【技术实现步骤摘要】
基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器及其制作方法
本专利技术涉及一种气体传感器，特别涉及一种基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器及其制作方法，属于电子器件
技术介绍
气体传感器广泛应用于检测可燃性气体、有毒气体以及大气成分，以MEMS工艺为基础的微热板式气体传感器以其低功耗、体积小、易集成的特点成为当前气体传感器领域的研究热点，现有MEMS气体传感器多采用铂金为加热丝,采用背面体硅加工技术实现微热板的悬空。目前常用的MEMS气体传感器的结构如图1a、图1b所示，其主要以硅基底为主，硅基底上形成绝缘层、加热层和测试层等，结构相对比较复杂，其制备工艺主要包括深硅刻蚀形成微孔、绝缘层/阻挡层/种子层的沉积、pad的制备及多次光刻等工艺技术；为了提高加热效率，通常采用悬臂梁式的加热结构，然而，目前硅基MEMS气体传感器还存在良率低、性能差、器件容易损坏等方面的缺点。为了解决上述MEMS气体传感器所存在的问题：现有硅基MEMS气体传感器主要结合MEMS微加工工艺，利用薄膜沉积工艺制备绝缘层、阻挡层和种...
【技术保护点】
1.一种基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器，其特征在于包括敏感测试结构以及封装结构，其中，/n所述封装结构包括透气盖板，所述透气盖板与所述敏感测试结构密封结合形成一气体腔室，所述气体腔室与设置在所述透气盖板上的至少一个气孔连通；/n所述敏感测试结构包括玻璃基底以及依次叠层设置在玻璃基底第一面上的加热层、绝缘层以及气体敏感材料层，所述气体敏感材料层还与设置在所述绝缘层上的测试层电连接，至少所述气体敏感材料层被设置在所述气体腔室中，以及，所述玻璃基底的第二面还设置有背腔，且所述气体敏感材料层被对应设置在所述背腔的上方，其中，所述第一面与所述第二面背对设置。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器，其特征在于包括敏感测试结构以及封装结构，其中，
所述封装结构包括透气盖板，所述透气盖板与所述敏感测试结构密封结合形成一气体腔室，所述气体腔室与设置在所述透气盖板上的至少一个气孔连通；
所述敏感测试结构包括玻璃基底以及依次叠层设置在玻璃基底第一面上的加热层、绝缘层以及气体敏感材料层，所述气体敏感材料层还与设置在所述绝缘层上的测试层电连接，至少所述气体敏感材料层被设置在所述气体腔室中，以及，所述玻璃基底的第二面还设置有背腔，且所述气体敏感材料层被对应设置在所述背腔的上方，其中，所述第一面与所述第二面背对设置。
2.根据权利要求1所述基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器，其特征在于：该背腔的顶部具有第一区域和第二区域，所述第一区域的玻璃基底的厚度小于所述第二区域的玻璃基底的厚度而形成悬臂结构，所述气体敏感材料层对应设置在位于所述玻璃基底第二区域的上方。
3.根据权利要求2所述基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器，其特征在于：所述玻璃基底的厚度为100-1000μm，所述悬臂结构的厚度为10-100μm，宽度为10-100μm；和/或，所述透气盖板包括玻璃盖板，和/或，所述气孔的直径为10-500μm。
4.根据权利要求1所述基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器，其特征在于：所述加热层的材质包括Pt、Au、Ag、Cu中的任意一种或两种以上的组合；和/或，所述加热层的厚度为100-5000nm；和/或，所述绝缘层的材质包括氧化硅和/或氮化硅；优选的，所述绝缘层的厚度为10-5000nm。
5.根据权利要求1所述基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器，其特征在于：所述气体敏感材料层的材质包括半导体金属氧化物，所述气体敏感材料层的厚度为100-5000nm。
6.根据权利要求5所述基于玻璃基底的MEMS半导体式气体传感器，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘瑞，
申请(专利权)人：安徽芯淮电子有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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