散热铜箔制造技术

本实用新型专利技术涉及散热部件，公开了一种散热铜箔，从上往下依次包括绝缘层、石墨烯层、网状铜箔层、导热硅胶层、铜箔基层、离型层和粘胶层；所述的绝缘层采用聚酰亚胺与蒙脱土材料复合制成的纳米材料涂覆而成；所述的铜箔基层的上表面设置有与网状铜箔层结构对应的沟槽结构，所述网状铜箔层设置在沟槽结构内，沟槽结构的凹陷部容纳网状铜箔的实体部，沟槽结构的凸起部穿过网状铜箔的空心部；所述的导热硅胶层涂覆于沟槽结构处并将网状铜箔层和铜箔基层结合；所述的石墨烯层覆盖网状铜箔的实体部，所述的绝缘层覆盖石墨烯层。这样的结构使铜箔与外界的热交换效率有显著提高，且散热铜箔还避免了对电子元件造成电路损坏。

Heat dissipation copper foil

【技术实现步骤摘要】
散热铜箔
本技术涉及散热部件，尤其涉及一种散热铜箔。
技术介绍
铜有着良好的导电性和导热性，在电子工业中有着广泛应用。随着科技的不断进步，电脑、手机等产品内的电子元件集成度越来越高，同时随之而来的是芯片等电子元件发热量的迅速提升，使得散热成为一个巨大的问题；由于其内部空间有限，传统的方式一般在这些精密电子元件上贴敷铜箔来辅助散热，但这种单一的散热铜箔结构显然已经无法满足现代精密设备的越来越高的散热需求。在安装控件越来越小，而发热量迅速提升的电子设备内，既要能够保持散热的需求，还要能够保证避免铜的导电性对电子设备造成电磁干扰和电路破坏，从而真正达到高集成度和高稳定性。鉴于现在的散热铜箔无法达到上述需求，需要提出更为合理的技术方案，解决现有技术中存在的技术问题。
技术实现思路
本技术提供了散热铜箔，旨在通过散热性能更加优良的散热铜箔结构，对高集成的电子设备腔内进行散热，同时能够避免造成电磁干扰，还能屏蔽外界与电子设备内部之间的电磁干扰，保持电子设备的稳定运行。为了实现上述效果，本技术所采用的技术方案为：散热铜箔，从上往下依次包括绝缘层、石墨烯层、网状铜箔层、导热硅胶层、铜箔基层、离型层和粘胶层；所述的绝缘层采用聚酰亚胺与蒙脱土材料复合制成的纳米材料涂覆而成；所述的铜箔基层的上表面设置有与网状铜箔层结构对应的沟槽结构，所述网状铜箔层设置在沟槽结构内，沟槽结构的凹陷部容纳网状铜箔的实体部，沟槽结构的凸起部穿过网状铜箔的空心部；所述的导热硅胶层涂覆于沟槽结构处并将网状铜箔层和铜箔基层结合；所述的石墨烯层覆盖网状铜箔的实体部，所述的绝缘层覆盖石墨烯层。进一步的，本技术对上述内容中公开的绝缘层进行优化，对其厚度进行限制，举出如下具体可行的方案：所述的绝缘层的厚度为1～2μm。进一步的，本技术对上述内容中公开的石墨烯层进行优化，对其厚度进行限制，举出如下具体可行的方案：所述的石墨烯层的厚度为1.2～1.8μm。进一步的，本技术对上述内容中公开的网状铜箔层进行优化，对其厚度进行限制，举出如下具体可行的方案：所述的网状铜箔层的厚度为5.5～7.5μm。进一步的，本技术对上述内容中公开的铜箔基层进行优化，对其厚度进行限制，举出如下具体可行的方案：所述的铜箔基层的厚度为12～14μm。进一步的，本技术对上述内容中公开的铜箔基层进行优化，尤其是对沟槽结构进行限制，举出如下具体可行的方案：所述的铜箔基层表面的沟槽结构的深度为8～9μm。进一步的，本技术对上述内容中公开的铜箔基层与网状铜箔层的配合结构进行优化，举出如下具体可行的方案：所述的网状铜箔层的上表面与铜箔基层的上表面齐平网状铜箔层的边缘处设置有外凸缘，沟槽结构的外侧边缘处设有容纳槽，外凸缘置于容纳槽内。进一步的，本技术对上述内容中公开的导热硅胶层进行优化，举出如下具体可行的方案：所述的导热硅胶层设置在铜箔基层的沟槽结构内，导热硅胶层将沟槽结构完全填充，且导热硅胶层的上表面与网状铜箔层的上表面齐平。进一步的，本技术对上述内容中公开的离型层进行优化，举出如下具体可行的方案：所述的离型层为PE膜，所述的离型层的厚度为4.5～5.5μm。进一步的，本技术对上述内容中公开的胶粘层进行优化，举出如下具体可行的方案：所述的粘胶层为耐热丙烯酸粘合剂层，且粘胶层的厚度为4.5～5.5μm。与现有技术相比，本技术的有益效果为：本技术的极薄铜层上设置的绝缘层避免了铜箔造成电子干扰，避免对电子元器件造成电路损耗，石墨烯具有高导热作用、辐射热作用，这样的结构使铜箔与外界的热交换效率有显著提高；网状铜箔层和铜箔基层之间通过导热硅胶层粘合，两者间的间隙填充导热硅胶层，一方面，这样结构使网状铜箔层和筒箔基层的延展性和韧性有所提高，沟槽结构也具备加强筋的作用，使其不易折断但又不会增加过多硬性，更加适用于空间紧张的手机等电子产品；另一方面，网状铜箔层和铜箔基层间设置导热硅胶层相比较传统的单一铜箔片在导热性上有较为显著的提高；另外，本技术底端设置离型层和粘胶层，使用时只需直接将本技术的散热铜箔贴敷于散热部位，使用更加简单方便。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅表示出了本技术的部分实施例，因此不应看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它相关的附图。图1是本技术的层结构示意图。上述附图中的标号代表的含义为：1-绝缘层；2-石墨烯层；3-网状铜箔层；4-导热硅胶层；5-铜箔基层；6-离型层；7-粘胶层；8-外凸缘；9-容纳槽；10-凹陷部；11-凸起部。具体实施方式下面结合附图及具体实施例对本技术作进一步阐述。在此需要说明的是，对于这些实施例方式的说明用于帮助理解本技术，但并不构成对本技术的限定。本文公开的特定结构和功能细节仅用于描述本技术的示例实施例。然而，可用很多备选的形式来体现本技术，并且不应当理解为本技术限制在本文阐述的实施例中。应当理解，尽管本文可以使用术语第一、第二等等来描述各种单元，这些单元不应当受到这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个单元和另一个单元。例如可以将第一单元称作第二单元,并且类似地可以将第二单元称作第一单元，同时不脱离本技术的示例实施例的范围。应当理解，本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，单独存在B，同时存在A和B三种情况，本文中术语“/和”是描述另一种关联对象关系，表示可以存在两种关系，例如，A/和B，可以表示：单独存在A，单独存在A和B两种情况，另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”关系。应当理解，当将单元称作与另一个单元“连接”、“相连”或“耦合”时，它可以与另一个单元直相连接或耦合，或中间单元可以存在。相対地，当将单元称作与另一个单元“直接相连”或“直接耦合”时，不存在中间单元。应当以类似方式来解释用于描述单元之间的关系的其他单词(例如，“在……之间”对“直接在……之间”,“相邻”对“直接相邻”等等)。本文使用的术语仅用于描述特定实施例，并且不意在限制本技术的示例实施例。如本文所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”意在包括复数形式，除非上下文明确指示相反意思。还应当理解术语“包括”、“包括了”、“包含”、和/或“包含了”当在本文中使用时,指定所声明的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在性,并且不排除一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、单元、组件和/或他们的组合存在性或增加。还应当注意到在一些备选实施例中，所出现的功能/动作可能与附图出现的顺序不同。例如,取决于于所涉及的功能/动作,实际上可以实质上并发地执行,或者有时可以以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.散热铜箔，其特征在于：从上往下依次包括绝缘层(1)、石墨烯层(2)、网状铜箔层(3)、导热硅胶层(4)、铜箔基层(5)、离型层(6)和粘胶层(7)；所述的绝缘层(1)采用聚酰亚胺与蒙脱土材料复合制成的纳米材料涂覆而成；所述的铜箔基层(5)的上表面设置有与网状铜箔层(3)结构对应的沟槽结构，所述网状铜箔层(3)设置在沟槽结构内，沟槽结构的凹陷部(10)容纳网状铜箔的实体部，沟槽结构的凸起部(11)穿过网状铜箔的空心部；所述的导热硅胶层(4)涂覆于沟槽结构处并将网状铜箔层(3)和铜箔基层(5)结合；所述的石墨烯层(2)覆盖网状铜箔的实体部，所述的绝缘层(1)覆盖石墨烯层(2)。/n

