【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池的制备工艺
本专利技术属于太阳能电池
，具体涉及一种太阳能电池的制备工艺。
技术介绍
晶硅PERC电池结构是现今硅基太阳能电池技术发展的主流方向。对于PERC电池技术而言，P型电池背表面氧化铝薄膜优良的钝化使其对长波光线的响应十分优秀，这种电池的光电转换效率可达22％以上。此时，电池片受光面(正面，也叫做前表面)金属电极与硅片接触处严重的少子复合就成为限制电池效率进一步提高的瓶颈。因此，设法降低甚至消除受光面金属与半导体硅片接触的面积是PERC太阳能电池设计和优化的方向之一。将钝化接触技术运用于PERC电池正面结构可以降低正面金属-半导体复合程度，能提高电池的开路电压。德国弗劳恩霍夫太阳能研究所(FraunhoferISE)在2014年提出了P型钝化接触电池的结构。该钝化接触电池结构包括P型晶体硅基体，电池受光面由内而外依次为P-N结，超薄隧穿钝化层，掺杂多晶硅或非晶硅层，减反射钝化介质层和导电金属电极。这种晶硅电池正面导电浆料和局部区域掺杂多晶硅或者非晶硅接触以完成正面载流子的收集与导通。由于隧...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：/nS1：在硅基体(1)的至少一个表面上设置本征硅层(4)；/nS2：在所述本征硅层(4)上设置掺杂源层；/nS3：使与所述本征硅层(4)预设区域对应位置处的所述掺杂源层的掺杂源分解出掺杂离子并使所述掺杂离子进入所述本征硅层(4)的预设区域，在所述本征硅层(4)的预设区域形成掺杂区域(5)，同时在所述掺杂区域(5)上形成有含掺杂源的氧化硅保护层(6)；/nS4：去除所述本征硅层(4)上设置有掺杂源层的未掺杂区域，在所述硅基体(1)的至少一个表面上形成局部掺杂硅层(7)。/n
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制备工艺，包括以下步骤：
S1：在硅基体(1)的至少一个表面上设置本征硅层(4)；
S2：在所述本征硅层(4)上设置掺杂源层；
S3：使与所述本征硅层(4)预设区域对应位置处的所述掺杂源层的掺杂源分解出掺杂离子并使所述掺杂离子进入所述本征硅层(4)的预设区域，在所述本征硅层(4)的预设区域形成掺杂区域(5)，同时在所述掺杂区域(5)上形成有含掺杂源的氧化硅保护层(6)；
S4：去除所述本征硅层(4)上设置有掺杂源层的未掺杂区域，在所述硅基体(1)的至少一个表面上形成局部掺杂硅层(7)。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是，步骤S3中，通过激光对所述掺杂源的预设区域进行加热使所述掺杂源层预设区域的掺杂源分解出掺杂离子并使所述掺杂离子进入所述本征硅层(4)，同时在所述掺杂区域(5)上形成有含掺杂源的氧化硅保护层(6)。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：步骤S1中所述的硅基体(1)为P型硅基体；在步骤S1之前，所述制备工艺还包括：对所述硅基体(1)进行制绒并形成P-N结(2)，再在形成P-N结(2)后的硅基体(1)的至少一个表面设置隧穿钝化层(3)；在步骤S1中，在隧穿钝化层(3)上设置本征硅层(4)。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池的制备工艺，其特征是：设...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈孝业，蒋秀林，
申请(专利权)人：晶澳太阳能有限公司，晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河北;13
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