高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统技术方案

提供了高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统。该高电压切换电路包括第一晶体管、第一耗尽型晶体管、电平转换器、控制信号发生器、第二晶体管和第二耗尽型晶体管。第一晶体管响应于第一栅极信号，将第二驱动电压传输到输出端子。第一耗尽型晶体管响应于来自所述输出端子的反馈，将第二驱动电压传输到第一晶体管。控制信号发生器响应于电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号。第二晶体管具有接收第一电压的栅电极，并且响应于第二晶体管的第一端处的第二控制信号而导通或截止。第二耗尽型晶体管连接在第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，并且具有接收第一控制信号的栅电极。

High voltage switching circuit, nonvolatile memory device and memory system

【技术实现步骤摘要】
高电压切换电路、非易失性存储器件和存储系统相关申请的交叉引用2018年10月15日在韩国知识产权局(KIPO)提交的题为“HighVoltageSwitchCircuit,NonvolatileMemoryDeviceIncludingtheSameandMemorySystemIncludingtheSame”的韩国专利申请No.10-2018-0122677通过引用被全部结合于本申请中。
示例实施例总体上涉及半导体器件，更具体地，涉及高电压切换电路、包括该高电压切换电路的非易失性存储器件以及包括该非易失性存储器件的存储系统。
技术介绍
半导体存储器件通常可以根据当与电源断开时存储的数据是否被保留而分成两个类别。这些类别包括易失性存储器件和非易失性存储器件，易失性存储器件在断电时丢失存储的数据，非易失性存储器件在断电时保留存储的数据。易失性存储器件可以高速执行读取和写入操作，而存储在其中的内容可能在断电时丢失。非易失性存储器件即使在断电时仍可以保留存储在其中的内容，这意味着它们可以用于存储无论它们是否通电都必须保留的数据。非易本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电压切换电路，所述高电压切换电路响应于第一驱动电压和高于所述第一驱动电压的第二驱动电压而操作，所述高电压切换电路包括：/n第一晶体管，所述第一晶体管响应于第一栅极信号，将所述第二驱动电压传输到输出端子；/n第一耗尽型晶体管，所述第一耗尽型晶体管响应于从所述输出端子反馈的输出信号，将所述第二驱动电压传输到所述第一晶体管；/n电平转换器，所述电平转换器基于第一电压来转换使能信号的电平，以生成电平转换后的使能信号；/n控制信号发生器，所述控制信号发生器响应于所述电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号；/n第二晶体管，所述第二晶体管的栅电极接收所述第一电压，所述第二晶体管响应于...

【技术特征摘要】
20181015 KR 10-2018-01226771.一种高电压切换电路，所述高电压切换电路响应于第一驱动电压和高于所述第一驱动电压的第二驱动电压而操作，所述高电压切换电路包括：
第一晶体管，所述第一晶体管响应于第一栅极信号，将所述第二驱动电压传输到输出端子；
第一耗尽型晶体管，所述第一耗尽型晶体管响应于从所述输出端子反馈的输出信号，将所述第二驱动电压传输到所述第一晶体管；
电平转换器，所述电平转换器基于第一电压来转换使能信号的电平，以生成电平转换后的使能信号；
控制信号发生器，所述控制信号发生器响应于所述电平转换后的使能信号，生成第一控制信号和第二控制信号；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅电极接收所述第一电压，所述第二晶体管响应于在所述第二晶体管的第一端接收的所述第二控制信号而导通或截止；以及
第二耗尽型晶体管，所述第二耗尽型晶体管连接在所述第二晶体管的第二端与所述输出端子之间，所述第二耗尽型晶体管的栅电极接收所述第一控制信号。


2.根据权利要求1所述的高电压切换电路，其中，当所述使能信号被激活时，所述第一晶体管响应于所述第一栅极信号而导通，并且所述输出信号通过所述第一晶体管和所述第一耗尽型晶体管的反馈结构而增加到所述第二驱动电压的电平。


3.根据权利要求2所述的高电压切换电路，其中，当所述使能信号被激活时，所述第二晶体管响应于所述第二控制信号而截止，并且所述第二晶体管的与所述第二耗尽型晶体管连接的所述第二端处的电压响应于所述第一控制信号而升高。


4.根据权利要求3所述的高电压切换电路，其中，当所述第二晶体管的所述第二端处的电压升高时，施加到所述第二晶体管的主体的体电压与所述第二晶体管的所述第二端处的电压之间的电压差减小。


5.根据权利要求3所述的高电压切换电路，其中，当所述使能信号被激活时，所述使能信号的电平等于所述第一驱动电压的电平，所述第一控制信号的电平等于接地电压的电平，并且所述第二晶体管的所述第二端处的电压等于所述第二耗尽型晶体管的阈值电压。


6.根据权利要求1所述的高电压切换电路，其中，当所述使能信号被去激活时，所述第二晶体管响应于所述第二控制信号而导通，并且所述输出信号通过所述第二晶体管和所述第二耗尽型晶体管降低到接地电压的电平。


7.根据权利要求6所述的高电压切换电路，其中，当所述使能信号被去激活时，所述第一晶体管响应于所述第一栅极信号而截止。


8.根据权利要求7所述的高电压切换电路，其中，当所述使能信号被去激活时，所述使能信号的电平等于所述接地电压的电平，并且所述第一控制信号的电平等于所述第一电压的电平。


9.根据权利要求1所述的高电压切换电路，其中，所述第一栅极信号与所述第一控制信号相同。


10.根据权利要求1所述的高电压切换电路，所述高电压切换电路还包括栅极信号发生器，所述栅极信号发生器响应于所述第二控制信号和第三控制信号而生成所述第一栅极信号。


11.根据权利要求10所述的高电压切换电路，其中：
在从所述使能信号被激活的时刻起经过预定时间之后，所述第三控制信号被激活，并且
在所述使能信号被激活并且所述输出信号增加到所述第二驱动电压的电平之后，所述第一栅极信号的电平响应于被激活的所述第三控制信号而改变。


12.根据权利要求1所述的高电压切换电路，其中：
所述第一控制信号的相位与所述使能信号的相位相反，并且
所述第二控制信号的相位与所述使能信号的相位相同。


13.根据权利要求12所述的高电压切换电路，其中：
所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金钟奎，闵泳善，边大锡，李镐吉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR