本发明专利技术提供一种通过包括如下步骤的一氧化锡的制造方法,而充分地减少氯、硫、钠、及钾,并且制造溶解性优异的一氧化锡的新颖的手段,该步骤是使硫酸亚锡在水溶液中通过碳酸铵或碳酸氢铵进行中和反应,而使一氧化锡析出。
Tin oxide and its manufacturing method
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】一氧化锡及其制造方法
本专利技术涉及一种一氧化锡及其制造方法。
技术介绍
在进行镀锡时,存在使用不溶性电极(铂、贵金属氧化物等)而非金属锡作为阳极的情形。此时,作为补给自电解液消耗的锡离子,而经常添加一氧化锡。一氧化锡(SnO)与二氧化锡(SnO2)相比溶解速度较快,而容易制造补给液。为了制作具有溶解性的一氧化锡,先前一直认为较理想为将氯化锡作为起始材料。因此,例如专利文献1(日本专利第6095929号)揭示有一种将氯化亚锡作为原料而制造一氧化锡的技术。但是,该技术存在如下缺点,即,难以充分地减少所制造的一氧化锡中所含的杂质即氯。因此,例如在锡-银镀覆中,若存在氯则与银反应而作为溶解度较低的氯化银析出,而会改变浴组成,因此专作为锡-银镀覆的锡离子补给源,要求充分减少氯。专利文献2(日本特开2016-153361号)揭示有一种将氯化亚锡或硫酸亚锡作为原料而制造一氧化锡的技术。但是,该技术存在如下缺点,即,在所制造的一氧化锡中难以充分地减少源自成为原料的锡溶液的氯离子或硫酸根离子。在针对半导体的锡材料中,要求充分减少成为杂质的氯及硫。专利文献3(日本专利第4975367号)是将添加有有机磺酸的硝酸铵水溶液作为电解液,将锡作为阳极进行电解,而制造一氧化锡。
技术介绍
文献专利文献专利文献1:日本专利第6095929号公报专利文献2:日本特开2016-153361号公报专利文献3:日本专利第4975367号公报。
技术实现思路
专利技术所欲解决的问题根据本专利技术人的研究,即便通过专利文献3的制造方法,所获得的一氧化锡中的杂质(氯、硫、钠、钾)的减少亦不充分。如此,要求一种充分地减少氯、硫、钠、及钾,并且制造溶解性优异的一氧化锡的技术。因此,本专利技术的目的在于提供一种充分地减少氯、硫、钠、及钾,并且制造溶解性优异的一氧化锡的新颖的手段。解决问题的技术手段本专利技术人为解决上述问题进行了努力研究,结果发现,通过下文所述的制造方法可充分地减少氯、硫、钠、及钾,并且制造溶解性优异的一氧化锡,从而达成了本专利技术。因此,本专利技术包含如下(1)~(16)。(1)一种一氧化锡的制造方法,其包括如下步骤:使硫酸亚锡在水溶液中通过碳酸铵或碳酸氢铵进行中和反应,而使一氧化锡析出。(2)如(1)所述的制造方法,其中,中和反应是在pH值6.0~pH值8.0的范围的pH值的水溶液中进行。(3)如(1)至(2)中任一项所述的制造方法,其是通过向碳酸氢铵水溶液中添加硫酸亚锡水溶液而进行中和反应。(4)如(3)所述的制造方法,其中,碳酸氢铵水溶液中的碳酸氢铵浓度处于50~150g/L的范围。(5)如(3)或(4)所述的制造方法,其中,硫酸亚锡水溶液中的锡浓度处于10~130g/L的范围。(6)如(1)至(5)中任一项所述的制造方法,其中,在使硫酸亚锡进行中和反应而使一氧化锡析出的步骤中,在以50~80℃的范围的温度使硫酸亚锡进行中和反应后,将中和反应后的水溶液保持在60~100℃的范围的温度,而使一氧化锡析出。(7)如(1)至(5)中任一项所述的制造方法,其中,在使硫酸亚锡进行中和反应而使一氧化锡析出的步骤中,在以50~80℃的范围的温度历时1~10小时使硫酸亚锡进行中和反应后,将中和反应后的水溶液在60~100℃的范围的温度下保持1~10小时,而使一氧化锡析出。(8)一种一氧化锡,其是由一氧化锡及不可避免的杂质所构成,且一氧化锡的含量为99.99质量%以上,该一氧化锡满足以下任一者:氯含量为1ppm以下;或硫含量未达10ppm。(9)如(8)所述的一氧化锡,其中,氯含量为1ppm以下,且硫含量未达10ppm。(10)如(8)或(9)所述的一氧化锡,其中,钠含量未达5ppm,钾含量未达5ppm。(11)如(8)至(10)中任一项所述的一氧化锡,其中,锑含量为5ppm以下。(12)如(8)至(11)中任一项所述的一氧化锡,其中,一氧化锡为粉末的形态。(13)如(12)所述的一氧化锡,其中,粉末的含水率处于1~10重量%的范围。