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本公开提供一种场效应晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在半导体衬底上生长栅氧化层；在栅氧化层上沉积多晶硅层；光刻形成多晶硅栅极；形成轻掺杂漏极LDD间隔物；在LDD区进行注入角度小于90度的氟离子注入；进行Halo和L...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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