一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片制造技术

本实用新型专利技术涉及制冷片技术领域，特别涉及一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，包括上盖、下盖和多个支撑块，所述支撑块为矩形支撑块，所述支撑块的侧壁竖直挖设有两个连接口，所述连接口内嵌设有贯穿连接口的连接件，所述连接件的一侧向外凸起形成支撑扣，所述支撑块设置在上盖与下盖的边缘，并通过支撑扣对上盖和下盖进行支撑，所述上盖和下盖之间具有一间隙。本实用新型专利技术通过支撑块的设置，能够有效的将半导体制冷片的边缘进行支撑，在外部压力过大时，支撑块能够将半导体制冷片进行保护，预防半导体制冷片受到过大的压力导致导热瓷片由于过大的压力而损坏，有效的减少了半导体制冷片的更换成本，延长了半导体制冷片的使用寿命。

A semiconductor refrigeration chip with self recovery thermal protection function

【技术实现步骤摘要】
一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片
本技术涉及制冷片
，特别涉及一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片。
技术介绍
半导体制冷片，也叫热电制冷片，是一种热泵。它的优点是没有滑动部件，应用在一些空间受到限制，可靠性要求高，无制冷剂污染的场合。利用半导体材料的Peltier效应，当直流电通过两种不同半导体材料串联成的电偶时，在电偶的两端即可分别吸收热量和放出热量，可以实现制冷的目的。它是一种产生负热阻的制冷技术，其特点是无运动部件，可靠性也比较高。现有技术中存在如下问题，市面上现有的半导体制冷片边缘比较脆弱，且抗压能力偏弱，在使用时收到较大的压力容易使两面的导热瓷片损坏，并且在进行组装时力道难以进行控制，用力过大时容易造成导热瓷片的边缘破裂，造成过多的损失，增加不必要的成本。
技术实现思路
为此，需要提供一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，优点在于设有支撑块，能够将半导体制冷片的边缘进行支撑，在压力过大时能够将半导体制冷片进行保护，防止半导体制冷片损坏。为实现上述目的，本技术提供了一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，包括上盖、下盖和支撑块，所述支撑块为矩形支撑块，所述支撑块的侧壁竖直挖设有两个连接口，所述连接口内嵌设有贯穿连接口的连接件，所述连接件的一侧向外凸起形成支撑扣，所述支撑块设置在上盖与下盖的边缘，并通过支撑扣对上盖和下盖进行支撑，所述上盖和下盖之间具有一间隙。本技术通过支撑块的设置，能够有效的将半导体制冷片的边缘进行支撑，在外部压力过大时，支撑块能够将半导体制冷片进行保护，预防半导体制冷片受到过大的压力导致导热瓷片由于过大的压力而损坏，有效的减少了半导体制冷片的更换成本，延长了半导体制冷片的使用寿命。进一步的，所述连接件的另一侧向外凸起形成扶手，所述扶手的上表面向下凹陷形成防滑纹。能够增加扶手的摩擦力和舒适度，在进行使用时更加舒适，防滑纹能够预防按压扶手时扶手滑落的情况发生。进一步的，所述连接口的底面向上凸起形成多个第一凸块，所述连接件的下表面向下凸起形成多个与第一凸块相对应的第二凸块，所述第一凸块与第二凸块之间卡设有一固定弹簧。固定弹簧能够让连接块在进行按压后快速恢复原先高度，凸块能够限制固定弹簧的位置，预防固定弹簧发生偏移。进一步的，所述上盖与下盖之间的间隙中嵌设有一半导体组件，所述半导体组件的上表面与上盖的下表面想粘合，所述半导体组件的下表面与下盖的上表面相粘合。半导体组件能够更快的进行制冷，增加制冷片的工作效率，减少多余的能耗。更进一步的，所述半导体组件的正极和负极均向外延伸有导线，所述半导体组件的正极通过导线连接有一热保护器。在外界温度高于半导体组件所能承受的温度时能够对半导体组件进行保护，预防半导体组件由于温度过高而损坏的情况发生。进一步的，所述支撑块与上盖和下盖之间嵌设有缓冲层，所述缓冲层为海绵缓冲层。增加壳体的抗压能力，在半导体制冷片收到挤压时能够对壳体进行一定的缓冲。进一步的，所述支撑扣的表面设有一防护层。在支撑扣支撑上盖和下盖时对上盖和下盖进行防护，使支撑扣的表面更加柔软，预防上盖和下盖收到损坏。进一步的，所述上盖与下盖的形状均为矩形。矩形的上盖与下盖能够更好的进行组装，增加组装的工作效率。进一步的，所述半导体组件的形状为矩形，所述半导体组件的宽度小于上盖与下盖的宽度。半导体组件更加容易嵌入上盖与下盖之中，并且为支撑扣预留支撑位置，预防支撑扣着力点不足导致无法支撑的现象发生。进一步的，所述支撑块的数量为四个，所述支撑块两两对称设置。成对设置的支撑块，能够预防受力不均的情况发生，更好的对半导体制冷片进行保护。区别于现有技术，上述技术方案具有以下有益效果：本技术通过支撑块的设置，能够有效的将半导体制冷片的边缘进行支撑，在外部压力过大时，支撑块能够将半导体制冷片进行保护，预防半导体制冷片受到过大的压力导致导热瓷片由于过大的压力而损坏，有效的减少了半导体制冷片的更换成本，延长了半导体制冷片的使用寿命。