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一种高电子迁移率晶体管元件，包括基底、第一通道层、第二通道层、顶盖层、第一金属氮化物层、栅极、源极与漏极。第一通道层设置在基底上。第二通道层设置在第一通道层上。顶盖层设置在第二通道层上，且暴露出部分第二通道层。第一金属氮化物层设置在顶盖层上...
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