硅烷基、被取代或未被取代的C6-C30的芳基甲硅烷基以及由下述[结构式1]或者[结构式2]表示的取代基中的任意一个，
[结构式1][结构式2]



在所述[结构式1]和[结构式2]中，
所述Rb...

【专利技术属性】
技术研发人员：李圭成，文奉锡，陈成民，姜智胜，河民秀，朴鲁吉，李铉雨，边优根，
申请(专利权)人：株式会社特雷尔，
类型：发明
国别省市：韩国;KR