使用法拉第笼的等离子体刻蚀方法技术

本说明书提供了使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。所述等离子体蚀刻方法包括：将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中的步骤；将石英基板设置在法拉第笼内部的步骤，所述石英基板在其一个表面上具有金属掩模，所述金属掩模中具有开口；以及其中使用等离子体蚀刻对石英基板进行蚀刻的图案化步骤。其中，法拉第笼的底表面包含具有比金属掩模更低的电离倾向的金属。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】使用法拉第笼的等离子体刻蚀方法
本说明书要求于2017年10月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0136547号的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。本说明书涉及使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法。
技术介绍
为了在显示器上向使用者显示期望的图像，可以使用用于改变可见光的状态的导光板。导光板可以通过反射、折射或衍射与入射的可见光相互作用，并且可以通过控制这种相互作用而允许使用者看到期望的图像。入射在导光板上的光可以与设置在导光板上的结构相互作用，并且可以发生衍射。这是由光的波动性引起的，并且可以通过光波的干涉来表达。当入射在导光板上的光遇到周期性结构时，光由于光的衍射而分成不同方向的光束，从而被使用者看到。为了在显示器上向使用者显示期望的图像，可以使用用于改变可见光的状态的导光板。导光板可以通过反射、折射或衍射与入射的可见光相互作用，并且可以通过控制这种相互作用而允许使用者看到期望的图像。入射在导光板上的光可以与设置在导光板上的结构相互作用，并且可以发生衍射。这是由光的波动性引起的，并且可以通过光波的干本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，包括：/n将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中；/n将石英基板设置在所述法拉第笼中，所述石英基板具有设置在其一个表面上的带有开口的金属掩模；以及/n通过用等离子体蚀刻对所述石英基板进行蚀刻来进行图案化，/n其中，所述法拉第笼的底表面包含具有比所述金属掩模更低的电离倾向的金属。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171020 KR 10-2017-01365471.一种使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，包括：
将在其上表面上具有网部分的法拉第笼设置在等离子体蚀刻装置中；
将石英基板设置在所述法拉第笼中，所述石英基板具有设置在其一个表面上的带有开口的金属掩模；以及
通过用等离子体蚀刻对所述石英基板进行蚀刻来进行图案化，
其中，所述法拉第笼的底表面包含具有比所述金属掩模更低的电离倾向的金属。


2.根据权利要求1所述的使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其中所述法拉第笼的所述底表面包含标准还原电位比金属掩模的标准还原电位高1V或更大的金属。


3.根据权利要求1所述的使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其中所述图案化包括将所述等离子体蚀刻装置的输出调节为0.75kW至4kW。


4.根据权利要求1所述的使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其中所述图案化包括将含有反应性气体和氧气的混合气体以10sccm至75sccm的速率供给至所述等离子体蚀刻装置。


5.根据权利要求1所述的使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其中在所述图案化中，将含有反应性气体和氧气的混合气体供给至所述等离子体蚀刻装置，并且所述混合气体的总流量中氧气的流量的含量为1％至20％。


6.根据权利要求1所述的使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其中所述金属掩模包含铝和铬中的至少一者，以及所述法拉第笼的所述底表面包含铜。


7.根据权利要求1所述的使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其中所述网部分的薄层电阻为0.5Ω/□或更大。


8.根据权利要求7所述的使用法拉第笼的等离子体蚀刻方法，其中在所述网部分中，在金属网上吸附有氟化碳基团。


9.根据权利要求1所述的使用法拉第笼的等离...

【专利技术属性】
技术研发人员：许殷奎，金忠完，章盛晧，辛富建，朴正岵，尹晶焕，秋素英，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国;KR