NAND闪存操作技术制造技术

一种高密度存储器，例如立体NAND闪存，的写入方法，修改在写入操作期间所施加的波形，以减轻在操作期间对于未被选取用来进行写入的存储单元的无预期干扰。此方法通常在写入序列中的写入验证通过电压和写入通过电压之间的时间间隔内施加偏压安排。此偏压安排包括软压降和预启动，用以减小写入操作期间位于未被选取的NAND存储单元串行的浮置通道上的电压分布变异程度。

NAND flash operation technology

【技术实现步骤摘要】
NAND闪存操作技术本专利技术主张美国编号62/745,152，申请日为2018年10月12日的临时申请案的优先权。且此临时申请案的内容，将通过引用并入的方式全文收载于本专利技术说明书之中。
本专利技术是有关高密度存储器的设计，包括立体NAND存储器的设计，这些存储器是被配置来减少因为对被选取存储单元进行写入操作所产生的干扰，而这些干扰会扰乱储存在存储单元阵列中其他存储单元的数据。
技术介绍
包含有立体NAND存储器的高密度集成电路存储器，目前正持续发展中，用来降低数据储存的成本。为了实现这个目的，会将存储单元的尺寸缩小，并且增加存储单元阵列的密度。由于这些存储器结构复杂，因此在操作期间所产生的电场会干扰或扰乱储存在未进行操作的存储单元中的电荷。而这些所谓的写入干扰和读取干扰效应会降低存储器的可靠度和耐用性，或者使存储单元需要更大的操作余裕(operatingmargin)。现有技术还提出以实现多阶层存储单元(multilevelcellsMLC)的方式，来解决数据储存密度的问题。其中，多阶层存储单元中的的每一个存储单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NAND存储器的写入方法，包括：/n执行一写入序列，对位于一NAND存储单元串行中一被选取字线的一存储单元进行写入；其中该NAND存储单元串行包括多个未被选取字线；该写入序列包括一写入验证程序以及在该写入验证程序之后的一写入程序；/n在该写入验证程序中，将一验证读取电压脉冲施加到该被选取字线，并将多个验证通过电压脉冲施加到这些未被选取字线；/n在该写入程序中，对该NAND存储单元串行进行一预充电，然后将一写入电压脉冲施加到该被选取字线，并将多个写入通过电压脉冲施加到这些未被选取字线；以及/n在这些验证通过电压脉冲和这些写入通过电压脉冲之间的一时间间隔中，对这些未被选取字线的至少一者施加...

【技术特征摘要】
20181012 US 62/745,152;20181206 US 16/212,5511.一种NAND存储器的写入方法，包括：
执行一写入序列，对位于一NAND存储单元串行中一被选取字线的一存储单元进行写入；其中该NAND存储单元串行包括多个未被选取字线；该写入序列包括一写入验证程序以及在该写入验证程序之后的一写入程序；
在该写入验证程序中，将一验证读取电压脉冲施加到该被选取字线，并将多个验证通过电压脉冲施加到这些未被选取字线；
在该写入程序中，对该NAND存储单元串行进行一预充电，然后将一写入电压脉冲施加到该被选取字线，并将多个写入通过电压脉冲施加到这些未被选取字线；以及
在这些验证通过电压脉冲和这些写入通过电压脉冲之间的一时间间隔中，对这些未被选取字线的至少一者施加一偏压；其中该偏压具有高于一接地电平的一电平，并且用以导通位于这些未被选取字线的该至少一者的一存储单元的一通道。


2.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压具有一最大电压电平，小于这些写入通过电压脉冲的一最大电平。


3.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压具有一最大电压电平，大于或等于被写入的该存储单元的一最大阈值电压值。


4.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压具有一最大电压电平，介于被写入的该存储单元的一最大阈值电压值(VtMAX)至该最大阈值电压值加1伏特之间(VtMAX+1Volt)。


5.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括压降(step-dowm)，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一中间偏压电平，并保持该中间偏压电平，直到这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘的一升压(step-up)点。


6.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一压降，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一中间偏压电平，保持该中间偏压电平持续一部份该时间间隔，并在这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前，降压至一较低电压电平。


7.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一脉冲，具有一升压(step-up)位于一脉冲前缘；该脉冲前缘位于这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘到一中间偏压电平之间的一时间间隔；且该脉冲具有一脉冲后缘，位于这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前。


8.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一第一压降，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一第一中间偏压电平，保持该第一中间偏压电平一部份该时间间隔，并在这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前，降压至一较低电压电平；以及一预启动脉冲(pre-turn-onpulse)位于该第一压降之后，并具有一升压，上升至一第二中间偏压电平，以及一第二压降位于这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前。


9.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一升压，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘上升到一中间偏压电平，保持该中间偏压电平，直到这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘。


10.如权利要求1所述的NAND存储器的写入方法，其中该偏压包括一压降，从这些验证通过电压脉冲其中之一的一后缘降到一第一中间偏压电平，保持该第一中间偏压电平持续一部份该时间间隔，并在这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘之前，降压至一较低电压电平；于降压之后升压至一第二中间偏压电平，以及维持该第二中间偏压电平至这些写入通过电压脉冲其中之一的一前缘。


11.一种NAND存储器的写入方法，包括：
执行一写入序列，对位于一NAND存储单元串行中一被选取字线的一存储单元进行写入；其中该NAND存储单元串行包括多个未被选取字线；该写入序列包括一写入验证程序以及在该写入验证程序之后的一写入程序；
在该写入验证程序中，将一验证读取电压脉冲施加到该被选取字线，并将多个验证通过电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：林威良，吕君章，蔡文哲，吴冠纬，张耀文，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71