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本发明涉及一种钝化接触结构的制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)对硅片衬底进行清洗处理；(2)在经过清洗处理后的硅片表面制备单面n+或p+掺杂层；(3)在非掺杂面沉积一层隧穿氧化层；(4)采用PVD的方法在隧穿氧化层表面沉积一层掺杂的多...
该专利属于江苏杰太光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏杰太光电技术有限公司授权不得商用。

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