具有非玻璃芯体和玻璃包封物的层压制品及其方法技术

一种层压片制品，包括：芯体，其包含电半导体或电导体；和在片制品的芯体的六侧中的至少四侧上的连续的玻璃包覆层。还公开了用于制造如本文定义的片层压制品的设备。还公开了制造和使用所述制品的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有非玻璃芯体和玻璃包封物的层压制品及其方法相关申请的交叉参引本申请根据35U.S.C.§119要求2017年7月31日提交的系列号为62/539,124的美国临时专利申请以及2017年10月19日提交的系列号为62/574,433的美国临时专利申请的优先权权益，本申请以二者的内容为基础，并通过参考将其全文纳入本文。本申请涉及以下共同拥有和转让的专利：2009年4月7日授予Bockco等人的题为“High-strengthlaminatedsheetforopticalapplications(用于光学应用的高强度层压片)”的第7,514,149号美国专利以及2011年8月30日授予Coppola等人的题为“LaminatedGlassArticlesandMethodsofMakingThereof(层压玻璃制品及其制造方法)”的第8,007,913号美国专利，以及涉及以下申请：Coppola等人于2012年5月24日提交的题为“ApparatusandMethodforControlofGlassStreamsinLaminateFusion(用于层压熔合中玻璃流控制的设备和方法)”的第13/479,701号美国专利申请，Kersting等人于2012年7月26日提交的题为“RefractoryLinerStructureandUseinGlassFusionDraw(耐火衬垫结构及在玻璃熔合拉制中的用途)”的第61/676,028号美国临时专利申请，以及Coppola等人于2016年1月18日提交的题为“MethodandApparatusforLaminateFusion(用于层压熔合的方法和设备)”的第61/678,218号美国临时专利申请，其现为第14/905,926号美国专利申请，本文以上述内容为基础并通过引用将其全文纳入本文。本文中提及的每种公开物或专利文件的完整公开内容通过引用纳入本文。背景本公开涉及具有非玻璃芯体及包围非玻璃芯体的玻璃包封物的层压制品以及其方法，即，包含非玻璃芯体和包围的玻璃包覆的层压片制品。
技术实现思路
在实施方式中，本公开提供了用于制造具有非玻璃芯体层和包围该非玻璃芯体层的至少一个玻璃包覆层的完全包封的层压片制品的设备。在实施方式中，本公开提供了改进的双坩埚设备及制造完全玻璃包封的层压片制品的方法，所述完全玻璃包封的层压片制品具有一个或多个非玻璃芯体和包围所述一个或多个非玻璃芯体的至少一个玻璃包覆层。在实施方式中，本公开提供了用于制造层压片制品的方法，其包括用于生产非玻璃芯体层的狭缝拉制部分以及用于生产包围所述非玻璃芯体层的玻璃包覆包封物的熔合拉制部分。在实施方式中，本公开提供了具有非玻璃芯体层和包围该非玻璃芯体层的玻璃包覆包封物的制品。在实施方式中，非玻璃芯体层例如可以是半导体，包围非玻璃芯体层的玻璃包覆包封物例如可以是低熔玻璃或玻璃陶瓷。在一些实施方式中，层压片制品包括芯体层和玻璃包覆层包封物，所芯体层包含电半导体或电导体；所述玻璃包覆层包封物在截面上包围所述芯体的主面和至少两个边缘。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，芯体层和包覆层的热膨胀系数(CTE)之差小于±5x10-7/℃。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，玻璃包覆的主面的外部是原始的。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，芯体层是以下中的至少一种：Si、Ge、GaAs或其混合物，并且熔体粘度为0.01泊至100泊；并且包围芯体的玻璃包覆层包含熔体粘度为30,000泊至400,000泊且CTE可与芯体材料相容的玻璃。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，芯体层的厚度为0.1微米至100毫米，且宽度为0.09微米至9.99米；并且包围芯体的玻璃包覆层的层厚度为0.1微米至1,000微米，且层宽度为0.1mm至10米。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，玻璃芯体包含卤化物玻璃、卤氧化物玻璃、硫系化合物玻璃或其混合物；并且包封的玻璃包覆层在芯体的每个主面和片制品的至少两端或边缘上。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，玻璃芯体和包封的玻璃包覆层的熔点差为0℃至约400℃。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，用于制造本文所述制品的层压设备包括：第一坩埚，其挤出芯体层的片；以及包围第一坩埚的第二坩埚，其将玻璃包封层输送至芯体层的片的每个面和至少两个边缘以生产层压片制品，其中，第一坩埚和第二坩埚中的至少一者或两者的相对高度相对于另一坩埚是垂直可调的。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，第一坩埚和第二坩埚中的至少一者或两者的相对高度的垂直可调性调节芯体层的相对流量和相对厚度、宽度或者相对流量和相对厚度及宽度，以及玻璃包封层的相对流量和相对厚度。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，第一坩埚、第二坩埚或者第一坩埚和第二坩埚包含铂；并且第一坩埚、第二坩埚或者第一坩埚和第二坩埚包含侵蚀保护性石英表面涂层。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，层压设备还包括冷却棒、冷却辊、冷却流体射流或它们的组合，其位于所得到的层压片制品的一个或两个主面上。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些方面中，一种制造连续层压片的方法，所述片包括：芯体，其包含以下中的至少一种：电半导体材料、电导体材料或其组合；以及包覆层，其包含包围所述芯体的六侧中的至少四侧的玻璃；所述方法包括：连续狭缝挤出芯体片，以及将玻璃包覆层同时且连续地熔合拉制到芯体片的六侧中的至少四侧上，包括两个主侧，以生产具有包封结构的连续层压片。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，所述方法还包括：对连续的层压片进行区域澄清以增强芯体的结晶性。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，所述方法还包括：将连续的层压片卷绕成卷，或者将连续的层压片切割成单独的片。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，狭缝挤出在真空中、在惰性气氛中、在正压下或它们的组合中完成。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，芯体包含以下中的至少一种：Si、Ge、GaAs或其混合物，并且粘度为0.01厘泊至5,000厘泊；并且包围芯体的玻璃包覆层的粘度为30,000泊至400,000泊且CTE可与芯体材料相容。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，芯体的厚度为0.1微米至100毫米，且宽度为0.09mm至9.99米；并且包围芯体的玻璃包覆层的厚度为0.1微米至1,000微米，且宽度为0.1mm至10米。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，狭缝挤出在芯体的熔点以上完成；并且熔合拉制在玻璃的熔点以上完成。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，玻璃包覆层的宽度大于芯体的宽度。在可与任何其他方面或实施方式组合的一些实施方式中，玻璃包覆层是在两个主面上以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种层压片制品，包括：/n芯体层，其包含电半导体或电导体；和/n玻璃包覆层包封物，其在截面中包围芯体的主面和至少两个边缘。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170731 US 62/539,124;20171019 US 62/574,4331.一种层压片制品，包括：
芯体层，其包含电半导体或电导体；和
玻璃包覆层包封物，其在截面中包围芯体的主面和至少两个边缘。


