【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触结构的制备方法
本专利技术涉及太阳能电池制备
，具体涉及一种钝化接触结构的制备方法。
技术介绍
在晶体硅太阳能电池中，由于金属和半导体接触区域无钝化层，导致半导体表面裸露的悬挂键较容易捕获电子，使其金属接触区域的复合增加。为了降低此类复合，目前市场上主流的晶体硅电池，大多采用浅结高方阻的发射极设计，但仍有很大的复合损失，对于P型硅电池，前表面金属接触区域的暗饱和电流密度为800～1000fA/cm2，对于N型硅电池，前表面接触区域的暗饱和电流密度为1000～2000fA/cm2。同时，前表面金属与半导体的接触属于局域接触，载流子需要通过二维传输才能被金属电极收集，存在一个横向传输的过程，导致载流子传输损耗，也会增加非接触区域的复合增加。随着太阳电池技术的发展，人们对效率的要求越来越高。为了进一步降低金属接触复合，同时实现载流子的一维传输，钝化接触的概念引起了大家的关注。它的结构主要是将超薄隧穿氧化层与重掺杂的多晶硅层相结合沉积在硅衬底表面。硅衬底和多晶硅层之间的界面复合可以通过氧化硅的化学钝化作用降...
【技术保护点】
1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n（1）对硅衬底进行清洗处理；/n（2）在经过步骤（1）清洗处理后的硅衬底表面制备单面n+掺杂层或p+掺杂层；/n（3）基于步骤（2），在硅衬底的非掺杂面沉积一层隧穿氧化层；/n（4）采用PVD的方法在步骤（3）获得的隧穿氧化层表面沉积一层掺杂的多晶硅薄膜。/n
【技术特征摘要】
1.一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）对硅衬底进行清洗处理；
（2）在经过步骤（1）清洗处理后的硅衬底表面制备单面n+掺杂层或p+掺杂层；
（3）基于步骤（2），在硅衬底的非掺杂面沉积一层隧穿氧化层；
（4）采用PVD的方法在步骤（3）获得的隧穿氧化层表面沉积一层掺杂的多晶硅薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述硅衬底为磷掺杂的N型硅或硼掺杂的P型硅，所述N型硅或P型硅表面为抛光面、刻蚀面、或制绒面；所述硅衬底电阻率为0.5~10Ω∙cm。
3.根据权利要求1所述的一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，步骤（1）中，所述硅衬底清洗处理的具体方法为：将硅衬底置于NaOH:H2O2:H20=1:2:30摩尔比的溶液中进行预清洗处理；再将预清洗处理后的硅衬底置于质量分数为30%的NaOH溶液中进行反应；再将经过NaOH处理的硅衬底放入HF/HCL混合液中，去除残留的碱；最后将所述硅衬底放入去离子水中，冲洗残留酸后，热风吹干。
4.根据权利要求1所述的一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，在经过清洗处理后的硅衬底表面制备单面n+掺杂层或p+掺杂层的方法主要有旋涂法、离子注入法、高温热扩散法；其中，采用高温热扩散法时包括如下步骤：①在石英舟上以背靠背双插模式对硅片衬底进行插片；②将插好硅片的石英舟通过驱动装置放进扩散管中；③选择所需扩散工艺，并运行工艺，其中，扩散管为常压管，采用三溴化硼或三氯氧磷作为扩散源，扩散温度850~1200℃，时间50~80min，制备出n+掺杂层的方阻30~80Ω/sqr或p+掺杂层的方阻70~110Ω/sqr；其中，制备出的n+掺杂层或p+掺杂层的掺杂面称之为正面，非掺杂面称之为背面。
5.根据权利要求4所述的一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，采用高温热扩散法制备n+掺杂层或p+掺杂层时，管内石英舟上硅衬底的插片方式为非掺杂面背靠背双插模式。
6.根据权利要求1所述的一种钝化接触结构的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，制备出的n+掺杂层的方阻30~80Ω/sqr；或，制备出的p+掺杂层的方阻70~110Ω/sqr。
7.根据权利要求1所述的一种钝化接触结构的制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉，赵影文，马丽敏，林建伟，刘志锋，
申请(专利权)人：江苏杰太光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。