【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】无碱玻璃基板的制造方法以及无碱玻璃基板
本专利技术涉及无碱玻璃基板,详细而言,涉及适合于具备包含低温多晶硅(LTPS:LowTemperaturep-Si)膜的薄膜晶体管(TFT:ThinFilmTransistor)的显示器等的无碱玻璃基板。
技术介绍
平板显示器通常使用玻璃基板作为支承基板。在该玻璃基板的表面上形成TFT等电路图案。因此,对于这种玻璃基板,为了不对TFT等造成不良影响而采用实质上不含碱金属成分的无碱玻璃基板。另外,玻璃基板在薄膜形成工序、薄膜的图案化工序等电路图案的形成工序中被暴露于高温气氛中。玻璃基板暴露于高温气氛时,玻璃的结构弛豫进行,因此玻璃基板的体积收缩(以下,将该玻璃的收缩称为“热收缩”)。若在电路图案的形成工序中在玻璃基板产生热收缩,则在玻璃基板上形成的电路图案的形状尺寸偏离设计值,难以得到具有所期望的电气性能的平板显示器。因此,对于平板显示器用的玻璃基板等在表面形成有电路图案等薄膜图案的玻璃基板,期望热收缩率小。尤其是在具备包含低温多晶硅膜的TFT的高清晰的显示器用的玻璃基板 ...
【技术保护点】
1.一种无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,包含:/n批料制备工序,以成为如下的无碱玻璃的方式制备原料批料,所述无碱玻璃中,作为玻璃组成,以质量%计含有:50~80%的SiO
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170905 JP 2017-170227;20171010 JP 2017-196722;201.一种无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,包含:
批料制备工序,以成为如下的无碱玻璃的方式制备原料批料,所述无碱玻璃中,作为玻璃组成,以质量%计含有:50~80%的SiO2、15~30%的Al2O3、0~4.5%的B2O3、0~10%的MgO、0~15%的CaO、0~10%的SrO、0~15%的BaO、0~5%的ZnO、0~5%的ZrO2、0~5%的TiO2、0~15%的P2O5以及0~0.5%的SnO2;
熔融工序,对制备成的原料批料进行熔融;
澄清工序,对熔融后的玻璃进行澄清;以及
成形工序,将澄清后的玻璃成形为板状,
所述无碱玻璃基板的制造方法中,以使得所得到的玻璃的气泡直径扩大开始温度低于澄清工序中的最高温度的方式对原料批料进行熔融。
2.一种无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,包含:
批料制备工序,以成为如下的无碱玻璃的方式制备原料批料,所述无碱玻璃中,作为玻璃组成,以质量%计含有:50~80%的SiO2、15~30%的Al2O3、0~4.5%的B2O3、0~10%的MgO、0~15%的CaO、0~10%的SrO、0~15%的BaO、0~5%的ZnO、0~5%的ZrO2、0~5%的TiO2、0~15%的P2O5以及0~0.5%的SnO2;
熔融工序,对制备成的原料批料进行熔融;
澄清工序,对熔融后的玻璃进行澄清;
成形工序,将澄清后的玻璃成形为板状;以及
评价工序,对得到的玻璃的泡品质进行评价,
所述无碱玻璃基板的制造方法中,根据所得到的玻璃的泡品质来调整气泡直径扩大开始温度。
3.根据权利要求1或2所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
以使得所得到的玻璃的气泡直径扩大开始温度为1550~1680℃的方式对原料批料进行熔融。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
进行电熔融。
5.根据权利要求4所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
在熔融工序中,不并用基于燃烧器燃烧的辐射加热。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
在原料批料中添加氯化物。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
在原料批料中不添加成为硼源的原料。
8.根据权利要求1~6中任一项所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
在成为硼源的玻璃原料的至少一部分中使用无水硼酸。
9.根据权利要求1~8中任一项所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
在原料批料中不含有氢氧化物原料。
10.根据权利要求1~9中任一项所述的无碱玻璃基板的制造方法,其特征在于,
是在原料批料中添加玻璃屑而制造无碱玻璃基板的方法,在玻...
【专利技术属性】
技术研发人员:林昌宏,长谷川彻,樱林达,
申请(专利权)人:日本电气硝子株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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