(14)如(12)或(13)所述的一氧化锡,其中,粉末的比表面积处于0.1~1.0m2/g的范围。(15)如(12)至(14)中任一项所述的一氧化锡,其中,粉末的振实(TAP)密度处于1.0~4.0g/cm3的范围。(16)如(12)至(15)中任一项所述的一氧化锡,其中,粉末的50%粒径(D50)处于20~60μm的范围。专利技术的效果根据本专利技术,可充分地减少氯、硫、钠、及钾,并且制造溶解性优异的一氧化锡。附图说明图1A是表示实施例4由来的一氧化锡的溶解性试验的结果的照片。图1B是表示实施例4由来的一氧化锡的扫描式电子显微镜(以下称为SEM)图像的照片。图2A是表示比较例4由来的一氧化锡的溶解性试验的结果的照片。图2B是表示比较例4由来的一氧化锡的SEM图像的照片。具体实施方式以下,列举实施态样而详细地说明本专利技术。本专利技术并不限于以下所列举的具体的实施态样。[一氧化锡的制造]本专利技术由来的一氧化锡的制造可通过包括如下步骤的方法进行,该步骤是使硫酸亚锡在水溶液中通过碳酸铵或碳酸氢铵进行中和反应,而使一氧化锡析出。[中和反应]中和反应是通过使硫酸亚锡在水溶液中与碳酸铵或碳酸氢铵进行反应而进行。在优选的实施态样中,通过向碳酸铵或碳酸氢铵水溶液中添加硫酸亚锡水溶液而进行中和反应。在优选的实施态样中,硫酸亚锡水溶液的添加可通过公知的手段进行,例如可使用滴加、喷出、喷雾等手段。或者,在优选的实施态样中,亦可通过向水或水溶液中同时或交替地添加硫酸亚锡溶液、及碳酸铵或碳酸氢铵水溶液而进行中和反应。在这些的添加中,亦可通过滴加进行。在优选的实施态样中,在中和反应时可适当地搅拌水溶液。搅拌可通过公知的手段进行。中和反应可通过除添加碳酸铵或碳酸氢铵以外,亦可向水溶液中添加氨水及/或吹送二氧化碳而进行。氨水的添加可以如下方式添加,即,添加有氨水的水溶液中的铵离子浓度与源自碳酸氢铵的铵离子相加,而成为基于下文所述的碳酸氢铵浓度的范围的铵离子浓度。二氧化碳的吹送可以如下方式进行,即,吹入有二氧化碳的水溶液中的碳酸根离子及碳酸氢根离子的浓度的总和与源自碳酸氢铵的碳酸根离子及碳酸氢根离子相加,而成为基于下文所述的碳酸氢铵浓度的范围的碳酸根离子及碳酸氢根离子的浓度的总和。二氧化碳的吹送可使用公知的手段进行。氨水的添加及/或二氧化碳的吹送可兼作下文所述的pH值调整而进行。[pH值]在优选的实施态样中,中和反应例如在pH值6.0~pH值8.0、优选为p本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种一氧化锡的制造方法,其包括如下步骤:/n使硫酸亚锡在水溶液中通过碳酸铵或碳酸氢铵进行中和反应,而使一氧化锡析出。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171115 JP 2017-2204741.一种一氧化锡的制造方法,其包括如下步骤:
使硫酸亚锡在水溶液中通过碳酸铵或碳酸氢铵进行中和反应,而使一氧化锡析出。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其中,中和反应是在pH值6.0~pH值8.0的范围的pH值的水溶液中进行。
3.根据权利要求1或2所述的制造方法,其是通过向碳酸氢铵水溶液中添加硫酸亚锡水溶液而进行中和反应。
4.根据权利要求3所述的制造方法,其中,碳酸氢铵水溶液中的碳酸氢铵浓度处于50~150g/L的范围。
5.根据权利要求3或4所述的制造方法,其中,硫酸亚锡水溶液中的锡浓度处于10~130g/L的范围。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的制造方法,其中,在使硫酸亚锡进行中和反应而使一氧化锡析出的步骤中,
在以50~80℃的范围的温度使硫酸亚锡进行中和反应后,
将中和反应后的水溶液保持在60~100℃的范围的温度,而使一氧化锡析出。
7.根据权利要求1~5中任一项所述的制造方法,其中,在使硫酸亚锡进行中和反应而使一氧化锡析出的步骤中,
在以50~80℃的范围的温度历时1~10小时使硫酸亚锡进行中和反应后,
将中和反应后的...
【专利技术属性】
技术研发人员:竹本幸一,伊森彻,
申请(专利权)人:JX金属株式会社,
类型:发明
国别省市:日本;JP
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