一种存储器的编程方法和编程系统技术方案

本发明专利技术所提供的存储器的编程方法和编程系统，包括：根据编程数据获得选中的存储单元及其目标存储状态即第i态；采用编程脉冲对选中的存储单元进行编程，并将与选中的存储单元的字线相邻的字线上的通过电压增加预设值；判断选中的存储单元的阈值电压是否小于预设中间验证电压，预设中间验证电压小于第i态的验证电压、大于第i‑1态的验证电压；若是，令编程脉冲的步长等于第一步长，并对选中的存储单元进行编程；若否，令编程脉冲的步长等于第二步长，并对选中的存储单元进行编程，第二步长小于第一步长。由于本发明专利技术中在开始编程时，增大了相邻字线上的通过电压，因此，可以减小选中的存储单元的字线对相邻的字线的编程干扰。

A programming method and system of memory

【技术实现步骤摘要】
一种存储器的编程方法和编程系统
本专利技术涉及存储器
，更具体地说，涉及一种存储器的编程方法和编程系统。
技术介绍
读、编程、擦除是NAND闪存的基本操作。递增步长脉冲编程(ISPP)方法是目前常用的编程方法：其通过施加编程脉冲将电荷注入到存储单元的栅极，来将与待存储的数据对应的目标阈值电压施加到存储单元的栅极和源极之间。其中，整个编程过程包括多个编程脉冲，每一次编程操作之后都要进行验证操作(即读操作)，如果存储单元的阈值电压VTH≥验证电压VFY，验证通过，说明达到目标阈值电压，编程操作结束；如果阈值电压VTH<验证电压VFY，验证失败，增大编程电压继续编程，直至验证通过，编程结束。但是，在编程过程中，是对选中的存储单元进行编程，未选中的存储单元则被抑制。通常采用SBPI(SelfBoostProgramInhibit，自增强程序禁止)方法实现对未选中存储单元的编程抑制：将未选中的存储单元所在存储串的沟道浮空；在未选中存储单元的字线的栅极上施加通过电压VPASS；将未选中存储单元的沟道通过电容耦合，耦合到电压VPA本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，包括：/n接收编程数据，根据所述编程数据获得选中的存储单元及其目标存储状态，所述目标存储状态为第i态，1≤i≤N，N为大于1的整数；/n采用编程脉冲对所述选中的存储单元进行编程，并将与所述选中的存储单元的字线相邻的字线上的通过电压增加预设值；/n判断所述选中的存储单元的阈值电压是否小于预设中间验证电压，所述预设中间验证电压小于所述第i态的验证电压、大于第i-1态的验证电压；/n若小于所述预设中间验证电压，令所述编程脉冲的步长等于第一步长，并对所述选中的存储单元进行编程；/n若大于或等于所述预设中间验证电压，令所述编程脉冲的步长等于第二步长，并对所述选中的存...

【技术特征摘要】
1.一种存储器的编程方法，其特征在于，包括：
接收编程数据，根据所述编程数据获得选中的存储单元及其目标存储状态，所述目标存储状态为第i态，1≤i≤N，N为大于1的整数；
采用编程脉冲对所述选中的存储单元进行编程，并将与所述选中的存储单元的字线相邻的字线上的通过电压增加预设值；
判断所述选中的存储单元的阈值电压是否小于预设中间验证电压，所述预设中间验证电压小于所述第i态的验证电压、大于第i-1态的验证电压；
若小于所述预设中间验证电压，令所述编程脉冲的步长等于第一步长，并对所述选中的存储单元进行编程；
若大于或等于所述预设中间验证电压，令所述编程脉冲的步长等于第二步长，并对所述选中的存储单元进行编程，所述第二步长小于所述第一步长。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，VFYi’＝c*(VFYi-1+VFYi)，VFYi’为预设中间验证电压，VFYi-1为第i-1态的验证电压，VFYi为第i态的验证电压，c为预设值，0<c<1。


3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，Step1＝a*ΔVPGM，Step2＝b*ΔVPGM，a、b为预设值，a>1，0<b<1，其中，Step1为第一步长，Step2为第二步长，ΔVPGM为平均步长。


4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，
K1*Step1+K2*Step2＝K*ΔVPGM。


5.一种存储器的编程系统，其特征在于，包括：
获取单元，用于接收...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋璧若，刘飞，霍宗亮，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11