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本发明公开一种NANDFlash特性测试精准控温的方法，本方法首先构建测试环境，然后构建NANDFlash芯片温度与箱体温度的温度关系函数，在实际测试时，根据建立的温度关系函数确定测试温度对应的箱体温度，并进入升温过程，升温过程中定时采集温...
该专利属于山东华芯半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华芯半导体有限公司授权不得商用。

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