太阳能电池及其制造方法技术

技术编号:23936627 阅读:25 留言:0更新日期:2020-04-25 03:24
本公开涉及太阳能电池及其制造方法。用于制造太阳能电池的方法包括:将硅晶片放置到扩散炉内;控制扩散炉以使得扩散炉内的环境处于第一温度和第一压强;向扩散炉中供应磷源气体和氧气达第一时间段;控制扩散炉以使得扩散炉内的环境处于第一压强和第二温度,第二温度高于第一温度;向扩散炉中供应磷源气体和氧气达第二时间段,以在硅晶片的表面形成磷源层;以及将磷源层中的磷原子扩散到硅晶片中。本公开的实施例可以改善太阳能电池的扩散层的方块电阻的均匀性。

Solar cell and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
本公开涉及太阳能电池
,尤其涉及一种用于制造太阳能电池的扩散工艺。
技术介绍
随着光伏平价上网时代来临,光伏产业链各环节仍需不断进行技术革新,进一步降低度电成本。在太阳能电池的各个组成部分中,扩散层的质量是至关重要的,其直接影响所形成的p-n结以及最终得到的太阳能电池的性能。例如,扩散层的均匀性会影响太阳能电池的效率和产量。因此,如何获得均匀性良好的扩散层,目前仍是具有挑战性的课题。另外,在硅片端,大尺寸化正在成为行业发展趋势。硅片尺寸增加,能有效提升电池和组件生产线的产出量,降低每瓦生产成本,提升电池组件的功率和转换效率。然而,硅片尺寸增加的同时导致制造工艺中气体流量的分布均匀性较差,硅片受热的温度也更不均匀。类似地,制造工艺的管控也越来越难,例如,扩散后硅片的方块电阻均匀性变差等。
技术实现思路
本公开的实施例提供了一种用于制造太阳能电池的方法以及一种太阳能电池,以解决或至少部分地解决传统太阳能电池中的上述和其它潜在问题。在第一方面,提供了一种用于制造太阳能电池的方法本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造太阳能电池的方法,包括:/n将硅晶片放置到扩散炉内;/n控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境处于第一温度和第一压强;/n向所述扩散炉中供应磷源气体和氧气达第一时间段;/n控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境处于所述第一压强和第二温度,所述第二温度高于所述第一温度;/n向所述扩散炉中供应所述磷源气体和所述氧气达第二时间段,以在所述硅晶片的表面形成磷源层;以及/n将所述磷源层中的磷原子扩散到所述硅晶片中。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于制造太阳能电池的方法,包括:
将硅晶片放置到扩散炉内;
控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境处于第一温度和第一压强;
向所述扩散炉中供应磷源气体和氧气达第一时间段;
控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境处于所述第一压强和第二温度,所述第二温度高于所述第一温度;
向所述扩散炉中供应所述磷源气体和所述氧气达第二时间段,以在所述硅晶片的表面形成磷源层;以及
将所述磷源层中的磷原子扩散到所述硅晶片中。


2.根据权利要求1所述的方法,其中将所述磷源层中的磷原子扩散到所述硅晶片中包括:
控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境从所述第二温度增加到第三温度,并且在从所述第二温度增加为所述第三温度期间,向所述扩散炉中供应所述氧气,并且停止供应所述磷源气体;
根据所述扩散炉内的环境处于所述第三温度,停止供应所述氧气;以及
控制所述扩散炉以保持所述第三温度达第三时间段。


3.根据权利要求2所述的方法,其中控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境从所述第二温度增加到第三温度包括:
控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境从所述第二温度增加到第三温度并且从所述第一压强增加到第二压强。


4.根据权利要求3所述的方法,还包括:
根据磷原子被扩散至所述硅晶片中,控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的温度从所述第三温度降至第四温度;
控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境从所述第二压强降低至第三压强;
控制所述扩散炉以使得所述扩散炉内的环境从所述第四温度降低为第五温度,并且在此期间向所述扩散炉中供应所述磷源气体和所述氧气;以及
向所述扩散炉中供应所述磷源...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴慧敏林纲正陈刚
申请(专利权)人:浙江爱旭太阳能科技有限公司广东爱旭科技股份有限公司天津爱旭太阳能科技有限公司
类型:发明
国别省市:浙江;33

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