功率放大电路制造技术

本发明专利技术调整增益色散的范围。功率放大电路具备：第一晶体管，放大RF信号；偏置电流源，通过第一电流路径对第一晶体管的第二端子供给偏置电流；以及调整电路，根据从电源端子供给的可变电源电压来调整偏置电流，调整电路包含：第一电阻器至第三电阻器，至少任一个由可变电阻器构成；以及调整晶体管，具有通过第一电阻器与电源端子连接的第一端子、通过第二电阻器与偏置电流源连接的第二端子、以及通过第三电阻器与第一电流路径连接的第三端子，在可变电源电压为第一电压以上且第三电压以下时，可变电源电压越低，调整电路越使通过如下路径流到电源端子的电流增大，该路径从偏置电流源通过第二电阻器、调整晶体管以及第一电阻器到达电源端子。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路
本公开涉及功率放大电路。
技术介绍
在便携式电话等移动通信终端中，使用对发送到基站的RF(RadioFrequency，射频)信号进行放大的功率放大电路。功率放大电路具备放大RF信号的晶体管和控制晶体管的偏置点的偏置电路。作为这种偏置电路，例如，像在专利文献1记载的那样，已知有如下的偏置电路，其具备：射极跟随器晶体管，对晶体管供给偏置信号；以及恒定电压生成电路，用于生成供给到该射极跟随器晶体管的集电极的恒定电压。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-171170号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题近年来，为了使晶体管高效率地动作，根据发送信号的包络线来控制电源电压的包络线跟踪(ET：EnvelopeTracking)方式受到瞩目。在这样的ET方式中，通过设置相对于供给到晶体管的电源电压的变化的增益的差异(增益色散)，从而能够维持线性。在此，增益的线性与功率效率一般处于此消彼长的关系，根据使它们中的哪个特性优先，优选的增益色散的范围不同。因此，为了发挥ET方式的性能，优选能够根据要求规格对增益色散的范围进行调整。然而，在专利文献1记载的偏置电路中，难以调整增益色散的范围。因此，本公开的课题在于，提出一种能够调整增益色散的范围的功率放大电路。用于解决课题的技术方案为了解决上述的课题，本公开涉及的功率放大电路具备：第一晶体管，具有被供给与第一电压以上且第二电压以下的可变电源电压相应的电压的第一端子以及被供给RF信号的第二端子，放大RF信号；偏置电流源，通过第一电流路径对第一晶体管的第二端子供给偏置电流；以及调整电路，根据从电源端子供给的可变电源电压来调整偏置电流，调整电路包含：第一电阻器至第三电阻器，至少任一个由可变电阻器构成；以及调整晶体管，具有通过第一电阻器与电源端子连接的第一端子、通过第二电阻器与偏置电流源连接的第二端子、以及通过第三电阻器与第一电流路径连接的第三端子，将比第一电压高且比第二电压低的电压设为第三电压，将从偏置电流源通过第二电阻器、调整晶体管以及第一电阻器到达电源端子的路径设为第二电流路径，在该情况下，在可变电源电压为第一电压以上且第三电压以下时，可变电源电压越低，调整电路越使通过第二电流路径流到电源端子的电流增大。专利技术效果根据本公开，能够提供一种能够调整增益色散的范围的功率放大电路。附图说明图1是示出包含本公开的一个实施方式涉及的功率放大电路的功率放大模块的结构的概要的图。图2A是示出ET方式中的输出功率与增益的关系的一个例子的曲线图。图2B是示出ET方式中的输出功率与增益的关系的一个例子的曲线图。图3是示出本公开的一个实施方式涉及的功率放大电路的结构例的图。图4是表示供给到晶体管Q2的可变电源电压Vcc2与对供给到该晶体管Q2的偏置电流进行调整的晶体管Q70的集电极-发射极间的电压Vce的关系的曲线图。图5是表示供给到晶体管Q2的可变电源电压Vcc2与供给到该晶体管Q2的偏置电流的关系的曲线图。图6是表示供给到晶体管Q2的可变电源电压Vcc2与流到该晶体管Q2的集电极的电流的关系的曲线图。图7是表示供给到晶体管Q2的可变电源电压Vcc2与流过对供给到该晶体管Q2的偏置电流进行调整的调整电路的电流的关系的曲线图。图8是表示供给到晶体管Q2的可变电源电压Vcc2与流过对供给到该晶体管Q2的偏置电流进行调整的调整电路的电流的关系的曲线图。图9是表示供给到晶体管Q2的可变电源电压Vcc2与流过对供给到该晶体管Q2的偏置电流进行调整的调整电路的电流的关系的曲线图。图10A是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R71的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图10B是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R71的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图10C是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R71的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图10D是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R71的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图10E是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R71的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图10F是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R71的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图11A是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R72的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图11B是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R72的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图11C是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R72的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图11D是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R72的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图11E是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R72的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图11F是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R72的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图12A是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R73的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图12B是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R73的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图12C是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R73的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图12D是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R73的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图12E是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R73的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图12F是示出在功率放大电路100中使可变电阻器R73的电阻值变动了的情况下的增益特性的仿真结果的曲线图。图13是示出本公开的一个实施方式的变形例涉及的功率放大电路的结构例的图。图14是示出调整电路70的一个具体例(调整电路70A)的电路结构的图。图15是示出调整电路70的另一个具体例(调整电路70B)的电路结构的图。图16A是示出调整电路70的另一个具体例(调整电路70B)的构造的剖视图。图16B是示出调整电路70的另一个具体例(调整电路70B)的构造的剖视图。图17是示出调整电路70的另一个具体例(调整电路70C)的电路结构的图。图18A是示出调整电路70的另一个具体例(调整电路70D)的构造的剖视图。图18B是示出调整电路70的另一个具体例(调整电路70D)的构造的剖视图。附图标记说明10：功率放大模块，20、30：放大器，40：电源电路，50、60：偏置电流源，51、61：电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大电路，具备：/n第一晶体管，具有被供给与第一电压以上且第二电压以下的可变电源电压相应的电压的第一端子以及被供给RF信号的第二端子，放大所述RF信号；/n偏置电流源，通过第一电流路径对所述第一晶体管的所述第二端子供给偏置电流；以及/n调整电路，根据从电源端子供给的所述可变电源电压来调整所述偏置电流，/n所述调整电路包含：/n第一电阻器至第三电阻器，至少任一个由可变电阻器构成；以及/n调整晶体管，具有通过所述第一电阻器与所述电源端子连接的第一端子、通过所述第二电阻器与所述偏置电流源连接的第二端子、以及通过所述第三电阻器与所述第一电流路径连接的第三端子，/n将比所述第一电压高且比所述第二电压低的电压设为第三电压，将从所述偏置电流源通过所述第二电阻器、所述调整晶体管以及所述第一电阻器到达所述电源端子的路径设为第二电流路径，在该情况下，/n在所述可变电源电压为所述第一电压以上且所述第三电压以下时，所述可变电源电压越低，所述调整电路越使通过所述第二电流路径流到所述电源端子的电流增大。/n

【技术特征摘要】
20181012 JP 2018-193611;20190619 JP 2019-1134971.一种功率放大电路，具备：
第一晶体管，具有被供给与第一电压以上且第二电压以下的可变电源电压相应的电压的第一端子以及被供给RF信号的第二端子，放大所述RF信号；
偏置电流源，通过第一电流路径对所述第一晶体管的所述第二端子供给偏置电流；以及
调整电路，根据从电源端子供给的所述可变电源电压来调整所述偏置电流，
所述调整电路包含：
第一电阻器至第三电阻器，至少任一个由可变电阻器构成；以及
调整晶体管，具有通过所述第一电阻器与所述电源端子连接的第一端子、通过所述第二电阻器与所述偏置电流源连接的第二端子、以及通过所述第三电阻器与所述第一电流路径连接的第三端子，
将比所述第一电压高且比所述第二电压低的电压设为第三电压，将从所述偏置电流源通过所述第二电阻器、所述调整晶体管以及所述第一电阻器到达所述电源端子的路径设为第二电流路径，在该情况下，
在所述可变电源电压为所述第一电压以上且所述第三电压以下时，所述可变电源电压越低，所述调整电路越使通过所述第二电流路径流到所述电源端子的电流增大。


2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，
所述功率放大电路还具备：第二晶体管，具有被供给...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛本健一，浪江寿典，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP