场效应晶体管及其制造方法技术

本公开提供一种场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在半导体衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层上沉积多晶硅层；光刻形成多晶硅栅极；形成轻掺杂漏极LDD间隔物；在LDD区进行注入角度小于90度的氟离子注入；进行Halo和LDD离子注入；形成侧壁间隔物；进行源/漏区离子注入并进行源/漏区快速退火。预先注入的氟离子将会取代栅极氧化物中的氧，使得被取代的氧原子继续和硅反应，使得LDD区域靠近栅极附近的氧化层厚度增加；在器件操作时，可降低栅极与LDD区间的电场，减少热载子效应所产生的漏电流，提升器件操作时的可靠度，使器件工作寿命增加。

【技术实现步骤摘要】
场效应晶体管及其制造方法
本公开涉及晶体管
，具体涉及一种场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
在现代工艺金属氧化物半导体(MOS，Metal-Oxide-Semiconductor)晶体管结构中，当器件通道尺寸进入微米世代下，器件在主动操作过程中，临界电压会因高浓度漏极区与阱区交界附近的势垒在高漏极偏压作用下更加减少，引起漏致势垒降低(DIBL，Drain-InducedBarrierLowering)效应，使得短通道效应变得更为严重，因此引入了轻掺杂漏极区(LDD，LightlyDopedDrain)设计。然而随着半导体制作技术不断进步，器件沟道尺寸进入纳米级别时，由于PN结分布空间缩短以与栅极氧化层厚度不断微缩数个奈米距离时，更加深了短通道效应以及热载子注入效应对器件特性的影响，对下一世代组件开发设计上的挑战更加困难。因此，如何有效抑制短沟道效应所造成临界电压的大幅降低，以及如何抑制热载子注入效应所带来的器件操作特性的恶化，增加器件操作寿命的可靠度，成为非常重要课题且亟须解决。需要说明的是，在上述
技术介绍
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【技术保护点】
1.一种场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底；/n在所述半导体衬底上生长栅氧化层；/n在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；/n进行光刻形成多晶硅栅极；/n沉积栅极介电层并刻蚀形成轻掺杂漏极LDD间隔物；/n在LDD区进行注入角度小于90度的氟离子注入；/n进行晕环Halo和LDD离子注入；/n进行侧壁介电层沉积并刻蚀形成侧壁间隔物；/n进行源/漏区离子注入并进行源/漏区快速退火；/n其中，所述栅氧化层位于LDD区域上方和靠近LDD区的部分厚度增加5埃以上。/n

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管制造方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上生长栅氧化层；
在所述栅氧化层上沉积多晶硅层；
进行光刻形成多晶硅栅极；
沉积栅极介电层并刻蚀形成轻掺杂漏极LDD间隔物；
在LDD区进行注入角度小于90度的氟离子注入；
进行晕环Halo和LDD离子注入；
进行侧壁介电层沉积并刻蚀形成侧壁间隔物；
进行源/漏区离子注入并进行源/漏区快速退火；
其中，所述栅氧化层位于LDD区域上方和靠近LDD区的部分厚度增加5埃以上。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在LDD区进行注入角度小于90度的氟离子注入包括：
在LDD区进行多个不同注入角度、低能量的氟离子注入，其中，氟离子注入的剂量大于等于1015cm-2。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述提供半导体衬底包括：
在衬底上沉积衬垫氧化层；
进行阱区注入；
进行阈值电压调整注入；
进行退火并去除所述衬垫氧化层。


4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在进行光刻形成多晶硅栅极之前还包括：
对所述多晶硅层进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡宗叡，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34