2.如权利要求1所述的制品，其中，芯体层和包覆层的热膨胀系数(CTE)之差小于±5x10-7/℃。


3.如权利要求1所述的制品，其中，玻璃包覆层的主面的外部是原始的。


4.如权利要求1所述的制品，其中：
芯体层是以下中的至少一种：Si、Ge、GaAs或其混合物，并且熔体粘度为0.01泊至100泊；并且
包围芯体的玻璃包覆层包含熔体粘度为30,000泊至400,000泊且CTE可与芯体材料相容的玻璃。


5.如权利要求1所述的制品，其中：
芯体层的厚度为0.1微米至100毫米，并且宽度为0.09微米至9.99米；并且
包围芯体的玻璃包覆层的层厚度为0.1微米至1,000微米，并且层宽度为0.1mm至10米。


6.一种层压片制品，包括：
玻璃芯体，其包含卤化物玻璃、卤氧化物玻璃、硫系化合物玻璃或其混合物；和
在所述片制品的芯体的各主面和至少两个端部或边缘上的包封的玻璃包覆层。


7.如权利要求6所述的制品，其中，玻璃芯体和包封的玻璃包覆层的熔点差是0℃至约400℃。


8.一种制造如权利要求6所述的制品的层压设备，包括：
挤出芯体层片的第一坩埚；和
包围第一坩埚的第二坩埚，其将玻璃包封层输送至芯体层片的各个面和至少两个边缘以生产层压片制品，
其中，第一坩埚和第二坩埚中的至少一者或两者的相对高度相对于另一坩埚是垂直可调的。


9.如权利要求8所述的层压设备，其中，第一坩埚和第二坩埚中的至少一者或两者的相对高度的垂直可调性调节芯体层的相对流量和相对厚度、宽度或者相对流量和相对厚度及宽度，以及玻璃包封层的相对流量和相对厚度。


10.如权利要求8所述的层压设备，其中，第一坩埚、第二坩埚或者第一坩埚和第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：D·A·德纳卡，L·A·兰伯森，T·M·松纳，P·A·蒂克，D·M·韦布，
申请(专利权)人：康宁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US