高电子迁移率晶体管元件及其制造方法技术

一种高电子迁移率晶体管元件，包括基底、第一通道层、第二通道层、顶盖层、第一金属氮化物层、栅极、源极与漏极。第一通道层设置在基底上。第二通道层设置在第一通道层上。顶盖层设置在第二通道层上，且暴露出部分第二通道层。第一金属氮化物层设置在顶盖层上。栅极设置在第一金属氮化物层上。第一金属氮化物层的宽度大于或等于栅极的宽度。源极与漏极设置在栅极两侧的第二通道层上。

High electron mobility transistor element and its manufacturing method

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管元件及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体元件及其制造方法，且特别是有关于一种高电子迁移率晶体管元件(highelectronmobilitytransistordevice，HEMT)及其制造方法。
技术介绍
在现行的III-V族的HEMT元件的工艺中，会进行一些高温工艺来完成HEMT元件的制作。然而，高温工艺会使得栅极下方的膜层中的金属粒子扩散到位在通道层与栅极之间的顶盖层(caplayer)中，甚至扩散到栅极中，而此热变异使得栅极产生异常。如此一来，将导致HEMT元件的可靠度变差。
技术实现思路
本专利技术提供一种HEMT元件及其制作方法，其可具有较佳的热稳定性与可靠度。本专利技术提出一种HEMT元件，包括基底、第一通道层、第二通道层、顶盖层、第一金属氮化物层、栅极、源极与漏极。第一通道层设置在基底上。第二通道层设置在第一通道层上。顶盖层设置在第二通道层上，且暴露出部分第二通道层。第一金属氮化物层设置在顶盖层上。栅极设置在第一金属氮化物层上。第一金属氮化物层的宽度大于或等于栅极的宽度。源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，包括：/n基底；/n第一通道层，设置在所述基底上；/n第二通道层，设置在所述第一通道层上；/n顶盖层，设置在所述第二通道层上，且暴露出部分所述第二通道层；/n第一金属氮化物层，设置在所述顶盖层上；/n栅极，设置在所述第一金属氮化物层上，其中所述第一金属氮化物层的宽度大于或等于所述栅极的宽度；以及/n源极与漏极，设置在所述栅极两侧的所述第二通道层上。/n

【技术特征摘要】
20181004 TW 1071350061.一种高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，包括：
基底；
第一通道层，设置在所述基底上；
第二通道层，设置在所述第一通道层上；
顶盖层，设置在所述第二通道层上，且暴露出部分所述第二通道层；
第一金属氮化物层，设置在所述顶盖层上；
栅极，设置在所述第一金属氮化物层上，其中所述第一金属氮化物层的宽度大于或等于所述栅极的宽度；以及
源极与漏极，设置在所述栅极两侧的所述第二通道层上。


2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，更包括：
第二金属氮化物层，设置在所述源极与所述第二通道层之间；以及
第三金属氮化物层，设置在所述漏极与所述第二通道层之间。


3.根据权利要求2所述的高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述第一金属氮化物层、所述第二金属氮化物层与所述第三金属氮化物层的厚度分别是至


4.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，所述顶盖层的材料包括未经掺杂的氮化镓或P型掺杂的氮化镓。


5.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，更包括：
缓冲层，设置在所述第一通道层与所述基底之间。


6.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，更包括：
保护层，设置在所述顶盖层上，且暴露出部分所述顶盖层，其中所述第一金属氮化物层设置在所述保护层所暴露出的所述顶盖层上。


7.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管元件，其特征在于，更包括：
绝缘层，设置在所述栅极与所述第一金属氮化物层之间。


8.一种高电子迁移率晶体管元件的制造方法，其特征在于，包括：
在基底上形成第一通道层；
在所述第一通道层上形成第二通道层；
在所述第二通道层上形成顶盖层，其中所述顶盖层暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志濠，温文莹，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71