一种NANDFlash特性测试精准控温的方法技术

本发明专利技术公开一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，本方法首先构建测试环境，然后构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，在实际测试时，根据建立的温度关系函数确定测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过程中定时采集温度传感器测试的实际箱体温度，当实际箱体温度达到测试温度对应的箱体温度时，停止升温，进入控温过程；控温过程中，每隔固定时间采集NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值，根据差值进行升温或者降温调整，维持温差在±1℃以内。本发明专利技术可以精准控制NANDFLASH温度与设定温度误差在±1℃以内。

An accurate temperature control method for nandflash characteristic test

【技术实现步骤摘要】
一种NANDFlash特性测试精准控温的方法
本专利技术公开一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，属于NANDFlash特性测试

技术介绍
NANDFlash是一种非易失性随机访问存储介质，其存储的原理是通过量子隧道效应，电子跃迁到浮栅层并留在那里，随着时间的流逝，驻留在浮栅层的电子会有一定几率回到沟道中，这种电子驻留的能力称其为数据驻留（DataRetention）。数据驻留（DataRetention）的时间长短与NANDFLASH所处于的环境温度有很紧密的联系，温度越高，驻留能力越弱，那么在使用NANDFLASH过程中读取数据错误的概率就会明显提高。为了研究NANDFLASH的数据驻留（DataRetention）能力与温度之间的关系，需要保证测试过程中温度的稳定以及误差在允许范围内。在一种严格的环境温度内，测试出数据驻留（DataRetention）在一定时间内的变化状态，制定特定纠错算法，减少NANDFLASH读取错误概率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种NANDFla本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS01）、构建测试环境，将NANDFlash板卡设置于箱体内，箱体内并设有温度传感器、升温装置和降温装置；/nS02）、构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，在不同温度点采集NANDFlash芯片自身的温度与温度传感器采集的箱体温度，记录两者温度差值，直至温度差值稳定在±1℃以内，根据采集的温度数据拟合NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数；/nS03）、实际测试时，首先设定NANDFlash测试温度，根据步骤S02建立的温度关系函数确定该测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过...

【技术特征摘要】
1.一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，其特征在于：包括以下步骤：
S01）、构建测试环境，将NANDFlash板卡设置于箱体内，箱体内并设有温度传感器、升温装置和降温装置；
S02）、构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，在不同温度点采集NANDFlash芯片自身的温度与温度传感器采集的箱体温度，记录两者温度差值，直至温度差值稳定在±1℃以内，根据采集的温度数据拟合NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数；
S03）、实际测试时，首先设定NANDFlash测试温度，根据步骤S02建立的温度关系函数确定该测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过程中定时采集温度传感器测试的实际箱体温度，当实际箱体温度达到测试温度对应的箱体温度时，停止升温，进入控温过程；
S04）、控温过程中，每隔固定时间采集NANDFlash芯片温度与测试温度之间的差值，根据差值进行升温或者降温调整，维持温差在±1℃以内。


2.根据权利要求1所述的NANDFlash特性测试精准控温的方法，其特征在于：控温过程中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹成，
申请(专利权)人：山东华芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37