电磁波吸收颗粒分散体、电磁波吸收用层叠透明基材制造技术

本发明专利技术提供一种电磁波吸收颗粒分散体，包括至少电磁波吸收颗粒和热可塑性树脂，其特征在于，上述电磁波吸收颗粒包含具有氧缺陷的六方晶体的钨青铜，上述钨青铜由通式：M

Electromagnetic wave absorbing particle dispersion, laminated transparent substrate for electromagnetic wave absorbing

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电磁波吸收颗粒分散体、电磁波吸收用层叠透明基材
本专利技术涉及电磁波吸收颗粒分散体、电磁波吸收用层叠(夹层)透明基材。
技术介绍
根据理化学辞典第5版，光被定义为“将波长位于大约1nm～1mm的范围内的电磁波称为光”。该波长范围包括可见光范围和红外线范围。作为窗户材料等中使用的遮光部件，专利文献1中提出了一种含有黑色系颜料的遮光膜，该黑色系颜料包括在可见光范围至近红外线范围内具有吸收作用的碳黑、钛黑等的无机颜料、以及仅在可见光范围内具有较强吸收作用的苯胺黑等的有机颜料等。此外，专利文献2中提出了一种蒸镀了铝等的金属的半镜型遮光部件。专利文献3中提出了一种隔热玻璃，其中，在透明玻璃基板上，从基板侧开始作为第1层设置了含有从由周期表的IIIa族、IVa族、Vb族、VIb族、及VIIb族组成的群中选出的至少1种金属离子的复合钨氧化物膜，在上述第1层上作为第2层设置了透明介电体膜，在该第2层上作为第3层设置了含有从由周期表的IIIa族、IVa族、Vb族、VIb族、及VIIb族组成的群中选出的至少1种金属离子的复合钨氧化物膜，并且通过使上述第2层的透明介电体膜的折射率低于上述第1层和上述第3层的复合钨氧化物膜的折射率，可优选应用于要求较高可见光透射率和良好隔热性能的部位。专利文献4中提出了一种隔热玻璃，其中，通过与专利文献3同样的方法，在透明玻璃基板上，从基板侧开始作为第1层设置了第1介电体膜，在该第1层上作为第2层设置了钨氧化物膜，并且在该第2层上作为第3层设置了第2介电体膜。专利文献5中提出了一种隔热玻璃，其中，采用与专利文献3同样的方法，在透明基板上，从基板侧开始作为第1层设置了含有同样的金属元素的复合钨氧化物膜，并且在该第1层上作为第2层设置了透明介电体膜。专利文献6中提出了一种具有太阳光遮蔽特性的太阳光控制玻璃片，其通过如下方式形成，即，通过CVD法或喷雾法，被覆从含有氢、锂、钠、或钾等的添加材料的三氧化钨(WO3)、三氧化钼(MoO3)、五氧化铌(Nb2O5)、五氧化钽(Ta2O5)、五氧化钒(V2O5)、及二氧化钒(VO2)的1种以上中选出的金属氧化物膜，并在250℃左右的温度下进行热分解。另外，申请人在专利文献7中还公开了一种红外线材料微颗粒分散在了介质(medium)中的红外线遮蔽材料微颗粒分散体，该红外线材料微颗粒含有钨氧化物微颗粒或/和复合钨氧化物微颗粒，该红外线材料微颗粒的分散粒径为1nm以上且800nm以下。<现有技术文献><专利文献>专利文献1：日本国特开2003－029314号公报专利文献2：日本国特开平9－107815号公报专利文献3：日本国特开平8－59300号公报专利文献4：日本国特开平8－12378号公报专利文献5：日本国特开平8－283044号公报专利文献6：日本国特开2000－119045号公报专利文献7：国际公开第2005/037932号<非专利文献>非专利文献1：A.D.Walkingshaw,N.A.Spaldin,andE.Artacho,Density-functionalstudyofchargedopinginWO3,Phys.Rev.B70(2004)165110-1-7非专利文献2：J.Oi,A.Kishimoto.,T.Kudo,andM.Hiratani,Hexagonaltungstentrioxideobtainedfromperoxo-polytungstateandreversiblelithiumelectro-intercalationintoitsframework,J.SolidStateChem.96(1992)13
技术实现思路
<本专利技术要解决的课题>然而，近年来，例如在降低汽车用玻璃等的日射(太阳辐射)透射率的同时，还要求提高各种红外线传感器中使用的、波长为850nm的近红外线范围的电磁波的透射率。上述专利文献7中公开了可对红外线范围的电磁波进行吸收的钨氧化物微颗粒或/和复合钨氧化物微颗粒。但并没有公开在降低日射透射率的同时，如何选择各种红外线传感器等中使用的、波长为850nm附近的近红外线的透射率较优的复合钨氧化物的指南。于本专利技术的一方面，以提供一种可抑制日射透射率且波长为850nm的近红外线的透射特性也较优的电磁波吸收颗粒分散体为目的。<解决上述课题的手段>于本专利技术的一方面，提供一种电磁波吸收颗粒分散体，包括至少电磁波吸收颗粒和热可塑性树脂，上述电磁波吸收颗粒包含具有氧缺陷的六方晶体的钨青铜，上述钨青铜由通式：MxWO3－y(在此，元素M包括从至少K、Rb、及Cs中选出的1种以上，0.15≦x≦0.33，并且0＜y≦0.46)表示，上述电磁波吸收颗粒中的氧空位浓度NV为4.3×1014cm－3以上且8.0×1021cm－3以下。<专利技术的效果>于本专利技术的一方面，能够提供一种可抑制日射透射率且波长为850nm的近红外线的透射特性也较优的电磁波吸收颗粒分散体。附图说明图1是钨青铜的组成和晶格常数的相关关系的说明图。图2是原子M为Cs时的钨青铜的组成和晶格常数的相关关系的说明图。具体实施方式[电磁波吸收颗粒]本实施方式中，对电磁波吸收颗粒的一构成例进行说明。本实施方式的电磁波吸收颗粒可包含具有氧缺陷(oxygendefect)的六方(hexagonal)晶体的钨青铜(tungstenbronze)。此外，该钨青铜由通式：MxWO3－y(在此，元素M包括从至少K、Rb、及Cs中选出的1种以上，0.15≦x≦0.33，并且0＜y≦0.46)表示，氧空位浓度NV可为4.3×1014cm－3以上且8.0×1021cm－3以下。以往，作为钨青铜提出了六方晶体的MxWO3。六方晶体的钨青铜中，具有在“作为基本单位的WO6(W：钨；O：氧)的八面体被形成为在其角部进行了连接的基本骨架”的较大的六角形隧道(hexagonaltunnel)的间隙内插入了作为碱金属等的元素M的离子之结构。可侵入六角形隧道的元素M的原子数的最大值相对于W为0.33，实际应用上一直以该值作为指向目标。另一方面，关于钨青铜的氧缺陷，理解不够详尽。为此，就钨青铜而言，与制作方法无关地，固定了用于表示氧的全化学计量比(full-stoichiometricratio)的MxWO3的化学式。即，一般的理解为，钨青铜结构中氧缺陷基本为零，即使存在也是少量。然而，在不含元素M的原型的氧化钨(WO3)中，存在如下报告，即，通过还原处理容易生成WO3－x，其氧化学计量比更低，并且示出了根据还原程度的不同而异的晶体结构、导电性、及光学特性。另外，在被称为所谓的Magneli相的WO3－x中，化学计量比的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电磁波吸收颗粒分散体，其中，/n包括至少电磁波吸收颗粒和热可塑性树脂，/n上述电磁波吸收颗粒包含具有氧缺陷的六方晶体的钨青铜，/n上述钨青铜由通式：M