【技术特征摘要】
1.散热铜箔，其特征在于：从上往下依次包括绝缘层(1)、石墨烯层(2)、网状铜箔层(3)、导热硅胶层(4)、铜箔基层(5)、离型层(6)和粘胶层(7)；所述的绝缘层(1)采用聚酰亚胺与蒙脱土材料复合制成的纳米材料涂覆而成；所述的铜箔基层(5)的上表面设置有与网状铜箔层(3)结构对应的沟槽结构，所述网状铜箔层(3)设置在沟槽结构内，沟槽结构的凹陷部(10)容纳网状铜箔的实体部，沟槽结构的凸起部(11)穿过网状铜箔的空心部；所述的导热硅胶层(4)涂覆于沟槽结构处并将网状铜箔层(3)和铜箔基层(5)结合；所述的石墨烯层(2)覆盖网状铜箔的实体部，所述的绝缘层(1)覆盖石墨烯层(2)。


2.根据权利要求1所述的散热铜箔，其特征在于：所述的绝缘层(1)的厚度为1～2μm。


3.根据权利要求1所述的散热铜箔，其特征在于：所述的石墨烯层(2)的厚度为1.2～1.8μm。


4.根据权利要求1所述的散热铜箔，其特征在于：所述的网状铜箔层(3)的厚度为5.5～7.5μm。


5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：房顺金，李小强，肖建平，汪静，
申请(专利权)人：深圳市美成胶粘制品有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44