附图说明图1为本技术一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片的结构示意图；图2为实施例中支撑块的结构示意图；图3为实施例中支撑块的细节示意图；图4为实施例中连接口的内部结构示意图。附图标记说明：1、上盖，2、下盖，3、支撑块，4、连接口，5、连接件，6、支撑扣，7、扶手，8、缓冲层，9、防护层，10、防滑纹，11、第一凸块，12、第二凸块，13、固定弹簧，14、半导体组件，15、导线，16、热保护器。具体实施方式为详细说明技术方案的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。请参阅图1-图4，本实施例一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，包括上盖1、下盖2和多个支撑块3，所述上盖1与下盖2的形状均为矩形，且上盖1与下盖2均为陶瓷材料制成，所述上盖1的大小与下盖2的大小相同，所述支撑块3的数量为四个，所述支撑块3两两对称设置，所述支撑块3为矩形支撑块3，所述支撑块3的较长一侧壁上竖直挖设有两个矩形的连接口4，所述连接口4内部设有一阶梯结构，且连接口4的两侧开口大小不同，所述连接口4内嵌设有一贯穿连接口4的连接件5，所述连接件5的形状为L形，所述连接件5厚度较大的一侧位于连接口4的较大开口一侧。所述上方连接口4的底面向上凸起形成四个第一凸块11，所述第一凸块11的形状为圆柱体，且四个第一凸块11呈直线排列，所述连接件5的下表面向下凸起形成四个与第一凸块11相对应的第二凸块12，所述第二凸块12的形状为圆柱体，且第二凸块12的长度略大于第一凸块11的长度，所述第一凸块11与第二凸块12之间卡设有固定弹簧13，所述固定弹簧13为钢铁材质固定弹簧13。所述连接件5较大的厚度较大的一侧壁顶端向外凸起形成支撑扣6，所述支撑扣6的形状为矩形，且支撑扣6的表面设有一防护层9，所述防护层9为阻尼材质防护层9，所述连接件5与支撑扣6相对的一侧向外凸起形成扶手7，该扶手7的上表面向下凹陷形成防滑纹10。所述支撑块3设置在上盖1与下盖2的边缘，支撑块3与上盖1和下盖2之间嵌设有缓冲层8，所述缓冲层8为海绵缓冲层8。所述上盖1和下盖2通过支撑扣6进行支撑，使上盖1和下盖2之间具有一间隙，所述上盖1与下盖2之间的间隙中嵌设有一半导体组件14，所述半导体组件14的形状为矩形，且半导体组件14的宽度小于上盖1与下盖2的宽度，所述半导体组件14的上表面与上盖1的下表面想粘合，所述半导体组件14的下表面与下盖2的上表面相粘合，所述半导体组件14的正极和负极均向外延伸有导线15，所述半导体组件14的正极通过导线15连接有一热保护器16。在具体使用时，首先将半导体组件14嵌入上盖1与下盖2之间，然后按下扶手7将支撑扣6放入上盖1与下盖2之间将上盖1与下盖2进行支撑，防护层9将上盖1与下盖2进行防护，上盖1与下盖2的侧面与支撑块3侧面的缓冲层8相贴合，固定弹簧13的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，其特征在于：包括上盖、下盖和多个支撑块，所述支撑块为矩形支撑块，所述支撑块的侧壁竖直挖设有两个连接口，所述连接口内嵌设有贯穿连接口的连接件，所述连接件的一侧向外凸起形成支撑扣，所述支撑块设置在上盖与下盖的边缘，并通过支撑扣对上盖和下盖进行支撑，所述上盖和下盖之间具有一间隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，其特征在于：包括上盖、下盖和多个支撑块，所述支撑块为矩形支撑块，所述支撑块的侧壁竖直挖设有两个连接口，所述连接口内嵌设有贯穿连接口的连接件，所述连接件的一侧向外凸起形成支撑扣，所述支撑块设置在上盖与下盖的边缘，并通过支撑扣对上盖和下盖进行支撑，所述上盖和下盖之间具有一间隙。


2.根据权利要求1所述的一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，其特征在于：所述连接件的另一侧向外凸起形成扶手，所述扶手的上表面向下凹陷形成防滑纹。


3.根据权利要求1所述的一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，其特征在于：所述连接口的底面向上凸起形成多个第一凸块，所述连接件的下表面向下凸起形成多个与第一凸块相对应的第二凸块，所述第一凸块与第二凸块之间卡设有一固定弹簧。


4.根据权利要求1所述的一种具有自恢复式热保护功能的半导体制冷片，其特征在于：所述上盖与下盖之间的间隙中嵌设有一半导体组件，所述半导体组件的上表面与上盖的下表面想粘合，所述半导体组件的下表面与下...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈天顺，黄伟鹏，
申请(专利权)人：鹏南科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35