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本发明公开了一种GaN肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括GaN肖特基二极管本体，所述二极管本体包括半绝缘GaN衬底，特征在于：所述半绝缘GaN衬底的背面形成有金属图形，且所述金属图形不覆盖整个衬底的背面。提高了GaN肖特...
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