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170809 JP 2017-1548121.一种电磁波吸收颗粒分散体，其中，
包括至少电磁波吸收颗粒和热可塑性树脂，
上述电磁波吸收颗粒包含具有氧缺陷的六方晶体的钨青铜，
上述钨青铜由通式：MxWO3－y(在此，元素M包括从至少K、Rb、及Cs中选出的1种以上，0.15≦x≦0.33，并且0＜y≦0.46)表示，
上述电磁波吸收颗粒中的氧空位浓度NV为4.3×1014cm－3以上且8.0×1021cm－3以下。


2.根据权利要求1所述的电磁波吸收颗粒分散体，其中，
上述元素M还包括从Na、Tl、In、Li、Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Al、及Ga中选出的1种以上，作为添加元素。


3.根据权利要求1或2所述的电磁波吸收颗粒分散体，其中，
六方晶体的上述钨青铜的晶格常数a和c，即和在晶格常数为横轴、晶格常数为纵轴、且坐标位置由(晶格常数a，晶格常数c)表示的坐标空间内，与位于以点A(7.406，7.614)、点B(7.372，7.564)、点C(7.393，7.504)、及点D(7.423，7.554)为顶点的四边形ABCD的区域内的点(aM，cM)具有下式(1)和(2)的关系。
aM－HTB＝aM±0.0084···(1)
cM－HTB＝cM±0.0184···(2)


4.根据权利要求1所述的电磁波吸收颗粒分散体，其中，
上述元素M由Cs组成，
六方晶体的上述钨青铜的晶格常数a和c，即和在晶格常数为横轴、晶格常数为纵轴、且坐标位置由(晶格常数a，晶格常数c)表示的坐标空间内与位于cCs＝－3.436aCs+33.062的直线上的点(aCs，cCs)具有下式(3)和(4)的关系。
aM－HTB＝aCs±0.0084···(3)
cM－HTB＝cCs±0.0184···(4)


5.根据权利要求4所述的电磁波吸收颗粒分散体，其中，
上述cCs满足7.576≦cCs≦7.610。


6.根据权利要求1所述的电磁波吸收颗粒分散体，其中，
上述元素M由Rb组成，
六方晶体的上述钨青铜的晶格常数a和c，即和在晶格常数为横轴、晶格常数为纵轴、且坐标位置由(晶格常数a，晶格常数c)表示的坐标空间内与位于cRb＝－3.344aRb+32.265的直线上的点(aRb，cRb)具有下式(5)和(6)的关系。
aM－HTB＝aRb±0...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田美香，小野胜史，吉尾里司，足立健治，町田佳辅，
申请(专利权)人：住友金属矿山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP