【技术实现步骤摘要】
GaN肖特基二极管
本专利技术涉及肖特基二极管
，尤其涉及一种GaN肖特基二极管。
技术介绍
太赫兹波是指频率在100GHz-10THz范围内的电磁波，在太赫兹频率低端，基于肖特基二极管的方式可以实现太赫兹倍频源。目前常用的是GaAs基的肖特基二极管，但是GaAs基肖特基二极管由于其耐击穿特性不如禁带宽度更大的GaN肖特基二极管，因此基于GaN肖特基二极管来制作大功率的太赫兹源成为一种比较有潜在价值的技术。目前GaN肖特基二极管由于目前GaN材料的固有原因，其迁移率不是很高，因此降低其串联电阻比较困难。为了使GaN肖特基二极管更好的工作在太赫兹频段，可以采取降低其寄生电容的方式来提高二极管的性能。通过减薄二极管的衬底厚度，可以大幅度降低二极管的寄生电容，但是当二极管的衬底厚度减到2到3微米的时候，二极管容易出现翘曲，且不容易操作。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是如何提供一种可以保证二极管的可操作性，且不容易出现翘曲现象的GaN肖特基二极管。为解决上述技术问题，本专利技术所采取的...
【技术保护点】
1.一种GaN肖特基二极管，包括GaN肖特基二极管本体（20），所述二极管本体包括半绝缘GaN衬底（5），特征在于：所述半绝缘GaN衬底（5）的背面形成有金属图形（10），且所述金属图形（10）不覆盖整个衬底的背面。/n
【技术特征摘要】
1.一种GaN肖特基二极管，包括GaN肖特基二极管本体（20），所述二极管本体包括半绝缘GaN衬底（5），特征在于：所述半绝缘GaN衬底（5）的背面形成有金属图形（10），且所述金属图形（10）不覆盖整个衬底的背面。
2.如权利要求1所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述金属图形（10）的长度为30微米-50微米，宽度为10微米-20微米，整体面积为300平方微米-1000平方微米。
3.如权利要求1所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述金属图形（10）包括左右两部分，且两部分的形状和大小相同，两部分金属图形之间保持有间隔。
4.如权利要求1所述的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述GaN肖特基二极管本体包括半绝缘GaN衬底（5），所述半绝缘GaN衬底（5）的上表面设有重掺杂GaN层（6），所述半绝缘GaN衬底（5）的上表面还设有钝化层（1），所述钝化层（1）将所述重掺杂GaN层（6）分成左右两部分，每个所述重掺杂GaN层（6）的上表面为阶梯状，其中靠近所述肖特基二极管结内部的台阶面相对于外侧的台阶面较高，较高的台阶面上设有低掺杂GaN层（7），较低的台阶面上设有欧姆接触金属层（3）...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘育青，安国雨，李少鹏，张志国，
申请(专利权)人：北京国联万众半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11
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