一种硅基Micro OLED微显示器阳极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种硅基Micro OLED微显示器阳极及其制备方法，采用清洗→涂布→曝光→显影→金属膜沉积→干法刻蚀灰化光刻胶→STR脱膜去胶的工艺进行制备，此工艺可避免传统的干法蚀刻金属膜过程中产生的污染，由于在STR脱膜去胶之前进行了干法刻蚀灰化光刻胶的预脱胶步骤，可避免光刻胶残留导致的电性不良等问题。

A silicon based micro OLED micro display anode and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种硅基MicroOLED微显示器阳极及其制备方法
本专利技术属于硅基MicroOLED微显示领域，具体涉及一种硅基MicroOLED微显示器阳极及其制备方法。
技术介绍
随着目前市场对显示器件的多样性及高性能性的需求扩大，极大的推动着显示技术的发展。其中OLED(OrganicLight-EmittingDiode)器件，因其自发光，不需要背光、更轻薄，以及其拥有高亮度，高对比度，视角宽，驱动电压低，能耗少等一系列优势，受到越来越多的人们所青睐。故目前也越来越多的公司加大对OLED技术的研究投入。目前OLED市场中，AR/VR及军用头盔显示，枪瞄等需求越来越大，与之对应的硅基MicroOLED微显示技术也在飞速发展。与常规的利用非晶硅、微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件不同的是，硅基OLED微显示器件以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件。单晶硅芯片采用现有成熟的集成电路CMOS工艺，不但实现了显示屏像素的有源寻址矩阵，还在硅芯片上实现了如SRAM存储器、T-CON等多种功能的驱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硅基Micro OLED微显示器阳极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：/n(1)将已完成PAD及阴极环且具备驱动CMOS电路的硅基衬底清洗；/n(2)在硅基衬底上进行光刻胶涂布；/n(3)对已进行过光刻胶涂布的硅片进行曝光；/n(4)对已进行过光刻胶曝光的硅片进行显影/n(5)在已进行显影后的硅片上进行阳极层金属膜沉积，依次成膜Ti/TiN/Al/Ti/TiN/ITO；/n(6)干法刻蚀灰化光刻胶；/n(7)STR脱膜去胶。/n

【技术特征摘要】
1.一种硅基MicroOLED微显示器阳极的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)将已完成PAD及阴极环且具备驱动CMOS电路的硅基衬底清洗；
(2)在硅基衬底上进行光刻胶涂布；
(3)对已进行过光刻胶涂布的硅片进行曝光；
(4)对已进行过光刻胶曝光的硅片进行显影
(5)在已进行显影后的硅片上进行阳极层金属膜沉积，依次成膜Ti/TiN/Al/Ti/TiN/ITO；
(6)干法刻蚀灰化光刻胶；
(7)STR脱膜去胶。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，选择负性光刻胶进行涂布，涂胶旋转速度控制在4000±500/rpm，前烘温度控制在90～110℃，前烘时间控制在90±10s间，膜厚控制在


3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)中还包括对曝光后的光刻胶进行后烘，后烘温度控制在105～115℃，后烘时间控制在100±10s；所述曝光强度180±10mj。


4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)中，显影液采用：2.38％TMAH，稳定控制显影温度在23℃，显影时间控制在70±10s。

【专利技术属性】
技术研发人员：曹贺，赵铮涛，李亮亮，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34